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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:廖崇維
研究生(外文):Liaw, Chorng-Wei
論文名稱:互補式金氧半電晶體技術中垂直式金氧半元件之設計與研究
論文名稱(外文):Design of Vertical Power MOSFET In CMOS Technology
指導教授:徐清祥徐清祥引用關係
指導教授(外文):Hsu, Ching-Hsiang
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
論文頁數:115
中文關鍵詞:金氧半電晶體金氧半元件
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  現代電力電子系統發展的趨勢是將能耐高電壓或耐高電流之功率元件與低壓的類比或數位電路結合成功率積體電路,取代傳統笨重而昂貴的離散式電路設計。為了達到這個目的,必須尋求可與現在互補式金氧半元件積體化之功率元件。而除了橫向結構高壓金氧半電晶體之外,應用於離散式電路的垂直式高壓元件也可與現行之互補式金氧半電晶體積體化。
  應用一高濃度埋藏層(buried layeer)可將垂直式之高功率元件與互補之金氧半電晶體積體化。本論文在不改變互補式金氧半電晶體製程之前提下,設計出高壓垂直式金氧半元件,證明此元件製作之可行性,另一方面則用二維電性模擬對此元件作最佳化之設計,最後提出一製程來改善原有製程之缺點。

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