|
A. Referred Papers: 1. T. Y. Lin, M. S. Tsai, Y. F. Chen, and F. F. Fang, '''' Magnetic-field-induced anomalous phase transition in p-type Si/SiGe heterojuctions '''', J. Phys.: Condens. Matter 10, 9691(1998). 2. T. Y. Lin, H. M. Chen, M. S. Tsai, Y. F. Chen, F. F. Fang, C. F. Lin, and G. C. Chi, " Two-dimensional electron gas and persistent photoconductivity in AlxGa1-xN/GaN heterostructures ", Phys. Rev. B 58, 13793(1998). 3. T. Y. Lin, J. C. Fan, and Y. F. Chen, '''' Effects of alloy potential fluctuations in InGaN epitaxial films'''', Semicond. Sci. Technol. 14, 406(1999) 4. H. Y. Wang, S. C. Huang, T. Y. Yan, J. R. Gong, T. Y. Lin, and Y. F. Chen, ''''Growth and characterization of GaN films on (0001) sapphire substrates by alternate supply of trimethylgallium and NH3 ", Mater. Sci. Eng. B 57, 218(1999) 5. T. Y. Lin, and Y. F. Chen, " Optical quenching of the photoconductivity in n-type GaN", submitted to J. Appl. Phys. 6. T. Y. Lin, and Y. F. Chen, " Optical characteristics and persistent photoconductivity of undoped InGaN/GaN multiquantum wells ", submitted to Appl. Phys. Lett. 7. W. K. Hung, M. Y. Chern, J. C. Fan, T. Y. Lin, and Y. F. Chen, " Pulsed laser deposition of GaNAs on GaAs", Appl. Phys. Lett., accepted for publication. 8. H. C. Yang, T. Y. Lin, and Y. F. Chen, " Nature of 2.8 eV photoluminescence band in Si doped GaN " submitted to Appl. Phys. Lett. 9. H. C. Yang, T. Y. Lin, M. Y. Huang, and Y. F. Chen, " Optical properties of Si-doped GaN films ", submitted to J. Appl. Phys. B. Presentation at professional conference: 1. M. S. Tsai, T. Y. Lin, C. F. Huang, Y. F. Chen, C. F. Lin, G. C. Chi, and F. F. Fang, ''''The transport property of 2DEG in GaN/AlGaN heterostructures'''' Photonics, Hsin-Chu, TAIWAN, 1996. 2. T. Y. Lin, M. S. Tsai, Y. F. Chen, and F. F. Fang, ''''Magnetic field induced metal-insulator-metal transition in p-type Si/SiGe heterojuctions'''', Annual meeting of Chinese Physical Society, 1997. 3. M. S. Tsai, T. Y. Lin, Y. F. Chen, and F. F. Fang, ''''The transport property of 2DEG in GaN/AlGaN heterostructures'''' Annual meeting of Chinese Physical Society, 1997. 4. T. Y. Lin, M. S .Tsai, Y. F. Chen and F. F. Fang, ''''Magnetic field induced anomalous phase transition in p-type Si/SiGe heterostructures'''', The Second Joint Meeting of the World-Wide Chinese Physicists, Taipei, TAIWAN, 1997 5. H. Y. Wang, S. C. Huang, J. R. Gong, T. Y. Lin, Y. F. Chen, C. I. Chiang and S. L. Tu, ''''Growth of GaN films on (0001) sapphire substrates by atomic layer epitaxy using hydrogen carrier gas'''', Electronic devices and materials symposium, Chun-Li, TAIWAN, 1997. 6. T. Y. Lin, J. C. Fan and Y. F. Chen, '''' Alloy potential fluctuationins in InGaN'''' Annual meeting of Chinese Physical Society, 1998. 7. J. S. Wang, H. H. Lin, T. Y. Lin, Y. F. Chen, W. K. Hung and M. Y. Chern" Epitaxial growth of the GaN film on (0001) sapphire by RF atomic nitrogen plasma assisted gas source molecular beam epitaxy", 1998 International Electron Devices and Material Symposia, 20-23 , TAIWAN, 1998 8. S. L. Hsieh, M. F. Yeh, J. R. Gong, T. Y. Lin, Y. F. Chen, C. I. Chiang, C. H. Lin, and H. Chang, " Growth of AlGaN films on (0001) sapphire substrates by atomic layer epitaxy ", 1998 International Electron Devices and Material Symposia, 20-23 , TAIWAN, 1998 9. J. R. Gong, H. Y. Wang, S. C. Huang, T. Y. Yan, T. Y. Lin, Y. F. Chen, C. I. Chiang, C. H. Lin, S. L. Tu, and H. Chang, " Growth and characterization of GaN films on (0001) and (11 0) sapphire substrates, 1998 International Symposium on Surface and Thin Film Science, Hhin-Chu, TAIWAN, 1998 10. T. Y. Lin and Y. F. Chen, " Optical quenching of the photoconductivity in n-type GaN", Annual meeting of Chinese Physical Society, 1999 11. T. Y. Lin and Y. F. Chen, " Optical quenching of the photoconductivity in n-type GaN", 1999 Centennial Meeting of the American Physical Society, Atlanta, USA, 1999. References for chapter 1 1. J. I. Pankove, E. A. Miller, J. E. Berkeyheiser, RCA Rev. 32, 383(1971) 2. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda. Appl. Phys. Lett. 48, 353(1986) 3. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705(1991) 4. I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 98, 209(1989) 5. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Seonoh, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258(1992) 6. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1998(1991); S. Nakamura, M. Seonoh, N. Iwasa, S. Nagahama, ibid. 34, L797(1995) 7. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D.A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249(1995) 8. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237(1992) 9. J. W. Orton and C. T. Foxon, Rep. Prog. Phys. 61, 1(1998) 10. H. M. Chen, Master thesis: The Studies of Optical and Electrical Properties of GaN-Based Semiconductors, NTU, 1997. 11. T. Y. Lin, J. C. Fan and Y. F. Chen, Semicond. Sci. Technol. 14, 406(1999) 12. T. Y. Lin, H. M. Chen, M. S. Tsai, Y. F. Chen, F. F. Fang, C. F. Lin, and G. C. Chi, Phys. Rev. B 58, 13793(1998) 13. S. S. Iyer, G. L. Patton, J. M. C. Stork, B. S. Meyerson, and D. L. Harame, IEEE Trans. Electron. Devices, ED-36, 2043(1989) 14. J. Baslev, Phys. Rev. 143, 636(1966) 15. K. von. Klitzing, G. Dorda, and M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 45, 494(1980) 16. F. F. Fang, P. J. Wang, B. S. Meyerson, J. J. Nocera and K. E.Ismail, Surf. Sci, 263, 175 (1992); F. F. Fang, R. B. Dunford, R.N. Newbury, R. P. Skougarevsky, R. G. Clark, J. O. Chu and B. S. Meyerson, in High magnetic Fields in the Physics of Semiconductors, ed. D.Himan ( Singapore: World Scientific 1995) p.620; 17. S. I. Dorozhkin, C. J. Emeleus, T. E. Whall, and G. Landwehr, Phys.Rev. B, 52, R11638 (1995) 18. P. T. Coleridge, A. S. Sachrajda, P. Zawadzki, R. L. Williams, and H.Lafontaine, Solid State Commun. 10, 755 (1997) 19. T.Y. Lin, M.S. Tsai, Y. F. Chen, and F. F. Fang, J. Phys.: Condens. Matter 10, 9691(1998) References for chapter 2 1. S. N. Mohammad, A. A. Salvador, and H. Morkoc, Proceedings of IEEE 83, 1305(1995) 2. F. A. Ponce and D. P. Bour, Nature 386, 351(1997) 3. J. W. Orton and C. T. Foxon, Rep. Prog. Phys. 61, 1(1998) 4. T. Ogino and M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2395(1980) 5. E. R. Glaser, T. A. Kennedy, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill, J. A. Freitas, Jr. M. Asif. Khan, D. T. Olson, J. N. Kuznia, and D. K. Wickenden, Phys. Rev. B 51, 13326(1995) 6. T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, M. Leszczynski, I. Grzegory, J. Jun, M. Bockowski, S. Porowski, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 67, 2188(1995) 7. E. Calleja, F. J. Sanchez, D. Basak, M. A. Sanchez-Garcia, E. Munoz, I. Izpura, F. Calle, J. M. G. Tijero, J. L. Sanchez-Rojas, B. Beaumont, P. Lorenzini, and P. Gibart, Phys. Rev. B 55, 4689(1997) 8. C. Johnson, J. Y. Lin, H. X. Jiang, Jr. M. Asif. Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 1808(1996) 9. W. Rieger, R. Dimitrov, D. Brunner, E. Rohrer, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Rev. B 54, 17596(1996) 10. C. H. Qiu and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 70, 1983(1997) 11. H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, J. Appl. Phys. 82, 899(1997) 12. C. V. Reddy, K. Balakrishnan, H. Okumura, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 73, 244(1998) 13. X. Zhang, P. Kung, A. Saxler, D. Walker, T. Wang, and M. Rageghi, Acta Phys. Pol. A 88, 601(1995) 14. G. C. Yi and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 69, 3028(1996) 15. D. M. Hofmann, D. Kovalev, G. Steude, B. K. Meyer, A Holfmann, L. Fckey, R. Heitz, T. Detchprom, H. Amano, and, I. Akasaki, Phys. Rev. B 52, 16702(1995) 16. H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, Phys. Rev. B 56, 6942(1997) 17. B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. Denbaars and J. S. Speck, Appl, Phys. Lett. 68, 643(1996) 18. F. A. Ponce, D. Cherms, W. T. young and J. W. Steeds, Appl, Phys. Lett. 69, 770(1996) 19. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M. A. Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl, Phys. Lett. 71, 2334(1997) 20. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1059(1997) 21. D. C. Look and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 1237(1999) 22. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568(1997) 23. C. G. Van de Walle and J. Neugebauer, Mat. Res. Soc. Symop. Proc. 449, 861(1997) 24. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 50, 8067(1994) 25. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Proc. ICPS-22( World Scientific, Singapore, 1995).p.2327 26. B. C. Chung and M. gershenzon, J Appl. Phys. 72, 651(1992) 27. W. Gotz, N. M. Johnson, C, Chen, H. Liu, C. Kuo, and W. imler, Appl Phys. Lett. 68, 3114(1996) 28. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258(1992) 29. U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic and P. Scholotter, Appl. Phys. Lett. 72, 1326(1998) 30. U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, and B. Santic, Phys. Rev. B 59 5561(1999) 31. S. J. Xu, G. Li, S. J. Chua, X. C. Wang and W. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 2451(1998) 32. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503(1996) 33. T. Mattila, A. P. Seitsonen, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 54, 1474(1996) 34. H. C. Yang, T. Y. Lin and Y. F. Chen, Submitted for publication (1999). 35. See, for example, reference 24 of this chaper. 36. P. Boguslawski and J. Bernholc, Acta Phys. Pol. A 90, 735(1996) 37. J. D. Guo, M. S. Feng, and F. M. Pan, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 5510(1995) 38. C. H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M. W. Leksono, and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 66, 2712(1995) 39. F. Binet, J. Y. Duboz, E. Rosencher, F. Scholz, and V. Harle, Appl. Phys. Lett. 69, 1202(1996) 40. D. C. Look, Z. Q. Fang, W. Kim. O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 3775(1996) 41. G. D. Watkins, Mat. Sci. Forum 38-41, 39(1989) 42. M. Mizuta, M. Tachikawa, H. Kukimoto, and S. Minomura, Jpn. J. Appl. Phys. 24, L143(1985) 43. R. H. Bube, Photoelectronic Properties of Semiconductors ( Cambridge Univ. Press, 1992), Chap. 5. 44. D. J. Chadi and K. J. Chang, Ph References for chapter 3 1. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 499, 653 (1997). 2. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Shiz. Fujita, Shig. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997). 3. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2837 (1996). 4. C. I. Harris, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 67, 840 (1995). 5. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl, Phys. Lett. 69, 4188 (1996) 6. Y. Narukawa, Y. Kawakami, Shiz. Fujita, Shig. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B , 55, R1938 (1997). 7. J. Singh and K. K. Bajaj, Appl. Phys. Lett. 48, 1077(1986) 8. P. Parayanthal and F. H. Pollak, Phys. Rev. Lett. 52, 1822(1984) 9. S. Lai and M. V. Klein, Phys. Rev. Lett. 44, 1087(1980) 10. K. Masu, E. Tokumitsu, M. Konagai, and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 5785(1983) 11. L. H. Chu, Y. F. Chen, D. C. Chang, and C. Y. Chang, J. Phys.: Condens. Matter. 7, 4525 (1995). 12. H. X. jiang and J. Y. Lin, Phys. Rev. Lett. 64, 2547(1990) 13. S. de Gironcoli and S. Baroni, Phys. Rev. Lett. 69, 1959(1992) 14. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode, Springer-Verlag, 1997, p.143 15. K. Osamura, S. Naka and Y. Murakami, J. Appl. Phys. 46, 3432(1975) 16. T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L177(1997) 17. M. E. Lin, B. N. Sverdlov, S. Strite, H. Morkoc and A.E. Drakin, Electron. Lett. 29, 1759(1993) 18. S. N. Mohammand, A. A. Salvador and H. Morkoc, Proc. IEEE 83, 1306(1995) 19. Y. Chen, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, N. Yamada, Y. Kaneko, and S. Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 710(1998) 20. X. H. Wu, C. R. Blass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. Denbaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Aphys. Lett. 72, 692(1998) 21. J. E. Northrup, L. T. Romano, and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 74, 2319(1999) 22. I. H. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701(1996) 23. M. K. Sheinkman and A. Ya. Shik, Sov. Phys. Semicond. 10, 128(1976) 24. J. Y. Lin and H. X. Jiang, Phys. Rev. B 40,10025(1989) 25. H. J. Stormer, R. Dingle, A. C. Gossard, W. W. Wiegmann and M. D. Sturge, Solid state Commun. 29,705(1974) 26. D. E. Theodorou, H. J. Queisser and E. Bauser, Appl. Phys. Lett. 41, 628(1982)) 27. M. I. Nathan, Solid State Electron. 29,167(1986) 28. G. Yusa and H. Sasaki, Apll. Phys. Lett. 70, 345(1997) 29. H. J. Queisser and D. E. Theodorou, Phys. Rev. B, 32, 4027(1986) 30. H. J. Queisser, Phys. Rev. Lett. 54, 234(1985) 31. D. V. Lang and R. A. Logan, Phys. Rev. Lett. 39, 635(1977) 32. D. V. Lang, R. A. Logan and M. Jaros, Phys. Rev. B 19, 1015(1979) 33. R. Kubo, J. Phys. Soc. Jpn. 12, 570(1957) 34. R. Kohlrausch, Ann. Phys. (Leipzig) 12, 393(1847) 35. J. C. Phillip, Rep. Prog. Phys. 59, 1133(1996) 36. G. Williams and D. C. Watts, trans. Farady. Soc. 66, 80(1970) 37. W. Van der Stricht, I. Moerman, P. Demeester, L. Considine, E. J. Thrush, and J. A. Crawley, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 16 (1997). 38. R. A. Street, T. M. Searle, and I. G. Augustein, Amorphous and Liquid Semiconductors, p.953, J. Stuke and W. Brenig, Eds., Taylor and Francis, London, U.K.,1974. 39. T. Yamamoto, M. Kasu, S. Noda, and A. Sasaki, J. Appl. Phys, 68, 5318 (1990). 40. C. G. Van de Walle, and R. M. Martin, Phys. Rev. B, 34, 5621 (1986). 41. S. M. Olshoorn, F. A. J. M. Driessen, A. P. A. M. Eijkelenboom, and L. J. Giling, J. Appl. Phys. 73, 7798 (1993). 42. Y. P. Varshni, Physica 34, 149 (1967) 43. W. Shan, B. D. Little, J. J. Song, Z. C. Feng, M. Schurman, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 3315(1996) 44. P. M. Mooney, J. Appl. Phys. 67, R1 (1990). 45. H. X. Jiang, and J. Y. Lin, Phys. Rev. Lett. 57, 873 (1990). 46. J. Kakalios, R. A. Street, and W. B. Jackson, Phys. Rev. Lett. 59, 1037 (1987). 47. Y. F. Chen, S. F. Huang, and W.S. Chen, Phys. Rev. B 44, 12748 (1991). 48. M. Campos, J. A. Giacometti, and M. Silver, Appl. Phys. Lett. 34, 226 (1979). 49. W. B. Jackson, Phys. Rev. B 38, 3595 (1988). 50. R. S. Crandall, Phys. Rev. B 43, 4057 (1991) References for chapter 4 1. S. N. Mohammad, A. A. Salvador and H. Morkoc, Proceedings of IEEE, 83, 1306(1995) 2. " GaN and Related Materials ", S. J. Pearton ed., Gordon and Breach Science Publishers, (1997) 3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211(1998), ibid 72, 2014(1998) 4. For a review, see S. Chichibu, T. Soda, K. Wada and S. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2204(1998) 5. S. Nakamura, Science, 281, 956(1998) 6. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amono. and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 36, Pt.2, L382(1997) 7. T. Mukai, M. yamada and S. Nakamura, Jpn J. Appl. Phys. 37, Pt.2, L1358(1998) 8. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, Pt.2, L1332(1995) 9. T. Mukai, D. Morita and S. Makamura, J. Cryst. Growth. 189/190, 778(1998) 10. M. S. Minsky, S. B. Fleischer, A. C. Abare, J. E. Bowers, E. L. Hu, S. Keller and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 72, 1066(1998) 11. T. Y. Lin, J. C. Fan and Y. F. Chen, Semicond. Sci. Technol. 14, 406(1999) 12. J. F. Nye, Physical Properties of crystals, Oxford Univ. Press, 1957, p.110 13. F. Bernardini, V. Fiorentini and D. Vanderbilt, Phys. Rev. Lett. 79, 3958(1997); ibid. Phys. Rev. B 56, R10024(1997)) 14. T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amono. and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 36, Pt.2, L177(1997) 15. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1691(1998) 16. S. Chichibu, A. Abare, M. Minsky, S. Keller, S. Heischer, J. Bowers, E. Hu, V. Mishra, L. Coldren and S. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 2006(1998) 17. J. H. Davies, The Physics of Low-Dimensional Semiconductors, Cambridge univ. press, 1998, p259 18. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Weigmann, T. H. Wood and C. A. Burrus, Phys. Rev. B, 32, 1043(1985) 19. L. H. Chu, Y. F. Chen, D. C. Chang and C. Y. Chang, J. Phys.: Condens. Matter, 7, 4525(1995) References for chapter 5 1. W. Knap, S. Contreras H. Alause, C. Skierbiszewski, J. Camassel, M. Dyakonov. J. L. Robert, J. Yang, Q. Chen, M. Asif Khan, M. L. Sadowski, S. Huant, F. H. Yang, M. Goiran, J, Leotin, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 70, 2123(1997) 2. Y. J. Wang, R. Kaplan, H. K. Ng, K. Doverspike, D. K. Gaskill, T. Ikedo, I. Akasaki, and H. Amono, J. Appl. Phys. 79, 8007(1996) 3. H. M. Chen, Y. F. Chen M. C. Lee, and M. S. Feng, Phys. Rev. B 56, 6942(1997) 4. C. H. Qiu, and J. I. Pankove, Appl. Phys, Lett. 70, 1983(1997) 5. F. F. Fang and P. J. Stiles, Phys. Rev. 174, 823(1968) 6. E.N. Adams and T. D. Holstein, J. Phys. Chem. Solids, 10, 254(1956) 7. V. Milanovie and D. Tjapkin, Physica B 114, 375(1982); ibid. 121,181(1983) 8. Z. S. Gribnikov, K. Hess, and G. A. Kosinovsky, J. Appl. Phys. 77, 1337(1995) 9. G. Bastard, Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures( Halsted, New York, 1988) 10. E. O. Kane, J. Phys. Chem. Solids, 1, 249(1957) 11. D. K. Ferry, Semiconductors( Macmillan Publishing Company, New York, 1991), p.457 12. T. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 51, 3893(1982) 13. U. Ekenberg, Phys. Rev. B, 40, 7714(1989) 14. J. Sumakeris, Z. Sitar, K. S. Ailey-Trent, K. L. More, and R. F.Davis, Thin Solid Films 225, 244(1993) 15. B. S. Meyerson, F. J. Himpsed, and K. J. Uram, Appl. Phys. Lett. 57, 1034(1990) 16. C. F. Lin, G. C. Chi, M. S. Feng, J. D. Guo, J. S. Tsang, and H. H.Hong, Appl. Phys. Lett. 68, 3758(1996) 17. M. A. Khan, Q. Chen, C. J. Sun, M. S. Shur, and B. Gelmont, Appl.Phys. Lett. 67, 1429(1995) 18. J. M. Redwing, M. A. Tischler, J. S. Flynn, S. Elhamri, M. Ahoujja,R. S. Newrock, and W. C. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 69, 963(1996) 19. H. L. Stormer, A. C. Gossard, W. Wiegmann, and K. Baldwin, Appl.Phys. Lett. 39, 912(1981) 20. H. M. Chen, Master Thesis, National Taiwan University, Taipei, Taiwan(1997) 21. C. F. Lin, H. C. Cheng, J. A. Huang, M. S. Feng, J. D. Guo, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett. 70, 2583(1996) 22. A.E. Stephens, R. E. Miler, J. R. Sybert, and D. G. Seiler, Phys. Rev. B 18, 4394(1978) 23. T. Yang, S. Nakajima, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 5912(1995) 24. M. Suzuki, T. Uenoyama, and A. Yanase, Phys. Rev. B 52, 8132(1995) 25. J. P. Bergman, T. Lundstrom, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 3456(1996) 26. J. Baur, K. Meier, M. Kunzer, U. Kaufmann, and J. Schneider, Appl. Phys. Lett. 65, 2211(1994) 27. W. Knap, H. Alause, J. M. Bluet, J. Camassel, J. Young, M. Asif Khan, Q. Chen, S. Huant, and M. Shur, Solid State Commun. 99, 195(1996) 28. M. J. Yang, P. J. Lin-Chung, B. V. Shanabrook, J. R. Waterman, R. J. Wagner, and W. J. Moore, Phys. Rev. B 47, 1691(1993) 29. C. Wetzel, Al. L. Efros, A. Moll, B. K. Meyer, P. Omling, and P. Sobkowicz, Phys. Rev. B 45, 14052(1992) 30. Y. T. Dai, Y. F. Chen and I. Lo, Phys, Rev. B 55, 5235(1997) 31. L. H. Chu, Y. F. Chen, D. C. Chang, and C. Y. Chang, J. Phys.: Condens. Matter. 7, 4525 (1995). 32. H. M. Chen, Y. F. Chen, M. C. Lee, and M. S. Feng, J. Appl. Phys. 82, 899(1997) 33. D. V. Lang, and R. A. Logan, Phys. Rev. Lett. 39, 635 (1977). 34. P. M. Mooney, J. Appl. Phys. 67, R1 (1990). 35. H. X. Jiang, and J. Y. Lin, Phys. Rev. Lett. 57, 873 (1990). 36. J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, A. Votchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 69, 1474(1996) References for chapter 6 1. R. People, J. C. Beam, D. V. Lang, A. M. Sergent, H. L. Stormer, K.W. Wecht, R. T. Lynch, and K. Baldwin, Appl. Phys. Lett. 45, 1231(1984) 2. B. S. Meyerson, F. K. LeGoues, T. N. Nguyen, and D. L. Harame, Appl.Phys. Lett. 50, 113 (1987); B. S. Meyerson, K. J. Uram, and F. K.LeGoues, Appl. Phys. Lett. 53, 2555 (1988) 3. F. F. Fang, P. J. Wang, B. S. Meyerson, J. J. Nocera and K. E.Ismail, Surf. Sci, 263, 175 (1992); F. F. Fang, R. B. Dunford, R.N. Newbury, R. P. Skougarevsky, R. G. Clark, J. O. Chu and B. S. Meyerson, in High magnetic Fields in the Physics of Semiconductors, ed. D.Himan ( Singapore: World Scientific 1995) p.620; 4. R. B. Dunford, R. N. Newbury, V. A. Stadnik, F. F. Fang, R. G. Clark,R. H. Mckenzie, R. P. Starrett, E. E. Mitchell, P. J. Wang, J. O. Chu, K. E.Ismail and B. S. Meyerson, Surf. Sci, 361/362, 550 (1996); R. B. Dunford, E. E. Mitchell, R. G. Clark, V. A. Stadnik, F. F. Fang, R. N.Newbury, R. H. Mckenzie, R. P. Starrett, P. J. Wang and B. S. Meyerson, J. Phys. Condens. Matter, 9, 1565 ( 1997) 5. S. I. Dorozhkin, C. J. Emeleus, T. E. Whall, and G. Landwehr, Phys. Rev. B, 52, R11638 (1995) 6. P. T. Coleridge, A. S. Sachrajda, P. Zawadzki, R. L. Williams, and H.Lafontaine, Solid State Commun. 10, 755 (1997) 7. K. von Klitzing, G. Dorda, and M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 45, 494(1980) 8. D. C. Tsui and A. C. Gossard, Appl. Phys. Lett. 38, 552(1981) 9. For a review, see R. E. Prange and S. M. Girvin, eds. (1990). The Quantum Hall Effect, 2d ed. Springer-Verlag, New York 10. R. B. Laughlin, Phys. Rev. B 23,5632(1981) 11. H. Aoki and T. Ando, Solid State Commun. 38, 1079(1981) 12. M. A. Paalanen, D.C. Tsui, and A. C. Gossard, Phys. Rev. B, 25,5566(1982) 13. H. P. Wei, D. C. Tsui and A. M. M. Pruisken, Phys. Rev. Lett. 61, 1294 (1988) 14. H. W. Jiang, C. E. Johnson, K. L.Wang and S. T. Hannahs, Phys. Rev.Lett. 71, 1439 (1993) 15. T. Wang, K. P. Clark, G. F. Spencer, A. M. Mack and W. P. Kirk, Phys. Rev. Lett. 72, 709 (1994) 16. R. J. F. Hughes, J. T. Nichools, J. E. F. Frost, E. H. Linfield, M. Pepper, C. J. B. Ford, D. A. Ritchie, G. A. C.Jones, E. Kogan and M. Kaveh.J. Phys. Condens. Matter 6, 4763 (1994) 17. D. Shahar, D. C. Tsui and J. E. Cunninghan, Phys. Rev. B 52, R14372 (1995) 18. S. H. Song, D. Shahar, D. C. Tsui, Y. H. Xie and Don Monroe, Phys.Rev. Lett. 78, 2200 (1997) 19. D. E. Khmelnitskii, Phys. Lett. 106A,182(1984) 20. A. M. M. Pruisken, Phys. Rev. Lett. 61,1297(1988) 21. S. Kivelson, D. H. Lee and S. C. Zhang, Phys. Rev. B 46,2223 (1992) 22. E. Abrahams, P. W. Anderson, D. C. Licciardello and T. V. Ramakishnan, Phys. Rev. Lett. 42, 673(1979) 23. B. Huckestein, Rev. Mod. Phys. 67, 357(1995) 24. S. L. Sondhi, S. M. Girvin, J.P. Carini and D. Shahar, Rev. Mod. Phys. 69, 315(1997) 25. G. C. Osbourn, J. Appl. Phys. 53, 1586(1982) 26. R. Braunstein, A. R. Moore and F. Herman, Phys. Rev. 109, 695(1958) 27. R. People, IEEE of Quantum Electronics, QE-22, 1696(1986) 28. E. Glaser, J. M. Trombeha, T. A. Kennedy, S. M. Prokes and O. J. Glembocki, Phys. Rev. Lett. 10, 1247(1990) 29. T. E. Whall, N. L. Mattey, A. D. Plews, P. J. Phillips, O. A.Mironov, R. J. Nicholas, and M. J. Kearney, Appl. Phys. Lett. 64, 357 (1994) 30. I.Glozman, C. E. Johnson, H. W. Jiang, Phys. Rev. Lett. 74, 594 (1995) 31. D. H. Lee, Z. Wang and S. Kivelson, Phys. Rev. Lett. 70,4130 (1993) 32. P. L. McEuen, A. Szafer, C. A. Richter, B. W. Alphenaar, J. K. Jain, A. D. Stone and R. G. Wheeler, Phys. Rev. Lett. 64, 2062 (1990)
|