|
[1] S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B10, 1237 (1992). [2] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998). [3] J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, M. Banas, L. Zhang, Y. K. Song, H. Zhou, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 73, 1688 (1998). [4] R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. Asif Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997). [1] J. I. Pankove,“Gallium Nitride(GaN)I ”(Academic Press, San Diego,1998). [6] The Blue Laser Diode, edited by Nakamura, (1997). [7] S. Yoshida and S. Gonda, Appl. Phy. Lett. 42, 427 (1983). [8] H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L205 (1990). [9] H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989). [10] S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991). [11] S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L139 (1992). [12] S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994). [13] S. Nakamura, M. Senoh,. N. Iwasa, S. Nagahama, Appl. Phys. Lett. 67, 1868 (1995). [14] S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 1417 (1995). [15] S. Nakamura, MRS BULLETIN, 37 (1998). [16] A. Usui, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 233 (1998). [17] T. S. Zheleva, O. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997). [18] T. S. Zheleva, O. Nam, J. D. Griffin, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Mat. Res. Soc. Symp. 482, 393 (1998). [19] O. Nam, M. D. Bremser, B. Ward, R. Nemanich, and R. F. Davis, MRS Fall Meeting, Boston, November (1996). [20] O. Nam, M. D. Bremser, B. Ward, R. Nemanich, and R. F. Davis, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L532 (1997). [21] O. Nam, T. S. Zheleva, M. D. Bremser, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 27, 233 (1998). [22] O. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, A Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997). [23] A. Sakai, H. Sunakawa, and A, Usui, A Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998). [24] Atomic Layer Epitaxy, edited by T. Suntola and M. Simposn, (1990). [25] J. Wang, Z. Zhu, K. T. Park, K. Hiraga, and T. Yao, J. Electron. Mater. 26, 232 (1997). [26] Electronic Thin Film Science For Electronic Engineers and Materials Scientists, edited by K. N. Tu, J. W. Mayer, and L. C. Feldman, (1992). [27] D. Hull, Introduction to Dislocations, 2nd Edition. Pergamon Press, Oxford (1975). [28] J. W. Matthews, Epitaxial Growth, Academic, New York (1975). [29] H. F. Matare`, Defect Electronics in Semiconductors, Wiley-Interscience, New York (1971). [30] GaN and Related Materials, edited by S. J. Pearton, (1997). [31] J. Park, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 73, 133 (1998). [32] R. D. Dupuis, J. Park, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, and Z. Liliental-Weber, J. Cryst. Growth 195, 340(1998). [33] H. Marchand, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Cryst. Growth 195, 328 (1998). [34] K. Hiramatsu, K. Nishiyama, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika, and T. Maeda, Phys. Stat. Sol. (a) 176, 535 (1999). [35] A. Kimura, C. Sasaoka, A. Sakai, and A. Usui, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 119 (1998). [36] Zhonghai Yu, M. A. L. Johnson, J. D. Brown, N. A. El-Masry, J. W. Cook Jr., and J. F. Schetzina, J. Cryst. Growth 195, 333 (1998). [37] K. Hiramatsu, H. Matsushima, T. Shibata, N. Sawaki, K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, Y. Honda, and T. Matsue, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 257 (1998). [38] Physical Metallurgy Principles, edited by Robert E. Reed-Hill, and Reza Abbaschian (1992). [39] H. Matsushima, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 189/190, 78 (1998). [40] H. Y. Wang, S. C. Huang, T. Y. Yan, J. R. Gong, T. Y. Lin, and Y. F. Chen, Mater. Sci. Eng. B 56, 263 (1999). [41] K. Kobayashi, A. Atsushi Yamaguchi, Shigeru Kimura, Haruo Sunakawa, Akitaka Kimura, and Akira Usui, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L611 (1999). [42] Y. Kawaguchi, S. Nambu, M. Yamaguchi, N. Sawaki, H. Miyake, K. Hiramatsu, K. Tsukamoto, N. Kuwano, and K. Oki, Phys. Stat. Sol. (a) 176, 561 (1999). [43] Y. Kawaguchi, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki, and K. Hiramatsu, Phys. Stat. Sol. (a) 176, 553 (1999). [44] Y. Honda, Y. Iyechika, T. Maeda, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Sone and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L1299 (1999). [45] J. Neugebaure and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996). [46] R. D. Dupuis, J. Park, P.A. Grudowski, C.J. Eiting, Z. Liliental-Weber, J. Crystal Growth 195, 340 (1998). [47] A. Sakai et al. Apl Phys. Lett., 71, 2259 (1997). [48] A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 73, 481 (1998). [49] W. Grieshaber, E. F. Schubert, I. D. Goepfert, R. F. Karlicek, Jr., M. J. Schurman, and C. Tran, J. Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996). [50] H. Amano, K. Hiramatu, and Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L1384, (1988).
|