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研究生:蔡怡杏
研究生(外文):Yi-Hsing Tsai
論文名稱:自聚性分子膜成膜動力學之臨界溫度研究
論文名稱(外文):A Kinetic Study of the Grafting Transition Temeprature in the Formation of Alkylsilane Self-Assembled Monolayers
指導教授:陳立仁陳立仁引用關係
指導教授(外文):Li-Jen Chen
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣大學
系所名稱:化學工程學研究所
學門:工程學門
學類:化學工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:1999
畢業學年度:87
語文別:中文
論文頁數:94
中文關鍵詞:自聚性分子膜臨界溫度雲母片
外文關鍵詞:self-assembled monolayertransition temperaturemica
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本研究主要在探討現有矽烷類自聚性單分子膜以矽晶片為基材的研究文獻中,所提及自聚性分子膜成膜機制中,臨界溫度存在的原因及成膜過程中反應條件對半成膜形態的影響與操控。關於各種反應條件下半成膜的觀測,是以原子力顯微儀對不同反應時間下的膜表面進行偵測取像,除了藉以了解吸附分子的吸附形態,也進行覆蓋率的計算。膜表面的表面性質則以各種長鏈烷對其表面的溼潤性質來作判定並求取膜表面具有之臨界表面張力。研究中相對於前人使用之矽晶片基材,改用以雲母片為基材,並調控溶劑相含水量為操控變因,發現自聚性分子膜成膜過程中的臨界溫度現象並不是單純的為矽烷分子的固有性質所致使,存在的原因應是一個成膜動力學主控的結果,而溶劑相含水量對最終成膜性質的好壞亦有決定性的影響。
The existence of a transition grafting temperature was first showed by Brzoska et al. (1992). They proposed there is an intrinsic relationship between molecular structure and deposition temperature in self-assembled n-alkylsiloxane monolayers. We have studied how the transition temperature exists in the silianization (the chemical grafting of organic molecules onto a substrate via a trichlorosilane group) of mica substrate compared to silicon wafer they used. All study includes, (1) observing stages in the formation of self assembled n-alkyltrichlorosilane monolayers on mica and silicon wafer by atomic force microscopy (AFM); (2) measurement of the contact angle and advancing contact angle to characterize the film prepared under different reaction condition. All the experimental results, taken together, show that the existence of a grafting transition temperature is a kinetic control result in a self-assembled monolayer fabrication.
第一章 緒論…………………………………………………………1
1.簡介……………………………………………………1
2.研究動機與目的………………………………………2
第二章 文獻回顧………………………………………4
1.影響膜反應因素………………………………………4
2.成膜機制之動力學研究………………………………10
第三章 實驗部份………………………………………15
1.實驗原理………………………………………………15
2.實驗設備………………………………………………22
3.實驗步驟………………………………………………28
第四章 結果與討論……………………………………37
1.溶劑相含水量低之分子膜成膜觀測實驗……………37
2.含水量多寡對自聚性分子膜最終成膜影響…………43
3.以雲母片為基材HTS成膜臨界溫度探討…………….46
第五章 結論與未來工作……………………………….48
參考文獻…………………………………………………50
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