臺灣博碩士論文加值系統

提要

我們發現燒結溫度及時間為700 ℃，1 hour及650 ℃，2 hours都可以做出二十面體的Cd100-xYbx（x = 16 & 17）準晶；400 ℃，24 hours的熱處理可以使其成為穩定態。這些準晶樣品的x-ray繞射圖中，出現在（222100）峰值前的Cd (101) 峰值的強度，與電阻率隨溫度的變化有關。而電阻係數比 (ρ4.2 K/ρ300 K ) 的大小也與磁阻的大小有關。
增加樣品中Yb的摻雜濃度，可以大幅提高磁阻的大小。對磁阻變化不大的準晶樣品，仍然可以用量子干涉理論解釋的很好。

Abstract

We found that Cd100-xYbx（x = 16 & 17） icosahedral quasicrystals can be formed at 700 ℃ for 1hour or at 650 ℃ for 2 hours. The quasicrystalline ingots were subsequently annealed at 400 ℃ for 24 hours to obtain an equilibrium phase.
We found the intensity of Cd (101) peak appearing in the front of the quasicrystalling peak ( 222100 ) correlates with the variation of the resistance with temperature ; and the magnitude of the resistivity ratio (ρ4.2 K/ρ300 K ) is closely related to that of the magnetoresistance.
Increasing the concentration of Yb greatly enhances the magnitude of the magnetoresistance. The percentage change in magnetoresistance less than about 10％, still can be explained well by the quantum interference theories.

目錄

第一章 序論…………………………1
第二章 樣品製備與實驗裝置………3
2-1 樣品製備…………………………3
2-2 x-ray 光譜分析…………………4
2-3 電阻與磁阻的量測……………4
第三章 量子干涉理論………………6
第四章 結果與討論………………12
4-1 x-ray繞射圖……………………12
4-2 比熱與磁化率的量測…………14
4-3 電阻的量測……………………14
4-4 磁阻的量測……………………19
4-5 數據分析………………………27
第五章 結論………………………31
參考資料…………………………32



表目錄

表（一）Cd-Yb準晶的製備與熱處理條件……13

表（二）Cd-Yb準晶的準晶格常數與峰值比…13

表（三） Cd84Yb16準晶樣品3號，用量子干涉理論分析所得到之物理參數…30

表（四） Cd84Yb16準晶樣品2、3與6號於溫度T = 4.2 K時，用量子干涉理論分析所得到之物理參數……………30


圖目錄

圖4-1-1 Cd84Yb16準晶樣品3號x-ray繞射圖…………15
圖4-1-2 Cd84Yb16準晶樣品4號x-ray繞射圖…………16

圖4-2-1 Cd84Yb16準晶樣品C/T對T2變化圖…………17
圖4-2-2 Cd84Yb16準晶樣品於100 Gauss時，磁化率對溫度變化圖…………18

圖4-3-1 Cd-Yb準晶樣品1∼6號，電阻率對溫度變化圖……………20
圖4-3-2 Cd84Yb16準晶樣品2號，電阻率對溫度變化圖……………21
圖4-3-3 Cd84Yb16準晶樣品3號，電阻率對溫度變化圖……………22

圖4-4-1 Cd84Yb16準晶樣品3號，電阻變化對H1/2關係圖…………23
圖4-4-2 Cd83Yb17準晶樣品6號，電阻對磁場變化圖………………24
圖4-4-3 Cd-Yb準晶樣品2、3與6號於T = 4.2 K時，電阻變化對H1/2關係圖…25

參考資料

[ 1 ] J. Q. Guo, E. Abe, and A. P. Tsai, Phys. Rev. B 62, R14605 (2000).
[ 2 ] R. Tamura, Y. Murao, S. Takeuchi, K. Tokiwa, T. Watanabe, T. J. Sato and A. P. Tsai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L912 (2001).
[ 3 ] H. Fukuyama and K. Hoshino, J. Phys. Soc. Jpn. 50, 2131 (1981).
[ 4 ] David V. Baxter, R. Richter, M. L.Trudeau, R. W. Cochrane and J. O. Ström-Olsen, J. Phys. France 50, 167 (1989).
[ 5 ] P. A. Lee and T. V. Ramakrishnan, Rev. Mod. Phys. 57, 287 (1985).
[ 6 ] B. L. Altshuler and A. G. Aronov, Solid State Commun. 30, 115 (1979).
[ 7 ] V. Elser, Phys. Rev. B 32, 4892 (1985).
[ 8 ] R. A. Dunlap, R. C. O’Handley, M. E. Mchenry, and R. Chatterjee, Phys. Rev. B 37, 8484 (1988).