|
參考資料 1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2(34), L797 (1995). 2. S. Nakamura, T. Mokia, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1689 (1994). 3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Mat-sushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyodo, Appl. Phys. Lett. 70, 868 (1996). 4. M. A. Khan, A. R. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Oslon, Appl. Phys Lett. 62, 1786 (1993). 5. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 63,1(1993). 6. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993). 7. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoc¸, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994). 8. Z. Fan, S. Mohammad, and W. Kim, Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996). 9. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, and J. Washbum, Appl. Phys. Lett. 69,1556 (1996). 10. A. T. Ping, M. Asif Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 25, 819(1996). 11. W. Gotz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, and R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 68,667(1996). 12. Strite S and Morkoc H, J. Vac.Sci. Technol. B 10,1237(1992). 13. Robin M, Newman N, Chin J S, Fu T C and Ross J T, Appl. Phys. Lett. 64,64(1994) 14. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69 3537(1996). 15. L. L. Smith, R. F. Davis, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and Y. Huang, L. L. Smith, R. F. Davis, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and Y. Huang, 16. K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Babanin, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nidride Semicond. Res.1,38(1996). 17. Y. Yamaoka, Y. Kaneko, S. Nakagawa, and N. Yamada, Proceeding of Y. Yamaoka, Y. Kaneko, S. Nakagawa, and N. Yamada, Proceeding of Tokushima Japan,27-31 October 1997, p1-19. 18. D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lester, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421(1997) 19. T. Kim, J. Khim, S.Chae, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp Proc.468 , 427(1997) 20. T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res Soc. Symp. Proc.449,1061(1997) 21. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yanmasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81,1315(1997) 22. J. T. Trexler, S. J. Pearton, P. H. Holloway, M. G. Mier, K. R. Evans, and R. F. Karlicek, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449,1091(1997) 23. T. Kim, J. Khim, S.Chae, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc.468 , 427(1997) 24. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73,2953(1998) 25. J. —S. Jang, I.-S. Chang, T.-Y. Seong, S.Lee, and S.-J. Park, proceeding of the Second International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diode, Chiba, Japan, 29 September-2 October 1998, p. Tu-P33 26. L. Zhou, W. Lanford, A. T. Ping, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett.76 3451(2000). 27. J. —S. Jang, S.-J. Park, and T.-Y. Seong, Appl. Phys. Lett.76 2898(2000) 28. C. R. Lee, J.Y. Leem and B. G. Ahn Journal of Crystal Growth 216, 62 (2000). 29. 賴芳儀,國立交通大學光電工程研究所,碩士論文(2000). 30. C. F. Chu, C. C. Yu, Y. K. Wang, J. Y. Tsai, F. I. Lai, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 77, 3423 (2000). 31. S.D. Lester, F.A. Ponce, M.G. Craford, and D.A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66,1249 (1996). 32. A.T. Ping, Q. Chen, J.W. Yang, M.A. Khan, I. Adesida, IEEE Electron Device Letters 19, 54 (1998). 33. D.L. Barton, M. Osinski, C.J. Helms, N.H. Berg, B.S. Phillips, SPIE-Int. Soc. Opt. Eng 2694, 64 (1996). 34. J. Haisma, G.A.C.M Spierings, U.K.B. Biermann, and J.A. Pals, Jpn. J. Appl. Phys. 28, 1426 (1989). 35. T. Detchprohm, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 128, 384 (1993). 36. W.S. Wong, T. Sands, and N.W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 72, 599 (1998). 37. M.K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh, and M. Stutzmann, Phys. Stat. Sol. (A) 159, R3 (1997). 38. W. S. Wang, L. F. Schloss, G. S. Sudhir, B. P. Linder, K. M. Yu, E. R. Weber, T Sands, and N. W. Cheung, Master. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1011(1997). 39. W. S. Wang, and T. Sands, compound semiconductor 5(9), 55(1999).D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lester, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421 (1997). 40. W. S. Wang, M. Kneissl, P. Mei, A. W. Treat, M. Teepe, and N. M. Johnson, Jpn. J. Appl. Phys. Part2, 12A,L1203(2000). 41. M. J. Howes and D. V. Morgan “Gallium Arsenide” chapter 6 (1986). 42. Hadis Morkoc “Nitride Semiconductors and Devices” p196-197. 43. J. M. Poate, K. N. Tu and J. W. Mayer “Thin films - interdiffusion and reactions” (1978) p310. 44. W. Shockley in A. Goetzberger and R. M. Scarlett, “Reserch and Investigation of Inverse Epitaxial UHF Power Transistor,” ReP. No. AFAL-TDR-64-207, Air Force Avionics Lab., Wright-Patterson Air Force Base, OH, Sept. 1964. 45. G. S. Marlow and M. B. Das,Sol. Stat. Electro. 25,91(1982) 46. L. F. Lester, J. M. Brown, J. C. Ramer, L. Zhang, and S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett. 69, 2737(1996). 47. P. Williams and J. E. Baker, Nucl. Instrum. Methods, 182/183,15(1981). 48. K. Wittmaack, Vacuum 34,119(1984). 49. D. C. Look, D. C. Reynold, U. W. Hemsky, J. R. Sizelove, R. L. Jones and R. J. Molnar, Phys. Rev. Lett. 79, 2273(1997). 50. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, and K. K. Shin., J. Appl. Phys. 86,4491(1999). 51. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, and K. K. Shin., Appl. Phys. Lett. 74,1275(1999). 52. N. Birks and G. H. Meier, Introduction to High Temperature Oxideation of Metals, Ch 3(1982). 53. Hadis Morkoc “Nitride Semiconductors and Devices” p303 54. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. kim, O. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 68, 1672(1996). 55. D. Behr, J. Wagner, A. Ramakrishnan, H. Obloh, and K. H. Bachem, Appl. Phys. Lett. 73, 241(1998). 56. Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 59,10283(1999). 57. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jap.J.Appl.Phys.36,L382,(1997). 58. C. F. Chu, C. K. Lee, C. C. Yu, Y. K. Wang, J. Y. Tasi, C. R. Yang* and S. C. Wang, Proceeding of International Workshop of Nitride in Japan (2000). 59. Integration of GaN Thin Film with Dissimilar Substrate Materials by Wafer Bonding and Laser Lift-off, W. S. Wong, Engineering Material Science of the UNIVERSITY OF CALIFORNIA,BERKELEY (1999). 60. R. Groh, G. Gerey, L. Bartha and J. I. Pankove, Phys. Stat. Sol. A 26,353(1974).
|