臺灣博碩士論文加值系統

摘要
本篇論文為研究含六氟戊酮亞胺基銅金屬錯合物的合成及性質探討與其在化學氣相沉積的應用。我們以K-10為催化劑合成出一系列六氟戊酮亞胺類化合物(1),(2),(3),(4)與氯化銅反應，可得到一系列具有高揮發性且在空氣下穩定的錯合物(7),(8),(9),(10)，而這些錯合物的物理性質，如TG/DTA，EPR，磁性(squid)等，皆詳述於論文中。而我們取合成出的錯合物(7),(8)以熱壁式化學氣相沉積的方法在矽晶片上來製備銅薄膜，亦可得到純度不錯的銅薄膜。

1.可利用K-10為催化劑來大量合成所需的ketoimine。
2.以ketoimine合成出的銅錯合物，具有高穩定性且高揮發性，應該可
以成為不錯的MOCVD的前驅物。
3.將所合成出的銅錯合物利用簡單的熱壁式化學氣相沉積系統，可製
備純度還不錯的銅薄膜。

參考資料
1. 莊達人 , VLSI製造技術 , 高立 , 1994.
2. John E. J. Schmiez , (Chemical Vapor Deposition of Tungten and Tungsten Silicides) (Noyes Publication , N. J. , U. S. A.)
3. 盧火鐵 , 電子資訊 , 第一卷 , 第五期(1995) 50.
4. Kikkawa et al , J. J. A. P. , partⅠ,32, (1993) 338.
5. 丁立文 , 電子月刊 , 第四期 , 11月號(1995) 101.
6. Singer , Semiconductor International , August , (1994) 57.
7. M. E. Groos and V. M. Donnelly , in Advanced Metallization for ULSI Application , V. V. S. Rona , R. V. Joshi and I. Ohdomari(eds.).Materials Research Society . Pittsburgh , PA , (1992) 355.
8. N. Awaya and Y.Arita , Digest of Technical Papers 1989, Section 12-4, 103.
9. J. A. T. Norman et al, J. de Phys.Ⅳ 1991, Coll. C2 , I, 271.
10. J. C. Chiou et al, J. Electron. Mater. , 23 (1994) 383.
11. J. C. Chiou et al, Int. Conference on Electronic Materials(IUMRS-ICEM''94).
12. J. C. Chiou and M. C. Chen, J. Electrochem. Soc. , 141(1994) 2048.
13. J. C. Chiou and M. C. Chen, Int. Electron Devices and Materials Symp. , (IE-DMS''94) 165.
14. J. C. Chiou and M. C. Chen, Int. VMIC Specially Conference on Dielectric for ULSI Multilevel Interconnection(DUMIC), 1995.
15. Y. N. Chang , ; G. L. Schrader in T. S. Cale and T. S. Pintchovski(eds.) , Advanced Metallization for ULSI Application , MRS , Pittsburgh , PA , 1993 , p.141.
16. D. H. Kim et al ; J. Electrochem. Soc. , 140 (1993) 3267.
17. A. E. Kaloyeros et al , Pro. MRS Symp. on Advanced Metallization in Microelectronics , San Francisco , April , 1990 , Vol. 181 , MRS Pittsburgh , PA , 1990 , p.74.
18. R. L.Van hemert et al , J. Electrochem. Soc. , 112 (1965) 1123.
19.
(a) Temple , D. ; Reisman , A. ; J. Electrochem. Soc. , 1989 , 136 , 3525.
(b) Kaloyeros , A. E. ; Feng , A. ; Garhart , J. ; Brooks , K. C. ;Hhosh , S. K. ; Saxena , A. N. ; Luehers , F. ; J. Electronic. Maters. 1990 , 19 , 271 .
(c) Lai , W. G. ; Xie , Y. ; Griffin , G. L. ; J. Electrochem. Soc. 1991 , 138 , 3499.
(d) Awaya , N. ; Arita , Y. in Advanced Metallization for ULSI Applications , Rana , V. V. S. ; Joshi , R. V. ; Ohdomari , I. (eds.) , Materials Research Society , Pittsburgh , PA , 1992 , 345.
(e) Pauleau , Y. ; Fasasi , A. Y. ; Chem. Mater. 1991 , 3 ,45.
(f) Fine , S. M. ; Dyer , P. N. ; Norman , J. A. T. ; Muratore , B. A. ; Iampietro , R. L. ; Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1990 , 204 , 415.
20.
(a) Shin , H. K. ; Chi , K. M. ; Hampden-Smith , M. J. ; Kodas , T. T. ; Paffet , M. F. ; Farr , J. D. ; Adv. Mater. 1991 , 3 , 677.
(b) Shin , H. K. ; Chi , K. M. ; Hampden-Smith , M. J. ; Kodas , T. T. ; Paffet , M. F. ; Farr , J. D. ; Chem. Mater. 1992 , 4 , 788.
(c) Reynolds , S. K. ; Smart , C. J. ; Baran , E. F. ; Baum , T. H. ; Larson , C. E. ; Brock , P. J. ; Appl. Phys. Lett. 1991 , 59 , 2332.
(d) Jain , A. ; Chi , K. M. ; Hampden-Smith , M. J. ; Kodas , T. T. ; Paffet , M. F. ; Farr , J. D. ; J. Mater. Res. 1992 , 7 , 261.
(e) Norman , J. A. T. ; Muratore , B. A. ; Dyer , P. N. ; Roberts , D. A. ; Hochberg , A. K. ; J. de Physique 1991 , Ⅳ(1) , C2-271.
(f) Jain , A. ; Chi , K. M. ; Hampden-Smith , M. J. ; Kodas , T. T. ; Paffet , M. F. ; Farr , J. D. ; J. Electrochem. Soc. 1993 , 140 , 1434.
(g) Chi , K. M. ; Hou , H.- C. ; Hung , P.- T. ; Peng , S.- M. ; Lee , G.- H. ; Organometallics 1995 , 14 , 2641.
(h) Jain , A. ; Chi , K. M. ; Hampden-Smith , M. J. ; Kodas , T. T. ; Paffet , M. F. ; Farr , J. D. ; Chem. Mater. 1991 , 3 , 995.
(i) Baum , T. H. ; Larson , C. E. ; Chem. Mater. 1992 , 4 , 365.
(j) Baum , T. H. ; Larson , C. E. ; J. Electrochem. Soc. 1993 , 140 , 154.
21.
(a) Rye , R. R. ; Chi , K. M. ; Hampden-Smith , M. J. ; Kodas , T. T. ; J. Electrochem. Soc. 1992 , 139 , L60.
(b) Rye , R. R. ; Knapp , J. A. ; Chi , K. M. ; Hampden-Smith , M. J. ; Kodas , T. T. ; J. Appl. Phys. 1993 , 72 , 5941.
(c) Perry , W. ; Chi , K. M. ; Hampden-Smith , M. J. ; Kodas , T. T. ; Rye , R. R. ; Appl. Surf. Sci. 1993 , 69 , 94.
22.
(a) Duppy , C. G. ; Beach , D. B. ; Hurst , Jr. , J. E. ; Jasinski , J. M. ; Chem. Mater. 1989 , 1 , 16.
(b) Beach , D. B. ; LeGoues , F. K. ; Hu , C. K. ; Chem. Mater. 1990 , 2 , 216.
(c) Hampden-Smith , M. J. ; Kodas , T. T. ; Paffet , M. F. ; Farr , J. D. ; Shin , H. K. ; Chem. Mater. 1990 , 2 , 636.
(d) Jeffries , P. M. ; Girolami , G. S. ; Chem. Mater. 1989 , 1 , 8.
23. Braibante, E. F.; Braibante, H. S.; Missio, L.; Andricopulo, A.; Synthesis,
1994, 898.
24. montmorillonite中文名稱稱為蒙利石，是一種黏土，膠質狀黏土（bentonite）及漂土（fullers earth）為之主要成分。其大概分子式為
R0.33＋(Al, Mg)2Si4O10(OH)2·nH2O，R＋包含一種或多種陽離子，如Na＋、
K＋、Mg＋、Ca＋…等。而K 10則是商標名。
25. Anjana Devi ; Goswami , J. ; Lakshmi , R. ; Shivashankar , S. A. ; J.
Mater. Res. , 1998 , vol. 13 , 3 , 687.
26. Geoffrey Wilkinson ; Robert D. Gillard ; Jon A. Mccleverty ;
Comprehensive Coordination Chemistry ; The Synthesis , Reaction ,
Properties and Application of Coordination Compounds , vol. 5 ,
chap 53 , p.662.
27. Naohide Matsumoto ; Takashi Kondo ; Masahito Kodera ; Bull. Chem.
Soc. Jpn. , 1989 , 62 , 4041.
28. Geoffrey Wilkinson ; Robert D. Gillard ; Jon A. Mccleverty ;
Comprehensive Coordination Chemistry ; The Synthesis , Reaction ,
Properties and Application of Coordination Compounds , vol. 5 ,
chap 53 , p.657.
29.
(a)Morosanu , C. E. , " Thin Films by Chemical Vapour Deposition " ,
Elsevier , 1990.
(b)Kodas , T. T. and Hampden-Smith M. J. " The Chemistry of Metal
CVD " , VCH , 1994.
(c)Schuegraf , K. K. " Handbook of Thin-Film Deposition Processes and
Techniques " , Noyes , 1988.
(d)Moss , S. J. and Ledwith , A. " The Chemistry of the Semiconductor
Industry " , Blackie and Son , 1987.
30. recorded in Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 260 , p.107.