|
[1] R. Williams, ch.1, Boston London: Artech House, 1990. [2] R. Williams, New York: Plenum, 1989. [3] M. J. Jeng, J. G. Hwu, IEEE. Election. Dev. Lett., vol.17, p.575, 1996. [4] D. J. Coleman, D. W. Shaw, and R. D. Dobrott, J. Electrochem. Soc., vol.124, p.239, 1977. [5] R. Nakamura and H. Ikoma, , Jpn. J. Appl. Phys. Pt.2, vol. 35, p. L8, 1996. [6] P. A. Bertrand, J. Electrochem. Soc., vol. 132, p. 973, 1985. [7] T. Sawada, H. Hasegawa, and H. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 26, no. 11, p. L1871, 1987. [8] C. P. Ho, J. D. Plummer, J. D. Meindl, and B. E. Deal, J. Electrochem. Soc., vol. 125, p. 665, 1978. [9] B. E. Deal and M. Sklar, J. Electrochem. Soc., vol. 112, p. 430, 1965. [10] I. Shiota, N. Miyamoto, and J. ichi Nishizawa, J. Electrochem. Soc., vol. 124, p. 1405, 1977. [11] B. E. Deal, J. Electrochem. Soc., vol. 125, p. 576, 1978. [12] M. Passlack, M. Hong, E. F. Schubert, J. R. Gwo, J. P. Mannaerts, S. N. G. Chu, N. Moriya, and F. A. Thiel, Appl. Phys. Lett., vol. 66, no. 5, p. 625, 1995. [13] M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, R. L. Opila, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. Ren, and J. R. Gwo, IEEE Tr. on Electron Devices, vol. 66, no. 5, p. 625, 1995. [14] M. Passlack, M. Hong, and J. P. Mannaerts, Appl. Phys. Lett., vol. 68, p. 1099, 1996. [15] K. Maezawa, T. Mizutani, K. Arai, and F. Yanagawa, IEEE Electron Device Letters, vol. EDL-7, no. 7, p. 454, 1986. [16] S. Fujita, M. Hirano, K. Maezawa, and T. Mizutani, IEEE Electron Device Letters , vol. EDL-8, no. 5, p. 226, 1987. [17] E. F. Yu, J. Shen, M. Walther, T. C. Lee, and R. Zhang, Electronics Letters, vol. 36, p. 359, 2000. [18] K. D. Choquette, K. M. Geib, C. I. H. Ashby, R. D. Twesten, O. Blum, H. Q. Hou, D. M. Follstaedt, B. E. Hammons, D. Mathes, and R. Hull, IEEE J. Selected Topic in Quantum Electron., vol. 3, no. 3, p. 916, 1997. [19] N. Basu and K. N. Bhat, J. Appl. Phys., vol. 63, p. 5500, 1988. [20] C. W. Wilmsen, P. D. Kirchner, J. M. Baker, D. T. Mclnturff, G. D. Pettit, and J. M. Wooldall, J. Vac. Sci. and Technol. B, vol. 6, p. 1180, 1988. [21] E. Ettedgui, K. T. Park, J. Cao, Y. Gao, and M. W. Ruckman, J. Appl. Phys., vol. 77, p. 5411, 1995. [22] P. Schmuki, G. I. Sproule, J. A. Bardwell, Z. H. Lu, and M. J. Graham, J. Appl. Phys., vol. 79, p. 7303, 1996. [23] F. Ren, M. Hong, W. S. Hobson, J. M. Kuo, J. R. Lothian, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, Solid-State Electron , vol. 41, no. 11, p. 1751, 1997. [24] Y. C. Wang, M. Hong, J. M. Kuo, J. P. Mannaerts, J. Kwo, H. S. Tsai, J. J. Krajewski, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, IEEE Electron Device Lellers , vol. 20, no. 9, p. 457, 1999. [25] M. Passlack, M. Hong, and J. P. Mannaerts, Solid-State Electronics., vol. 39, no. 8, p. 1133, 1996. [26] M. P. Houng, C. J. Huang, Y. H. Wang, N. F. Wang, and W. J. Chang, J. Appl. Phys., vol. 82, no. 11, p. 5788, 1997. [27] C. J. Huang, M. P. Houng, Y. H. Wang, and H. H. Wang, J. Appl. Phys., vol. 86, no. 12, p. 7151, 1999. [28] H. H. Wang, Y. H. Wang, and M. P. Houng, Jpn. J. Appl. Phys. Pt.2 , vol. 37, no. 8B, p. L988, 1998. [29] J. Y. Wu, H. H. Wang, Y. H. Wang, and M. P. Houng, IEEE Transactions on Electron Devices , vol. 48, no. 4, p. 634, 2001. [30] J. Y. Wu, H. H. Wang, Y. H. Wang, and M. P. Houng, IEEE Electron Device Letters , vol. 20, p. 18, 1999. [31] J. Y. Wu, H. H. Wang, Y. H. Wang, and M. P. Houng, IEEE Electron Device Letters , vol. 22, p. 2, 2001. [32] S. K. Ghandhi, ch. 7. New York: John Wiley & Sons, Inc., 1994. [33] C. W. Wilmsen, ed., ch. 7. New York: Plenum Press, 1985. [34] S. P. Murarka, Appl. Phys. Lett., vol. 26, p. 180, 1975. [35] D. N. Butcher and B. J. Sealy, J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 11, p. 1451, 1978. [36] H. T. Minden, J. Electrochem. Soc. , vol. 109, no. 8, p. 733, 1962. [37] D. N. Butcher and B. J. Sealy, Electron. Lett., vol. 13, no. 19, p. 558, 1977. [38] H. Takagi, G. Kano, and I. Teramoto, J. Electrochem. Soc., vol. 125, p. 579, 1978. [39] I. Teramoto, H. Takagi, and G. Kano, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 18, no. 4, p. 723, 1979. [40] T. H. Oh, D. L. Huffaker, L. A. Graham, H. Deng, and D. G. Deppe, Electron. Lett., vol. 32, no. 21, p. 2024, 1996. [41] S. Iida and K. Ito, J. Electrochem. Soc., vol. 118, p. 768, 1971. [42] S. K. Ghandhi, ch. 9. New York: John Wiley & Sons, Inc., 1994. [43] D. E. Aspnes and A. A. Studna, Appl. Phys. Lett, vol. 46, no. 11, p. 1071, 1985. [44] S. Osakabe and S. Adachi, J. Electrochem. Soc., vol. 144, no. 1, p. 290, 1997. [45] C. C. Chang, P. H. Citrin, and B. Schwartz, J. Vac. Sci. Technol., vol. 14, no. 4, p. 943, 1977. [46] R. Meyer-Arendt, Englewood Cliffs, N.J.: Prentice-Hall Inc., 1971. [47] T. Sugano, J. Electrochem. Soc., vol. 121, no. 1, p. 113, 1974. [48] S. M. Sze, ed., ch. 3. New York: McGraw-Hill Book Co., 1988. [49] H. H. Wang, J. Y. Wu, Y. H. Wang, and M. P. Houng, J. Electrochem. Soc., vol. 146, no. 6, p. 2328, 1999. [50] C. D. Thurmond, G. P. Schwartz, G. W. Kammlott, and B. Schwartz, J. Eletrochem. Soc., vol. 127, p. 1366, 1980. [51] G. P. Schwartz, G. J. Gualtieri, G. W. Kammoltt, and B. Schwartz, J. Electrochem. Soc., vol. 126, p. 1737, 1979. [52] T. Ishikawa and H. Ikoma, Jpn. J. Appl. Phys. Pt.1, vol. 31, p. 3981, 1992. [53] C. M. Demanet and M. A. Marais, Surface and interface analysis, vol. 7, no. 1, p. 13, 1985. [54] B. Schwartz, J. Electrochem. Soc., vol. 118, p. 657, 1971. [55] B. Schwartz, S. E. Haszko, and D. R. Wonsidler, J. Electrochem. Soc., vol. 118, p. 1229, 1971. [56] Z. Liliental-Weber, C. W. Wilmsen, K. M. Geib, P. D. Kirchner, J. M. Baker, and J. M. Woodall, J. Appl. Phys., vol. 67, p. 1863, 1990. [57] P. D. Kirchner, A. C. Warren, J. M. Wooldall, C. W. Wilmsen, S. L. Wright, and J. M. Baker, J. Electrochem. Soc., vol. 135, p. 1822, 1988. [58] D. R. Lide, ed., ch. 4. Boca Raton, Florida: CRC press, 1997. [59] M. Passlack, E. F. Schubert, W. S. Hobson, M. Hong, N. Moriya, S. N. G. Chu, K. Konstadinidis, J. P. Mannaerts, M. L. Schnoes, and G. L. Zydzik, J. Appl. Phys., vol. 77, p. 686, 1995. [60] C. W. Wilmsen, ed., ch. 3. New York: Plenum Press, 1985. [61] Y. H. Jeong, K. H. Choi, and S. K. Jo, ''IEEE Electron Device Letters, vol. 15, p. 251, 1994. [62] E. H. Nicollian and J. R. Brews, ch. 2,3,4. New Jersey: Artech House, 1982. [63] E. H. Nicollian and J. R. Brews, ch. 8. New Jersey: Artech House, 1982. [64] H. Takagi, G. Kano, and I. Teramoto, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-25, p. 551, 1978. [65] D. L. Lile, A. R. Clawson, and D. A. Collins, Appl. Phys. Lett., vol. 29, no. 3, p. 207, 1976. [66] T. Mimura, N. Yokoyama, Y. Nakayama, and M. Fukuta, Dig. Tech. Papers, p. 47, 1977. [67] M. Hong, F. Ren, J. M. Kuo, W. S. Hobson, J. Kwo, J. P. Mannaerts, J. R. Lothian, and Y. K. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 16, no. 3, p. 1395, 1998. [68] R. Williams, ch. 2. Boston London: Artech House, 1990. [69] H. H. Wang, C. J. Huang, Y. H. Wang, and M. P. Houng, Jpn. J. Appl. Phys. Pt.2, vol. 37, no. 1A/B, p. L67, 1998. [70] H. H. Wang, D. W. Chou, Y. H. Wang, and M. P. Houng, Physica Scripta, vol. T79, p. 239, 1999. [71] H. H. Wang, D. W. Chou, J. Y. Wu, , Y. H. Wang, and M. P. Houng, J. Applied Phys., vol. 87, p. 2629, MARCH 2000. [72] R. Williams, ch. 4. Boston London: Artech House, 1990. [73] R. Williams, ch. 6. Boston London: Artech House, 1990. [74] R. Williams, ch. 5. Boston London: Artech House, 1990. [75] R. Williams, ch. 11. Boston London: Artech House, 1990. [76] M. Heiblum, M. I. Nathan, and C. A. Chang, Solid State Electronics, vol. 25, no. 3, p. 1855, 1982. [77] R. Williams, ch. 3. Boston London: Artech House, 1990. [78] J. M. Golio, ch. 1. Boston: Artech House, 1991. [79] A. Moschwitzer, ch. 2. New York: Oxford, 1991. [80] R. Williams, ch. 17. Boston London: Artech House, 1990. [81] H. L. Hartnagel, ch. 2. New York: John Wiley \& Sons, 1991. [82] F. M. Klaassen, Process and Device Modeling for Integrated Design, p. 541, 1977. [83] D. K. Schrdoder, ch. 4. New York: John Wiley \& Sons, 1990. [84] C. L. Lau, M. Feng, T. R. Lepkowski, G. W. Wang, Y. Chang, and C. Ito, IEEE Electron Device Letters, vol. 10, p. 409, September 1989. [85] M. Feng, H. Kanber, V. K. Eu, E. Watkins, and L. R. Hackett, Appl. Phys. Lett., vol. 44, p. 231, 1984. [86] I. Banerjee, P. W. Chye, and P. E. Gregory, IEEE Electron Device Letters, vol. 9, p. 10, 1988. [87] R. Q. Lane, Proc. IEEE, p. 1461, 1969. [88] L. Escotte, F. Srederic, and J. Graffeuil, ''IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, vol. 43, p. 536, 1994. [89] G. Dambrine, J. P. Raskin, F. Danneville, D. V. Janvier, J. P. Colinge, and A. Cappy, ''IEEE Transactions on Electron Devices,vol. 46, p. 1733, 1999. [90] C. E. Biber, M. L. Schmatz, T. Morf, U. Lott, E. Morifuji, and W. Bachtold, IEEE MTT-S Digest, vol. TU3A-3, p. 145, 1998. [91] C. Y. Su, L. P. Chang, G. W. Huang, Y. P. Ho, B. M. Deng, C. L. Chen, L. Y. Leu, K. A. Wen, and C. Y. Chang, Electron. Lett., vol. 36, p. 1280, 2000. [92] M. J. Deen and C. H. Chen, Proc. IEEE Int. Conf. On Microelectronic Test Structures, vol. 12, p. 34, 1999. [93] F. S. Shoucair and P. K. Ojala, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 39, p. 1551, 1992. [94] C. Ito, T. Jenkins, G. Trombley, R. Lee, R. Reston, C. Havasy, B. Johnson, and C. Eppers, IEEE Electron Device Letters, vol. 17, p. 16, 1996. [95] R. Lee, G. Trombley, B. Johnson, R. Reston, M. Mah, C. Havasy, and C. Ito, IEEE Electron Device Letters, vol. 16, p. 265, 1995. [96] E. F. Runnion, S. M. Gladstone, IV, R. S. Scott, Jr., D. J. Dumin, S. L. Lie, Member, J. C. Mitros, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 44, p. 993, 1997. [97] J. Kolodzey, S. Member, IEEE, E. A. Chowdhury, T. N. Adam, G. Qui, I. Rau, J. O. Olowolafe, J. S. Suehle, S. Member, IEEE, and Y. Chen, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 47, p. 121, 2000. [98] D. J. Dumin and J. R. Maddux, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 40, p. 986, 1993. [99] S. M. Sze, New York: John Wiley & Sons, Inc., 1981. [100] P. Olivo, T. N. Nguyen, and B. Ricco, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 35, p. 2259, 1988. [101] H. Becke, R. Hall, and J. White, Solid-State Electronics, vol. 8, p. 813, 1965. [102] U. Schwalke, Z. Gabric, N. Elbel, K. Bothe, D. Hadawi, I. Janssen, P. Schon, A. Inioutis, R. Klose, and J. Plagmann, IEEE Electron Device Letters, vol. 20, p. 563, 1999. [103] R. Bashir and F. Hebert, IEEE Electron Device Letters, vol. 17, p. 352, 1996. [104] S. H. Pyi, I. S. Yeo, D. H. Weon, Y. B. Kim, and S. K. Lee, IEEE Electron Device Letters, vol. 20, p. 384, 1999. [105] T. E. Kazior, J. Electrochem. Soc., vol. 137, p. 2257, 1990. [106] K. Billen, M. J. Kelly, D. Lancefield, R. M. Gwilliam, D. A. Ritchie, S. Gumer, G. A. C. Jones, E. H. Linfield, and A. P. Churchill, Electron. Lett., vol. 30, p. 1359, 1994. [107] D. C. D''Avanzo, IEEE Tr. Microwave Theory and Techniques, vol. MTT-30, p. 955, 1982. [108] K. T. Short and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc., vol. 135, p. 2835,1988. [109] S. J. Pearton, F. Ren, J. R. Lothian, T. R. Fullowan, A. Katz, P. W. Wisk, R. G. Elliman, M. C. Rigdway, C. Jagadish, and J. S. Williams, 'J. Appl. Phys., vol. 71, p. 4949,1992. [110] F. Clauwaert, P. V. Daele, R. Baets, and P. Lagasse, J. Electrochem. Soc., vol. 134, p. 711, 1987. [111] J. P. de Souza, I. Danilov, and H. Boudinov, J. Appl. Phys., vol. 84, p. 4757, 1998. [112] D. W. Chou, R. F. Lou, H. H. Wang, Y. H. Wang, and M. P. Houng, Jpn. J. Appl. Phys., 2000. [113] E. Yablonovitch, C. J. Sandroff, R. Bhat, and T. Gmitter, Appl. Phys. Lett., vol. 51, p. 4391, 1987. [114] H. H. Lee, R. J. Racicot, and S. H. Lee, Appl. Phys. Lett., vol. 54, p. 724--726, 1989. [115] H. C. Ko, K. Uchida, and S. Nakatsuka, Jpn. J. Appl. Phys. Pt.2, vol. 33, p. L297, 1994.
|