臺灣博碩士論文加值系統

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目錄
誌謝
論文摘要
圖目
表目
第一章 緒論
1.1 活性離子蝕刻術的發展與重要性
1.2 InAlGaAs四元化合物場效應電晶體的前瞻性
1.3 論文架構
第二章 活性離子蝕刻的原理與應用
2.1 前言
2.2 活性離子蝕刻技術的原理
2.3 活性離子蝕刻的應用
第三章 活性離子蝕刻技術在GaAs/AlGaAs異質結構場效應電晶體的應用
3.1 前言
3.2 閘極蝕刻的考量因素
3.3 活性離子蝕刻的破壞(damage)研究
3.4 通道攙雜場效應電晶體的製作
第四章 活性離子蝕刻技術在InGaAs/InAlAs異質結構場效應電晶體的應用
4.1 前言
4.2 InAlAs/InGaAs的蝕刻研究
4.3 InAlAs/InGaAs高速場效應電晶體的製作
4.4 結論
第五章 InAlGaAs四元化合物場效應電晶體的特性研究
5.1 前言
5.2 In(AlGa)As(0x1)四元化合物高速場效應電晶體
5.3 In(AlGa)As四元通高速場效應電晶體
5.4 InAlGaAs完全四元結構通道攙雜場效應電晶體
5.5 活性離子蝕刻技術在FQ-DCFET的應用
5.6 結論
第六章 總結
6.1 結論
6.2 未來研究發展方向
參考文獻
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