|
[1] S.Ezhilvalavan , T.Y.Tseng , Materials Chemistry and Physics 65(2000) 227 [2] L.H.Parker,A.H.Tasch, IEEE Circ.Devices Mag.6 (1990)17 [3] C.A.Pazde Auraujo , L.D.McMillan , B.M.Melnick, J.D.Cuchiaro, J.F.Scott , Ferr-oelectrics 104 (1990) 241 [4] R.Moazzami , C.Hu, W.H.Shepherd , IEEE Electron.Devices Lett.11(1990)454 [5] C.S.Hwang , S.O. Park , H.J.Cho, C.S.Kang , H.-K.Kang , S.I.Lee , M.Y.Lee, Appl.Phys.Lett.67(1995)2819 [6] T.Y.Tseng , Ferroelectrics 232(1999)1 [7] K.Koyama , T.Sakuma , S.Yamamichi , H.Watanabe, H.Aok , S.Ohya , Y.Miyasaka , T.Kikkawa , IEDM Tech.Dig.(1991)823 [8] Y.F.Kuo , T.Y.Tseng , Electrochem.Solid State Lett.2(1999)236 [9] K.Torii , T.Kaga , E.Takeda , Jpn.J.Appl.Phys.31 (1992)2989 [10] S.K.Dey , IEEE Trans.Electron.Devices 39(1992)1607 [11] R.E.Jones , Appl.Phys.Lett.60(1992)1022 [12] R.Moazzami , IEDM Tech.Dig.(1992)973 [13] M.S.Tsai , T.Y.Tseng , J.Am.Ceram. Soc.83(1999)351 [14] B.A.Baumert , D.J.Taylor , T.Otsuki , K.Suu, J.Appl.Phys.82(5)(1997)2558 [15] M.Kuwabara , H.Matsuda , N.Kurata , E.Matsuyama, J.Am.Ceram.Soc , 80[10](1997)2590 [16] K.Abe , N.Yanase , K.Sano , M.Izuha , N.Fukushima , T.Kawakubo , Integrated Ferroelectrics , 21(1998)197 [17] J.Nowotny , M.Rekas , Key Engineering Materials(Trans Tech , Switzerland , 1992)pp45-144 [18] T.Y.Tseng , IEDMS C2-5(1996) 89 [19] A.I.Kingon , S.K.Streiffer, C.Basceri , S.R.Summerfelt , MRS Bull.21(1996)46 [20] S.I.Jang , H.M.Jang , Thin Solid Films 330 (1998) 89 [21] Y.Shi , G.Li , R.H.Hill , Materials Science in Semiconductor Processing 2(1999) 297 [22] F.Wang , S.F.Karmanenko , V.I.Sakharov , J.Mater.Res. , 13(5) (1998)1243 [23] D.Bao ,Z.Wang , W.Ren , L.Zhang , Xi.Yao , Ceramics International 25(1999)261 [24] H.B.Sharma , H.N.K.Sarma , Thin Solid Films 330(1998)178 [25] R.Liedtke , S.Hoffmann , R.Waser , J.Am.Ceram.Soc , 83(2)(2000) 436 [26] A.Srivastava , H.Venkataraman , Phyical.Review B 61(2000)7305 [27] S.M.Rhim , S.Hong , H.Bak , O.K.Kim , J.Am. Ceram. Soc,83(5)(2000)1145 [28] A.B.Catalan , R.J.Poisson ,J.E.Benci , J.Mater.Res , 13(6)(1998)1548 [29] N.V.Giridharam , R.Varatharajan , R.Jayavel , P.Ramasamy , Mater. Chem.and Phys.65(2000)261 [30] J.Kim, S.I.Kwun , J.G.Yoon , Proc.Tenth Ieee Inter. Symp.Appl.Ferro., (1994)423 [31] M.N. Kamalsanan , S.Chandra , P.C.Joshi , A.Mansingh , Appl.Phys.Lett.59(1991) 3547 [32] B.T.Lee ,W.D.Kim , K.H.Lee , H.J.Lim , C.S.Kang , H.Hideki , S.H.Joo , J.Electron.Mat. 28(4)(1999)L9 [33] J.Lee, Y.C.Chul ,B.S.Lee , Jpn.J.Appl.Phys. 36(1997)3644 part 1 [34] Y.Fukuda , K.Namata , K.Aoki , A.Nishimura , Jpn.J.Appl.Phys.37(1998) L453 Part2 [35] H.J.Cho ,S.Oh , C.S.Kang , C.S.Hwang , B.T.Lee , Appl.Phys.Lett. 71(22)(1997) [36] E.J.Cukauskas , S.W.Kirchoefer ,J.M.Pond , J.Appl.Phys.88(5)2000 2830 [37] J.H.Joo , J.M.Seon , Y.C.Jeon , KY.Oh , J.S.Roh , J.J.Kim, Appl.Phys.Lett. 70(22) 1997.3053 [38] M.C.Werner , I.Banerjee , P.C.Mclntyre , N.Tani , M.Tanimura , Appl.Phys.Lett. 77(8) 2000 1209 [39] S.I.Ohfuji , M.Itsumi , H.Akiya , Jpn.J.Appl.Phys. 36(1997) 5854 part1 [40] S.C.Huang , H.M.Chen , S.C.Wu , J.Y. Lee , J.Appl.Phys. 84(9) 1998 5155 [41] L.A.Wills , T.Schmitz , T.Reyes , J.Amano , Inter. Ferro. 21(1998) 429 [42] S.Yamamichi , A.Yamamichi , D.Park , T.J.King , C.Hu , IEEE Trans. On Electron. Devices. 46(2)(1999)342 [43] J.H.Ahn , W.J.Lee , H.G.Kim , Jpn .J.Appl.Phys. 37(1998)6472 part1 [44] B.T.Lee ,C.S.Hwang , Appl.Phys.Lett 77(2000)124 [45] T.Yamamoto ,S.Suzuki , H.Suzaki , K.Kawaguchi , K.Takahashi , Y.Yoshisato , Jpn.J.Appl.Phys. 36(1997) L390 part2 [46] P.Padmini , T.R.Taylor , M.J.Lefevre , A.S.Nagra , R.A.York , J.S.Speck , Appl.Phys.Lett. 75(1999)3186 [47] T.Li , P.Zawadzki , R.A.Stall , S.Liang , Y.Lu , Integr.Ferro.17(1997)127 [48] M.S.Tsai , S.C.Sun , T.Y.Tseng , Integr.Ferro. 21(1998)173 [49] Y.Gao , P.Alluri , M.Eugelhard , J.Finder , B.Melnick , J.Appl.Phys. 87(2000)124 [50] Y.Gao ,P.Alluri , T.Tran , J.Appl.Phys.87(2000)7430 [51] J.H.Lee , S.W.Rhee , J.Mater.Res,14(10)(1999)3988 [52] J.H.Lee , J.Y.Kim , J.Y.Shim , S.W.Rhee , J.Vac.Sci.Technol. A17(5)(1999)3033 [53] J.H.Joo , J.B.Park , Y.Kim , K.S.Lee , J.S.Lee , J.S.Roh , J.J.Kim , Jpn.J.Appl.Phys.38(1999)L195 part2 [54] S.Yamamichi , P.Y.Lesaicherre , H.Yamaguchi , K.Takemura , S.Sone , H.Yabuta, K.Sato , IEEE trans. on Electron.Devices 44(7)(1997)1076 [55] Y.Gao ,T.Tran , P.Alluri ,Appl.Phys.Lett. 75(1999)415 [56] W.J.Lee , Y.M.Kim ,H.G.Kim , Thin Solid Films 269(1995) 75 [57] P.C.Buskirk , J.F.Roeder , T.H.Baum , Integr.Ferro.21(1998)273 [58] J.C.Lee , E.S.Choi , S.G.Yoon , D.S.Yoon , H.K.Baik , J.Electrochem.Soc. 146(8)(1999)3101 [59] T.Kawahara, S.Matsuno , M.Yamamuka , M.Tarutani , T.Sato ,T.Horikawa , F.Uchikawa , K.Ono , Jpn.J.Appl.Phys.38(1999)2205 part1 [60] E.S.Choi , J.C.Lee ,J.S.Hwang , S.G.Yoon , Jpn.J.Appl.Phys 38(1999)5317 part1 [61] M.Yamamuka , T.Kawahara , M.Tarutani ,T.Horikawa , J.Appl.Phys 86(1999)1082 [62] J.M.Lee , S.Y.Kang , J.C.Shin , W.J.Kim , C.S.Huang , Appl.Phys.Lett 74(1999)3489 [63] H.J.Cho , H.J.Kim , Appl.Phys.Lett 72(1998)786 [64] J.C.Lee , S.G.Yoon , J.Vac.Sci.Technol. B 17(5)(1999)2182 [65] C.S.Kang , H.J.Cho , C.S.Hwang , B.T.Lee , Jpn.J.Appl.Phys. 36(1997)6946 part1 [66] H.Yamaguchi , P.Y.Lesaicherre , T.Sakuma , Y.Miyusaka , A.Ishitani , M.Yoshida , Jpn.J.Appl.Phys32(1993)4069 part1 [67] S.M.Bilodeaur , R.Carl. P.V.Baskirk , J.Ward , Solid State Technol.40(1997)235 [68] S.Song et al , Jpn.J.Appl.Phys.Part 1 35(1996)5089 [69] T.Li , P.Zawadzki , R.A.Stall , S.Liang , Y.Lu , Integr.Ferro.17(1997) 127 [70] R.H.Horng , D.S.Wuu , S.H.Chan , M.C.Chiang , T.Y.Huang , S.M.Sze , Jpn.J.Appl.Phys. 37(1998)885 part1 [71] J.D.Park , T.S.Oh , J.H.Lee , J.Y.Park , Thin Solid Films 379(2000)183 [72] W.S.Moon , S.I.Woo , S.B.Park , Thin Solid Films 359(2000)77 [73] W.S.Moon , H.J.Chung ,S.I.Woo ,C.S.Hwang , M.Y.Lee , S.B.Park , J.Aerosol Sci. 28(1997)Suppl.1,s525 [74] W.S.Moon , H.J.Chung , S.B.Park , S.I.Woo , Thin Solid Films 358(2000)86 [75] Y.C.Choi , J.Lee , B.S.Lee , Jpn.J.Appl.Phys. 36(1997)6824 part1 [76] S.Sone , R.Akahane , K.Arita , H.Yabuta , S.Yamamichi , M.Yoshida , Y.Kato , Jpn.J.Appl.Phys. 38(1999)2200 part1 [77] D.Wu , A.Li , H.Ling , X.Yin , C.Ge , M.Wang , N.Ming , Applied Surface Sci. 165(2000)2309 [78] Y. Ito, M. Ushikubo, S. Yokoyama, H. Matsunaga, T. Atsuki, T. Yonezawa, and K. Ogi, Jpn. J. Appl. Phys. part 1, 35 (1996) 4925. [79] N. Ogata, M. Nagata, K. Ishihara, H. Urashima, A. Okutoh, S. Yamazaki, S. Mitarai, and J. Kudo, Jpn. J. Appl. Phys. part 1, 37 (1998) 3481. [80] Y. Fujimori, T. Nakamura, and H. Takasu, Jpn. J. Appl. Phys. part 1, 38 (1999) 5346. [81] M.S. Tsai , “Radio-Frequency Magnetron Sputtering High Dielectric Constant Material Barium Strontium Titanite ( BST) and Strontium Bismuth Tantalum Niobium (SrBiTaNbO) for Giga Bit DRAM and NVFRAM Storage Capacitor Application “. Dissertation 1999. [82] Y.P.Wang , T.Y.Tseng , J.Appl.Phys. 81(10)(1997) 6762 [83] S.Saha , S.B.Krupanidhi , Materials Science and Engineering B57(1999)135 [84] G.W.Dietz , R.Waser , Thin Solid Films 299(1997)53 [85] S.B.Krupanidhi , C.J.Peng , Thin Solid Films 305(1997)144 [86] G.W.Dietz , M.Klee , R.Waser , J.Appl.Phys. 78(10)(1995) 6113 [87] T.Mihara , H.Watanabe , Jpn.J.Appl.Phys. 34(1995) 5664 part1 [88] C.C.Leu , S.H.Chan , H.Y.Chen , R.H.Horng , D.S.Wuu , L.H.wu , T.Y.Huang , C.Y.Chang , S.M.Sze , Microelectronics Reliability 40(2000)679 [89] D.S.Wuu , R.H.Horng , F.C.Liao , C.C.Leu , T.Y.Huang , S.M.Sze , H.Y.Chen , C.Y. Chang , Microelectronics Reliability 40(2000)663 [90] H.J.Cho , S.Oh , C.S.Kang , C.S.Hwang , B.T.Lee , K.H.Lee , H.Horii , S.I.Lee , .Y.Lee , Appl.Phys.Lett. 71(22)(1997)3221 [91] B.S.Lee , J.Y.Lee , Jpn. J. Appl.Phys. 38(1999)L870 part2 [92] Y.Abe , M.Kawamura , K.Sasaki , Jpn. J. Appl.Phys. 38(1999)2092 part1 [93] Y.Abe , M.Kawamura , K.Sasaki , Jpn.J.Appl.Phys. 37(1998) 4482 pa
|