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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:錢玉坤
研究生(外文):Chyan Yuh-Kuen
論文名稱:銻化銦薄膜之遠紅外線光譜及拉曼光譜特性分析研究
論文名稱(外文):Far-infrared and Raman characterization of InSb films
指導教授:楊遵榮楊遵榮引用關係
指導教授(外文):Tzuen-Rong
學位類別:碩士
校院名稱:國立師範大學
系所名稱:物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
中文關鍵詞:聲子銻化銦遠紅外線光譜拉曼散射
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本文以傅立葉轉換遠紅外線反射光譜與拉曼散射光譜分析以MOCVD與LPMOCVD 所成長的InSb薄膜,由紅外線反射光譜中發現:MOCVD所成長各種不同III-V比例的InSb薄膜均在180 cm-1處發現InSb 的TO振動模,我們也在269 cm-1處發現基底GaAs 的TO振動模,InSb與GaAs的TO振動模均隨著溫度的降低而逐漸增大。藉由介電函數理論的fitting後瞭解InSb薄膜的厚度是影響269~300 cm-1處反射光譜不同的主要因素,而樣品的自由載子濃度越高,在反射光譜上得到長波長範圍的反射率較高。我們並且了解InSb薄膜與GaAs基底有約14.5%非常大的晶格不相配(lattice mismatch),由於InSb薄膜與GaAs基底的介面行為,導致在InSb薄膜與GaAs基底的介面(interface)上有高濃度的晶格錯位(dislocation),因此在反射光譜上發現在218 cm-1與228 cm-1處有出現微小的振動模,分別與InAs及GaSb的TO振動模相對應,並且也有隨著溫度的降低而逐漸增大的現象。我們並且從Kramers-Kroning關係來分析實驗數據,發現分析結果與介電函數理論的fitting結果十分接近。我們由拉曼散射光譜得到ωTO、ωLO與ω2LO振動模,藉由ω2LO振動模的發現及ωTO/ωLO的比值來了解MOCVD樣品成長的Ⅲ-Ⅴ族比例與薄膜樣品的結晶本質(crystalline perfection)。在拉曼散射光譜中所有樣品LO振動模之半高寬(full width at half maximum)於300K時均小於6 cm-1,10K時均小於3 cm-1,說明以MOCVD方法可以在GaAs基底上成功的成長品質良好的InSb薄膜。且由拉曼散射光譜所得到的InSb薄膜之TO振動模與傅立葉轉換紅外線反射光譜測得的InSb薄膜之TO振動模對應關係良好。

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