|
1. G. Binnig, H. Rohrer, C. Gerber and E. Weibel, Phys. Rev. Lett., 49, 57 (1982). 2. 林鶴南, 李龍正, 劉克訊, 科儀新知, 17(3), 29 (1995). 3. H. —N. Lin, C. —R. Chang and Y. —H. Chiou, J. M. M. M., 209, 243 (2000). 4. H. —N. Lin, Y. —H. Chiou, B. —M. Chen, H. —P. D. Shieh and C. —R. Chang, J. Appl. Phys., 83, 4997 (1998). 5. S. Carminati and J. J. Greffet, Appl. Phys. Lett., 76, 2955 (2000). 6. 蔡定平, 科儀新知, 17(5), 4 (1996). 7. E. Betzig, P. L. Finn and J. S. Weiner, Appl. Phys. Lett., 60, 2484 (1992). 8. R. Toledo-Crow, P. C. Yang, Y. Chen and M. VaezIravani, Appl. Phys. Lett., 60, 2957 (1992). 9. U. C. Fischer, U. T. Durig and D. W. Pohl, Scanning Microscopy, 3,1 (1989). 10. Y. Martin, C. C. Williams and H. K. Wickramasinghe, J. Appl. Phys., 61, 4723 (1987). 11. T. R. Albrecht, P. Grutter, D. Horne and D. Rugar, J. Appl. Phys., 69, 668 (1991). 12. A. Kikukawa, S. Hosaka, Y. Honda and R. Imura, Rev. Sci. Instrum., 66, 101 (1995). 13. Q. Zhong, D. Innis, K. Kjoller and V. B. Elings, Surf. Sci. Lett., 290, L688 (1993). 14. J. Jahanmir, B. G. Haggar, and J. B. Hayes, Scanning Microscopy, 6(3), 625 (1992). 15. P. K. Hansma, J. P. Cleveland, M. Radmacher, D. A. Walters, P. E. Hillner, M. Bezanilla, M. Fritz, D. Vie, H. G. Hansma, C. B. Prater, J. Massie, L. Fukunaga, J. Gurley, and V. Elings, Appl. Phys. Lett., 64, 1738 (1994). 16. J. E. Sader, I. Larson, P. Mulvaney and L. R. White, Rev. Sci. Instrum., 66,3789 (1995). 17. Park Scientific Instruments Inc. (manual). 18. C. M. Mate, G. M. McClelland, R. Erlandsson and S. Chiang, Phys. Rev. Lett., 59, 1942 (1987). 19. G. Meyer and N. M. Amer, Appl. Phys. Lett., 57, 2089 (1990). 20. B. Bhushan, J. N. Israelachvili and U. Landman, Nature, 374, 607 (1995). 21. Eric Betzig and Jay K. Trautman, Science, 257,189 (1992). 22. D. I. Kavaldjiev, R. Toledo-Crow, and M. VaezIravani, Appl. Phys. Lett., 67,2771 (1995). 23. H. Muramatsu, N. Chiba, K. Homma, K. Nakajima and T. Ataka, Appl. Phys. Lett., 66,3245 (1995). 24. I. I. Smolyaninov, D. L. Mazzoni and C. C. Davis, Appl. Phys. Lett., 67,3859 (1995). 25. E. L. Buckland, P. J. Moyer and M. A. Paesler, J. Appl. Phys., 73,1018 (1993). 26. M. Garcia-Parajo, T. Tate, and Y. Chen, Ultramicroscopy, 61, 155 (1995). 27. J. P. Cleveland, S. Manne, D. Bocek, and P. K. Hansma, Rev. Sci. Instrum., 64, 403 (1993). 28. J. E. Sader, I. Larson, P. Mulvaney, and L. R. White, Rev. Sci. Instrum., 66, 3789 (1995). 29. C. T. Gibson, G. S. Watson, and S. Myhra, Nanotechnology, 7, 259 (1996). 30. H. Muramatsu, N. Chiba, N. Yamamoto, K. Homma, T. Ataka, M. Shigeno, H. Monobe, and M. Fujihira, Ultramicroscopy, 71, 73 (1998). 31. J. F. Wolf, P. E. Hillner, R. Bilewicz, P. Kölsch, and J. P. Rabe, Rev. Sci. Instrum., 70, 2751 (1999). 32. C. E. Talley, G. A. Cooksey, and R. C. Dunn, Appl. Phys. Lett., 69, 3809 (1996). 33. D. Sarid, Scanning Force Microscopy, New York : Oxford University Press (1991). 34. S. Kirstein, M. Mertesdorf, and M. Schönhoff, J. Appl. Phys., 84, 1782 (1998). 35. K. Hosokawa, T. Fujii, I. Endo, Anal. Chem., 71, 4781 (1999). 36. A. E. Kamholz, B. H. Weigl, B. A. Finlayson, and P. Yager, Anal. Chem., 71, 5340 (1999). 37. I. Papautsky, J. Brazzle, T. Ameel, A. B. Frazier, Sens. Actuators A 73, 101 (1999). 38. A. Shchemelinin, M. Rudman, K. Lieberman, and A. Lewis, Rev. Sci. Instrum., 64, 3538 (1993). 39. D. A. Skoog, D. M. West, and F. J. Holler, Fundamentals of Analytical Chemistry (New York, Saunders College Pub, 1988) 5th ed. 40. K. C. Kao and W. Hwang, Electrical Transport in Solids (Pergamon, Oxford, 1981). 41. I. D. Park, J. Appl. Phys. 75, 1656 (1994). 42. A. J. Campbell, M. S. Weaver, D. G. Lidzey, and D. D. C. Bradley, J. Appl. Phys. 84, 6737 (1998). 43. S. B. Lee, K. Yoshino, J. Y. Park, and Y. W. Park, Phys. Rev. B 61, 2151 (2000). 44. T. Wakimoto, S. Kawami, K. Nagayama, Y. Yonemoto, R. Murayama, J. Funaki, H. Sato, H. Nakada, and K. Imai, International Symposium on Inorganic and Organic Electroluminescence (Hamamatsu), p. 77 (1994). 45. C. W. Tang and S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987). 46. M. Bender, W. Seelig, C. Daube, H. Frankenberger, B. Ocker, and J. Stollenwerk, Thin Solid Film 326, 72 (1988). 47. R. C. Darran, P. W.Ⅱ Richard, K. S. Daniel, M. S. Suzanne, C. P. David, P. C. Gregory, and R. R. Newton, Appl. Phys. Lett. 76, 1425 (2000). 48. J. S. Kim, M. Granström, R. H. Friend, N. Johansson, W. R. Salaneck, R. Daik, W. J. Feast, and F. Cacialli, J. Appl. Phys. 84, 6859 (1998). 49. F. Cacialli, J. S. Kim, T. M. Brown, J. Morgado, M. Granström, R. H. Friend, G. Gigli, R. Cingolani, L. Favaretto, G. Barbraella, R. Daik, and W. J. Feast, Synth. Met. 109, 7(2000). 50. S. M. Tadayyon, K. Griffiths, P. R. Norton, C. Tripp, and Z. Popovic, J. Vac. Sci. A 17, 1773 (1999). 51. S. Shigeyuki, S. Toshiyuki, S. Tetsuya, N. Toshikazu, and S. Yutaka, Thermochimica Acta 352-353, 75 (2000). 52. J. He, M. Lu, X. Zhou, J. R. Cao, K. L. Wang, L. S. Liao, Z. B. Deng, X. M. Ding, X. Y. Hou, and S. T. Lee, Thin Solid Films 363, 240 (2000). 53. G. Gustafasson, G. M. Treacy, Y. Cao, F. Klavetter, N. Colanerin, and A. J. Heeger, Synth. Met. 55-57, 4123 (1993). 54. G. Gu, P. Burrows, and S. R. Forrest, U.S. Patent No. 5844363 (1998). 55. 王仁宏, 李正中, 光訊, 80, 5 (1989). 56. B. K. Crone, I. H. Campbell, P. S. Davids, and D. L. Smith, Appl. Phys. Lett. 73, 3162 (1998). 57. J. R. Sheats, H. Antoniadis, M. Hueschen, W. Leonard, J. Miller, R. Moon, D. Roitman, and A. Stocking, Science 273, 884 (1996). 58. R. H. Friend, R. W. Gymer, A. B. Holmes, J. H. Burroughes, R. N. Marks, C. Taliani, D. D. C. Bradley, D. A. Dos Santos, J. L. Brédas, M. Lögdlund, and W. R. Salaneck, Nature (London) 397, 121 (1999). 59. H. Kim, C. M. Gilmore, A. Piqué, J. S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z. H. Kafafi and D. B. Chrisey, J. Appl. Phys. 86, 6451 (1999). 60. C. C. Wu, C. I. Wu, J. C. Sturm, and A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 70, 1348 (1997). 61. J. S. Kim, M. Granström, R. H. Friend, N. Johansson, W. R. Salaneck, R. Daik, W. J. Feast, and F. Cacialli, J. Appl. Phys. 84, 6859 (1998). 62. S. K. So, W. K. Choi, C. H. Cheng, L. M. Leung, and C. F. Kwong, Appl. Phys. A 68, 447 (1999). 63. S. J. O’Shea, R. M. Atta, M. P. Murrell, and M. E. Welland, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1945 (1995). 64. M. A. Lantz, S. J. O’Shea, and M. E. Welland, Phys. Rev. B 56, 15345 (1997). 65. A. Bietsch, M. A. Schneider, M. E. Welland, B. Michel, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1160 (2000). 66. T. W. Kelley and C. D. Frisbie, J. Vac. Sci. Technol. B 18(2), 632 (2000). 67. T. Nakao, T. Nakada, Y. Nakayama, K. Miyatani, Y. Kimura, Y. Saito, and C. Kaito, Thin Solid Films 370, 155 (2000). 68. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981). 69. H. Koyanagi, S. Hosaka, R. Imura, and M. Shirai, Appl. Phys. Lett. 67, 2609 (1995). 70. E. S. Snow and G. G. Jernigan, and P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 76, 1782 (2000). 71. N. P. Magtoto, C. Niu, B. M. Ekstrom, S. Addepalli, and J. A. Kelber, Appl. Phys. Lett. 77, 2228 (2000). 72. K. Sugiyama, H. Ishii, Y. Ouchi, and K. Seki, J. Appl. Phys. 87, 295 (2000). 73. D. J. Milliron, I. G. Hill, C. Shen, A. Kahn, and J. Schwartz, J. Appl. Phys. 87, 572 (2000). 74. Z. B. Deng, X. M. Ding, S. T. Lee, W. A. Gambling, Appl. Phys. Lett. 74, 2227 (1999). 75. X. M. Ding, L. M. Hung, L. F. Cheng, Z. B. Deng, X. Y. Hou, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 2704 (2000). 76. C.-I. Chao, K.-R. Chuang, and S.-A. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2894 (1996). 77. J. Shen, D. Wang, E. Langlois, W. A. Barrow, P. J. Green, C. W. Tang, and J. Shi, Synth. Met. 111-112, 233 (2000). 78. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burns, and A. B. Holmes, Nature 347, 539 (1990). 79. J. R. Sheats, H. Antoniadis, M. Hueschen, W. Leonard, J. Miller, R. Moon, D. Roitman, and A. Stocking, Science 273, 884 (1996). 80. R. H. Friend, R. W. Gymer, A. B. Holmes, J. H. Burroughes, R. N. Marks, C. Taliani, D. D. C. Bradley, D. A. Dos Santos, J. L. Br''edas, M. Lögdlund and W. R. Salaneck, Nature 397, 121 (1999). 81. F. Feller and A. P. Monkman, Appl. Phys. Lett. 76, 664 (2000). 82. S. N. Magonov and M.-H. Whangbo, Surface Analysis with STM and AFM (VCH, Weinheim, 1996). 83. H.-N. Lin, T.-T. Hung, E.-C. Chang, and S.-A. Chen, Appl. Phys. Lett. 74, 2785 (1999). 84. D. G. Lidzey, S. F. Alvarado, P. F. Seidler, A. Bleyer, and D. D. C. Bradley, Appl. Phys. Lett. 71, 2008 (1997). 85. S. F. Alvarado, P. F. Seidler, D. G. Lidzey, and D. D. C. Bradley, Phys. Rev. Lett. 81, 1082 (1998). 86. S. Webster, D. A. Smith, D. N. Batchelder, D. G. Lidzey, and D. D. C. Bradley, Ultramicroscopy 71, 275 (1998). 87. R. Stevenson, M. Granström, and D. Richards, Appl. Phys. Lett. 75, 1574 (1999). 88. 李裕正, 博士論文 (1999). 89. C.-I. Chao, K.-R. Chuang, and S.-A. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2894 (1996). 90. M. Fujihira, L.-M. Do, A. Koike, and E.-M. Han, Appl. Phys. Lett. 68, 1787 (1996). 91. J. C. Scott, J. H. Kaufman, P. J. Brock, R. DiPietro, J. Salem, and J. A. Goitia, J. Appl. Phys. 79, 2745 (1996). 92. B. H. Cumpston and K. F. Jensen, Appl. Phys. Lett. 69, 3941 (1996). 93. V. N. Savvate’ev, A. V. Yakimov, D. Davidov, R. M. Pogreb, R. Neumann, and Y. Avny, Appl. Phys. Lett. 71, 3344 (1997). 94. G. Gewinner, J. C. Peruchetti, A. Jaegle, and A. Kalt, Surf. Sci. 78, 439 (1978). 95. E. Bertel, R. Stockbauer, R. L. Kurtz, D. E. Ramaker, and T. E. Madey, Phys. Rev. B 31, 5580 (1985). 96. Z. B. Deng, X. M. Ding, S. T. Lee, and W. A. Gambling, Appl. Phys. Lett. 74, 2227 (1999). 97. X. M. Ding, L. M. Hung, L. F. Cheng, Z. B. Deng, X. Y. Hou, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 2704 (2000). 98. D. Damjanovic, Rep. Prog. Phys. 61, 1267 (1998). 99. 林諭男, 工業材料, 107, 49 (1999). 100. F. Saurenbach and B. D. Terris, Appl. Phys. Lett. 56, 1703 (1990). 101. P. Güethner and K. Dransfeld, Appl. Phys. Lett. 61, 1137 (1992). 102. K. Franke, J. Besold, W. Haessler, and C. Seegebarth, Surf. Sci. Lett. 302, L283 (1994). 103. T. Hidaka, T. Maruyama, M. Saitoh, N. Mikoshiba, M. Shimizu, T. Shiosaki, L. A. Wills, R. Hiskes, S. A. Dicarolis, and Jun Amano, Appl. Phys. Lett. 68, 2358 (1996). 104. A. Gruverman, O. Auciello, and H. Tokumoto, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 602 (1996). 105. A. Gruverman, O. Auciello, and H. Tokumoto, Appl. Phys. Lett. 69, 3191 (1996). 106. M. Alexe, C. Harnagea, D. Hesse, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 75, 1793 (1999). 107. L. M. Eng, Nanotechnolgy 10, 405 (1999). 108. P. Curie and J. Curie: Bull. Soc. Min. de France, 3, p90 (1880). 109. F. Xu, F. Chu, and S. Trolier-McKinstry, J. Appl. Phys. 86, 588 (1999). 110. A. L. Roytburd, S. P. Alpay, V. Nagarajan, C. S. Ganpule, S. Aggarwal, E. D. Williams, R. Ramesh. Phys. Rev. Lett. 85, 190 (2000). 111. O. Kuffer, I. M. Aprile, J. M. Triscon, O. Fischer and C. Renner, Appl. Phys. Lett. 77, 1701 (2000). 112. J. A. Christman, S. H. Kim, H. Maiwa, J. P. Maria, B. J. RodriguezA. I. Kingon. R. J. Nemanich. J. Appl. Phys. 87, 8031 (2000). 113. G. Zavala, J. H. Fendler and S. Trolier- McKinstry, J. Appl. Phys. 81, 7480 (1997). 114. A.Lin, X. Hong, V. Wood, A. A. Verekin, and C.H. Ahn, R. A. McKee, F. J. Walker, and E. D. Specht, Appl. Phys. Lett. 78, 2034(2001). 115. H. D.Chen, K. R. Udayakumar, C. J. Gaskey, and L. E. Cross, Appl. Phys. Lett. 67, 3411 (1995).
|