|
Reference [1] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd edition, Ch.8, Central (1985) [2] R. Rios, N. D. Arora, Tech. Dig. IEDM, 613 (1994) [3] B. Yu et at., Symp. On VLSI Tech. Dig., 90 (2000) [4] ITRS roadmap 2001 [5] G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, p.5243 (2001) [6] K. A. Ellis, R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 19, 367 (1999) [7] K. A. Ellis, R. A. Buhrman, J. Electrochem. Soc. 145, 2068 (1998) [8] H. Yang, G. Lucovsky, Tech. Dig. IEDM, p.245 (1999) [9] Jack. C. Lee., handout of IEEE EDS Vanguard Series Short Course, National Chiao Tung Unversity, Taiwan, Apr. 26 (2001) [10] S. Krishnan et al, SPIE Conference (1998) [11] J. Robertson, MRS bulletin, p.217, (March 2002) [12] Y. Kim, G. Gebara et at., Tech. Dig. IEDM, p.455 (2001) [13] A.Callegari, E. Cartier, M. Gribelyuk, H. K. Okorn-Schmidt, and T. Zabel, J. Appl. Phys., 90, p.6466 (2001) [14] W. J. Qi et al., IEDM Tech. Dig., p.145 (1999) [15] C. H. Lee et al., IEDM Tech. Dig., p.27 (2000) [16] K. Onishi, L. Kang, R. Choi, E. Dharmarajan, S. Gopalan, Y. Jeon, C. S. Kang, B. H. Lee, R. N. Nieh, J. C, Lee, Symp. on VLSI Tech. Dig., p.131 (2001) [17] S. Guha, E. Gusev, E. Gusev, M. Copel, L. Ragnarsson, and D. A. Buchanan, MRS bulletin, p.226, (March 2002) [18] C. A. Billmann et al., MRS Symp. (spring 1999) [19] R. D. Shannon, J. Appl. Phys., 73,p. 348 (1993) [20] H. F. Luan, S. J. Lee, S. C. Song, Y. L. Mao, Y. Senzaki, D. Roverts, and D. L.Kwong, IEDM Tech. Dig., p.141 (1999) [21] B. H. Lee, L. Kang, W. J. Qi, R. Nieh, Y. Jeon, K. Onishi, and J. C. Lee, IEDM Tech. Dig., p.133 (1999) [22] S. P. Muraka and C. C. Chang, Appl. Phys. Lett. 37, p.639 (1980) [23] C. Hobbs, H. Tseng, K. Reid, B. Taylor, L. Hebert, R.Garcia et al, IEDM Tech. Dig., p.651 (2001) [24] H. J. Cho, C. S. Kang, K. Onishi, S. Gopalan, R. Nieh, R. Choi, E. Dharmarajan, and J. C. Lee, IEDM Tech. Dig., p.655 (2001) [25] S. J. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, C. H. Lee, T. S. Jeon, Y. Senzaki, D. Roberts, and D. L. Kwong, IEDM Tech. Dig., p.31 (2000) [26] B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W. J. Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, p.1926 (2000) [27] B. H. Lee, R. Choi, L. Kang, S. Gopalan, R. Nieh, K. Onishi, Y. Jeon, W. J. Qi, C. Kang, and J. C. Lee, IEDM Tech. Dig., p.39 (2000) [28] K. Onishi, C. S. Kang, R. Choi, H. J. Cho, S. Gopalan, R. Nieh, E. Dharmarajan, and J. C. Lee, IEDM Tech. Dig., p.659 (2001) [29] E. P. Gusev et al., AVS Topical Conf. on Atomic Layer Deposition, May 14 (2001) [30] M. Ritala and M. Leskela, Handbook of Thin Film Materials, H. S. Nalwa ed., Academic Press, Vol.1, Chap.2 (2001) [31] W. Zhu et al., IEDM Tech. Dig., Sec.20.4 (2001) [32] Z. J. Luo et al., Symp. on VLSI Tech. Dig., p.135 (2001) [33] K. Onishi, C. S. Kang, R. Choi et al., Tech. Dig. IEDM, p.659 (2001) [34] T.K. Kang, private communication
|