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研究生:許文敏
研究生(外文):Xu, Wen-Min
論文名稱:半導體薄層結構及單層摻雜之電光性質研究
論文名稱(外文):Electrooptical Properties of the Semiconductor Thin-Film Structure with Delta-Doping
指導教授:黃福坤黃福坤引用關係
指導教授(外文):Huang, Fu-Kun
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣師範大學
系所名稱:物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1998
畢業學年度:86
語文別:中文
論文頁數:69
中文關鍵詞:光調制反射光譜電光性質內建電場單層摻雜Si δ-doping砷化鎵砷化鎵鋁砷化鎵銦物理
外文關鍵詞:PRInternal electric fieldPHYSICS
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我們以光調制反射光譜 (PR)來研究由分子束磊晶法 (MBE)長成的砷化鎵/砷化鎵鋁/砷化鎵銦之多層異質結構在不同溫度下其電-光性質的變化。實驗所得的譜形包含了六組振盪譜形,將此光譜做擬合與分析,進一步與蝕除薄層後的實驗譜形作比對,可辨識出各組振盪之源由。除了樣品表面及異質接面因能帶彎曲形成內建電場外,樣品中的單層摻雜 (Si Delta-doping )可提供大量的空間自由載子,形成空間電荷造成空間電場。內建電場的大小可以由振盪譜形推算出,並利用簡單的平行板電容模型所推算出的電場大小與之比較,而內建電場的方向可由能帶結構的模擬與擬合電場相比較之後得出。

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