(3.236.175.108) 您好!臺灣時間:2021/03/01 12:18
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:薛惠菁
論文名稱:一維異質結構GaN/GaP半導體奈米線的吸收光譜
指導教授:李明威李明威引用關係
學位類別:碩士
校院名稱:國立中興大學
系所名稱:物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
論文頁數:82
中文關鍵詞:GaN/GaP異質結構不連續光譜
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:210
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
利用單光儀測量GaN / GaP異質結構奈米線 (hetero—structure nanowire)和GaP奈米線兩種樣品在1.5 ~ 4 eV間的吸收光譜,除了可觀測到GaP和GaN能隙的藍位移現象之外,GaN / GaP異質結構形成之位能井中所產生的量子化不連續光譜吸收峰值也可觀測到。
這些不連續光譜的吸收能量和GaP奈米線的直徑有關,經由理論方程式的計算可得知直徑的分佈在5 nm ~ 9 nm 間,以直徑7 nm的奈米線為例,觀測到的吸收峰值約在:2.3、2.4、2.55、2.71、2.9、3.3及3.55 eV這七個位置上。
摘要 ………………………………………………………… 1.
第一章 前言
1.1實驗背景與動機 ……………………………………………. 2.
1. 2塊材結構簡介 ………………………………………..……… 3.
1.2.1晶體結構 ………………………………………………... 3.
1.2.2 Band structure ……………………………………………. 5.
1.3樣品簡介 …………………………………………….…….… 6.
1.4內容簡介 …………………………………………….………. 7.
第二章 實驗步驟與量測
2.1樣品的製程 ……………………………………………….… 8.
2.1.1基底的選擇 …………………………………………….... 8.
2.1.2樣品的製程 …………………………………………….... 9.
2.2儀器量測 ……………………………………………………. 12.
2.2.1晶體結構的觀瘵 ………………………………………… 12.
2.2.2 影像的觀察 ……………………………………………… 15.
2.2.3可見光與紫外光的穿透量測 …………………………… 21.
第三章 一維奈米線的理論介紹 ……………………………27.
第四章 實 驗 結 果 與 討 論
4.1 GaN / GaP異質結構奈米線的樣品量測 …………………… 41.
4.1.1常溫下的量測結果 …………………………………….… 41.
4.1.2 低溫時的量測結果 …………………………………….. 51.
4.1.3量測結果分析 ……………………………………….…… 51.
4.2 GaP奈米線的樣品量測 … ……………………………..…… 64.
4.2.1常溫下的量測結果 ……………………………….……… 64.
4.2.2變溫時的量測結果 ……………………………….……… 64.
4.2.3量測結果分析 …………………………………….……… 64.
第五章 結論 ………………………………………………. 80.
參考資料 ……………..……………………………………. 81.
〔1〕 S. Nakamura, S. Peartan and G. Fasol, The Blue Laser Diode, 2nd edition (Springer, Berlin, 2000).
〔2〕 O. I. Micic, S. P. Ahrenkiel, D. Bertram, and A. J. Nozik, Appl. Phys. Lett. 75, 478 (1999).
〔3〕 A. S. Zubrilov, Yu. V. Melnik, A. E. Nikolaev, M. A. Jacobson, D. K. Nelson, and V. A. Dmitriev, Semiconductors 33, 1067 (1999).
〔4〕 V. A. Ivantsov, V. A. Sukhoveev, V. I. Nikolaev, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, Phys. Solid State 39, 763 (1997).
〔5〕 Charles Kittel, Introduction to Solid State Physics, 7th edition (Wiley, 1996).
〔6〕 L. J. Brillson, Handbook on Semiconductors:Completely Revised Edition, edited by T. S. Moss, Volume 1, edited by P. T. Landsberg (Elsevier Science Publishers B. V., 1992), p 317.
〔7〕 J. A. Van Vechten, Handbook on Semiconductors, edited by T. S. Moss, Volume 3, edited by S. P. Keller (North-Holland, 1980), p 12.
〔8〕 G.Martinez, Handbook on Semiconductors, edited by T. S. Moss, Volume 2, edited by M. Balkanski (North-Holland, 1980), p 210.
〔9〕 Jasprit Singh, Physics of semiconductors and heterostructures (McGraw-Hill, Inc., 1993), p 39.
〔10〕M. Suzuki and T. Uenoyama, Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors, edited by J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C.Wetzel (Inspec, London, 1999), p159.
〔11〕M. L. Cohen and J. R. Chelikowsky, Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors, 2nd edition (Springer-Verlag, 1988), p 118.
〔12〕C.-C. Chen, C.-C.Yen, C.-H.Chen, M.-Y. Yu, H.-L. Liu, J.-J. Wu, K.-H. Chen, L.-C. Chen, J.-Y. Peng, Y.-F. Chen, J. Am. Chem. Soc. 123, 2791 (2001).
〔13〕M. W. Lee, H. Z. Twu, C.-C. Chen and C.-H. Chen, Appl. Phys. Lett. 79, 3693, (2001).
〔14〕M. Suzuki and T. Uenoyama, Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors, edited by J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C.Wetzel (Inspec, London, 1999), p 47.
〔15〕 Peter Y. Yu and Manuel Cardona, Fundamentals of Semiconductors Physics and Materials Properties, 2nd edition (Springer, 1999), p 70.
〔16〕M. Suzuki and T. Uenoyama, Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors, edited by J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C.Wetzel (Inspec, London, 1999), p 101.
〔17〕M. P. Shaw, Handbook on Semiconductors, edited by T. S. Moss, Volume 4, edited by C. Hilsum (North-Holland, 1981), p 5.
〔18〕Yu. A. Goldberg, Handbook series on Semiconductor parameters, edited by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (World scientific, 1996), p 104.
〔19〕Takehito Mishima, Masasaki Miura, Shunji Ozaki, and Sadao Adachi, J. Appl. Phys. 91, 4904 (2002).
〔20〕P. J. Dean and D. G. Thomas, Phys. Rev. 150, 690 (1966).
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔