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研究生:劉金妹
論文名稱:具推-,拉-官能基紫質衍生物的第一階非線性光學係數之計算(III)
指導教授:俞仁渭
學位類別:碩士
校院名稱:國立高雄師範大學
系所名稱:化學系
學門:自然科學學門
學類:化學學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
論文頁數:100
中文關鍵詞:第一階非線性光學係數理論計算紫質
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摘要
本研究利用ZINDO/1半經驗方法計算一系列在鎳金屬紫質環上將推電子基(NH2)和拉電子基([n]-CHO)接在不同的取代位置以及改變拉電子取代基的共軛鏈長(n=0-2)時的幾何優選,並進一步利用ZINDO/S-CI半經驗方法計算其第一階非線性光學係數B值(入射光波1907nm),以期推得能夠獲得最大第一階非線性光學係數的最佳取代位置,並探討改變拉電子基共軛鍵長(n=0-2)時,B值的改變情況。由計算結果得知,具強推-、拉-電子取代基的紫質分子當其取代基的相對位置有利電荷轉移時,因可形成較大程度的電荷轉移而擁有較大的B值,並且B值會隨著拉電子取代基共軛鍵長的增長而增加。

目錄
摘要…………………………………………………………i
目錄…………………………………………………………ii
第壹章 緒論………………………………………………1
一、 前言...…………………………………….……1
二、 非線性光學介……………………………………6
1. 非線性光學現象 …………………………….…6
2. 非線性光學理論:………………………………6
3. 非線性光學之相關文獻……………………….10
三、 研究…………………………………………….15
四、 分子設計樣…………………………………… 15
第貳章 理論…………………………………………….16
一、 分子軌域理論………………………………….18
二、 非線性光學係數之計算方法………………….27
三、 計算方法……………………………………….33
第參章 結果與討論…………………………………….34
一、 結構部分……………………………………….34
二、 B值部份…………………………………………38
三、 探討分子內電荷轉移能力和其B值的相關性…52
四、 二階模式理論模型…………………………… 59
第肆章 結論…………………………………………… 61
第伍章 參考文獻……………………………………….62
第陸章 附錄…………………………………………….64

第伍章 參考文獻
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