臺灣博碩士論文加值系統

本文主要是針對氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井（InGaN/GaN multiple quantum wells）作光學特性的研究。為了瞭解材料的光學特性，我們以偏極化的光激螢光並且加上溫度的調變做探討。而本篇論文可略分為兩個部分。
其一，首先對塊材氮化鎵（GaN）材料做偏極化光激螢光實驗，以及變溫的光激螢光量測。在溫度變化下的能隙光激螢光，發現其主訊號的波長位置以及半高寬均與Varshni和O’Donnell等理論吻合。另外，我們觀察到黃光有很強烈的偏極化現象。
其二，在瞭解氮化鎵的性質後，便針對氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井材料做相同的量測。在低溫下的偏極化光激螢光，利用輕電洞與重電洞不同的選擇律，可以分辨出輕重電洞的光激螢光訊號。此外，在變溫下的光激螢光光譜中觀察到明顯的侷限效應（localization）現象。

In this thesis, we present the optical properties of InGaN/GaN quantum wells. The polarization-dependent and temperature-dependent photoluminescence were used to study the character of InGaN/GaN multi-quantum wells. The subject are divided into two parts.
The first part, the studies of n-GaN was carried out by the polarization-dependent and temperature-dependent photoluminescence measurements. For the temperature dependent measurement, Varshni relation and O’Donnell formula can be used to fit the band edge photoluminescence in GaN. For the polarization-dependent measurements, we observed a striking phenomenon, in which the yellow luminescence is strongly polarized. The possible origin will be discussed. Our result can be used to distinguish the mechanism of yellow luminescence.
The second part, we used the same techniques to study the InGaN/GaN multiple quantum wells. At the room temperature, we can distinguish the heavy hole and light hole from the polarized photoluminescence spectrum. On the other hand, the obvious localization effect can be observed by varying temperature.

摘 要I
致 謝II
AbstractIII
目 錄IV
圖 目 錄VI
第一章 緒 論1
第二章 樣品與量測系統介紹4
2-1 樣品結構4
2-2 量測系統裝置6
第三章 原 理10
3-1輕重電洞分裂的選擇定律10
3-2 侷限（localization）效應15
第四章 結果與討論17
4-1 氮化鎵材料特性分析17
4-2 氮化銦鎵/氮化鎵 多重量子井光激螢光研究24
第五章 總 結32
1.氮化鎵的材料特性32
2.氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井的材料特性32
參考文獻34

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