臺灣博碩士論文加值系統

本研究首先尋找出基板的最佳的洗滌方式，接著固定蒸發速率對不同的基板溫度之情況下作蒸鍍的研究，蒸鍍好的薄膜初步可由顯微鏡來觀察其表面的情況來作為判斷薄膜品質的好壞，最後再加上X-Ray繞射及光激發放射來作最終判斷，由此得到最佳之基板溫度。
接著做固定基板溫度而以不同生長溫度來生長薄膜，同樣將薄膜由顯微鏡觀察、X-Ray繞射光譜及光激發發光來作最佳生長溫度之判斷。接著對薄膜作熱退火(Annealing)處理的研究，本研究首先對薄膜作固定3分鐘而於各種溫度下之熱退火處理，將退火後之樣品由光激發放射之強度來作其效果之判斷然後找出最佳之熱退火溫度。
接著再固定溫度而對樣品作不同長短時間的熱退火處理，處理後之樣品同樣由光激發放射來作其效果之判斷，然後找出最佳之熱退火時間。經由熱退火處理之研究後，再於磊晶過程中加入熱退火步驟，經由以上步驟後再由求得的最佳條件來設計與製作各種奈米結構之樣品。所製作出來的多層膜樣品由X-Ray繞射光譜及PL發光光譜顯示出此為系統的最佳條件，及系統處於非常穩定的狀態。

In this paper , we study the best growth condition of Zn1-xCdxSe/ZnCd multi-quantum well by the Hot-Wall Epitaxial system. First we study the optimal washing condition for the substrate , the grow the ZnSe films by fix the growth temperature , at different substrate temperature , Use the microscopy , X-Ray diffraction , and Photoluminescence(PL) to analyse the quality of films , we obtain the best substrate temperature.
Next by fix the substrate temperature , we grow the film and change the growth temperature , then analyse the quality of films , we obtain the best growth temperature.
To study the influence of annealing on the film , first we fix the annealing time at 3 min on different annealing temperature , and use PL to determine the best annealing temperature . Then we fix annealing temperature on different annealing time to the sample , and use PL to get the best annealing time .
After the study of annealing , we add a step of annealing in epitaxial processes . We use these growth condition to growth Zn1-xCdxSe/ZnCd multi-quantum well , and use X-Ray diffraction , PL to analyse the quality of sample , use these condition , we can make the better quantum well sample .

目 錄
第一章 序論
1-1 簡介 …………………………………………………..1
第二章 量子結構
2-1 量子井結構 …………………………………………….6
2-2超晶格結構 …………………………………………….11
2-3磊晶成長…………………………………………………13
第三章 實驗裝置
3-1 熱壁式磊晶生長系統 ……….………………………….23
3-2 X-Ray繞射裝置 …………………………………………27
3-3 光譜量測 .………………………………………..…….28
第四章 硒鎘鋅(Zn1-xCdxSe)/硒化鋅(ZnSe)多層量子井的製作
4-1 前置工作 ……………………………….……………….30
4-2 影響磊晶品質的因素 …………………………………..33
第五章 結果與分析
5-1 基板洗滌 ………………………………………………..36
5-2 控制生長溫度與基板溫度 ……………………………..41
5-3 退火 …………………………………………….……...44
5-4 實驗結果 …………………………………………………68
第六章 結論………………………………………………..……74

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