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近來半導體產業發展的走向，對於元件高積集密度要求越來越高，為達到此一要求，在蝕刻技術方面，傾向於採用乾式蝕刻，以取代傳統溼式蝕刻。鎳酸鑭（LaNiO3, LNO）薄膜對於鐵電薄膜的成長有非常大的助益，本實驗目的即在探討乾式蝕刻鎳酸鑭薄膜的可行性及蝕刻對薄膜的影響。
本實驗使用RF磁控濺鍍系統濺鍍LNO薄膜，再採用Blanket式蝕刻及N2+O2氣體組合作為蝕刻氣體，藉改變source power, bias power, working pressure及氣體比例等變因，觀察其對蝕刻的影響。
結果顯示，以N2+O2氣體組合作為蝕刻LNO薄膜蝕刻氣體為可行方法。蝕刻速率皆隨source power, bias power增加而上昇。
LNO薄膜蝕刻與N2+O2蝕刻氣體比例有密切關係。以100%N2（還原氣氛）蝕刻LNO薄膜時，蝕刻後表面有金屬La, Ni的伴隨生成物。
N2+O2蝕刻氣體組合蝕刻LNO薄膜不會有氮殘留的問題；而且並不會對LNO薄膜的電阻係數造成嚴重影響。
以N2+O2蝕刻氣體組合蝕刻LNO薄膜時，SiO2並不是良好的罩幕選擇。
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