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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:古為智
研究生(外文):Wei-Chih Ku
論文名稱:二元Cd-Yb準晶的組成與電傳輸性質
論文名稱(外文):Formation and electric transport properties of binary Cd-Yb quasicrystals
指導教授:林水田林水田引用關係
指導教授(外文):Shui-Tien Lin
學位類別:碩士
校院名稱:國立成功大學
系所名稱:物理學系碩博士班
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
論文頁數:32
中文關鍵詞:準晶
外文關鍵詞:quasicrystalCd-Yb
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提要

我們發現燒結溫度及時間為700 ℃,1 hour及650 ℃,2 hours都可以做出二十面體的Cd100-xYbx(x = 16 & 17)準晶;400 ℃,24 hours的熱處理可以使其成為穩定態。這些準晶樣品的x-ray繞射圖中,出現在(222100)峰值前的Cd (101) 峰值的強度,與電阻率隨溫度的變化有關。而電阻係數比 (ρ4.2 K/ρ300 K ) 的大小也與磁阻的大小有關。
增加樣品中Yb的摻雜濃度,可以大幅提高磁阻的大小。對磁阻變化不大的準晶樣品,仍然可以用量子干涉理論解釋的很好。
Abstract

We found that Cd100-xYbx(x = 16 & 17) icosahedral quasicrystals can be formed at 700 ℃ for 1hour or at 650 ℃ for 2 hours. The quasicrystalline ingots were subsequently annealed at 400 ℃ for 24 hours to obtain an equilibrium phase.
We found the intensity of Cd (101) peak appearing in the front of the quasicrystalling peak ( 222100 ) correlates with the variation of the resistance with temperature ; and the magnitude of the resistivity ratio (ρ4.2 K/ρ300 K ) is closely related to that of the magnetoresistance.
Increasing the concentration of Yb greatly enhances the magnitude of the magnetoresistance. The percentage change in magnetoresistance less than about 10%, still can be explained well by the quantum interference theories.
目錄

第一章 序論…………………………1
第二章 樣品製備與實驗裝置………3
2-1 樣品製備…………………………3
2-2 x-ray 光譜分析…………………4
2-3 電阻與磁阻的量測……………4
第三章 量子干涉理論………………6
第四章 結果與討論………………12
4-1 x-ray繞射圖……………………12
4-2 比熱與磁化率的量測…………14
4-3 電阻的量測……………………14
4-4 磁阻的量測……………………19
4-5 數據分析………………………27
第五章 結論………………………31
參考資料…………………………32



表目錄

表(一)Cd-Yb準晶的製備與熱處理條件……13

表(二)Cd-Yb準晶的準晶格常數與峰值比…13

表(三) Cd84Yb16準晶樣品3號,用量子干涉理論分析所得到之物理參數…30

表(四) Cd84Yb16準晶樣品2、3與6號於溫度T = 4.2 K時,用量子干涉理論分析所得到之物理參數……………30


圖目錄

圖4-1-1 Cd84Yb16準晶樣品3號x-ray繞射圖…………15
圖4-1-2 Cd84Yb16準晶樣品4號x-ray繞射圖…………16

圖4-2-1 Cd84Yb16準晶樣品C/T對T2變化圖…………17
圖4-2-2 Cd84Yb16準晶樣品於100 Gauss時,磁化率對溫度變化圖…………18

圖4-3-1 Cd-Yb準晶樣品1∼6號,電阻率對溫度變化圖……………20
圖4-3-2 Cd84Yb16準晶樣品2號,電阻率對溫度變化圖……………21
圖4-3-3 Cd84Yb16準晶樣品3號,電阻率對溫度變化圖……………22

圖4-4-1 Cd84Yb16準晶樣品3號,電阻變化對H1/2關係圖…………23
圖4-4-2 Cd83Yb17準晶樣品6號,電阻對磁場變化圖………………24
圖4-4-3 Cd-Yb準晶樣品2、3與6號於T = 4.2 K時,電阻變化對H1/2關係圖…25
參考資料

[ 1 ] J. Q. Guo, E. Abe, and A. P. Tsai, Phys. Rev. B 62, R14605 (2000).
[ 2 ] R. Tamura, Y. Murao, S. Takeuchi, K. Tokiwa, T. Watanabe, T. J. Sato and A. P. Tsai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L912 (2001).
[ 3 ] H. Fukuyama and K. Hoshino, J. Phys. Soc. Jpn. 50, 2131 (1981).
[ 4 ] David V. Baxter, R. Richter, M. L.Trudeau, R. W. Cochrane and J. O. Ström-Olsen, J. Phys. France 50, 167 (1989).
[ 5 ] P. A. Lee and T. V. Ramakrishnan, Rev. Mod. Phys. 57, 287 (1985).
[ 6 ] B. L. Altshuler and A. G. Aronov, Solid State Commun. 30, 115 (1979).
[ 7 ] V. Elser, Phys. Rev. B 32, 4892 (1985).
[ 8 ] R. A. Dunlap, R. C. O’Handley, M. E. Mchenry, and R. Chatterjee, Phys. Rev. B 37, 8484 (1988).
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