臺灣博碩士論文加值系統

本論文研究主要的目的在探討以Spin Spray Plating（SSP）製作的NiZn ferrite薄膜之高頻磁電性質。並比較於製程溶液中有無額外添加Fe3+離子，對樣品磁電性質造成之影響。本研究使用樣品震盪磁性量測儀進行磁化強度對外加磁場強度、溫度關係的量測，。觀察到由於製程溶液中添加Fe3+離子的樣品，其飽和磁化強度增強且磁性居禮溫度下降。因此使得低頻時導磁係數較高，自然共振頻率亦較高，較具高頻應用價值。本研究亦利用HP4284A阻抗分析儀，從事不同溫度下阻抗對頻率關係的量測，並施以外加磁場觀察。觀察到其阻抗行為並不受外加磁場影響，此點可利用導磁頻譜及阻抗頻譜經由等效電路法適配進行解釋，得到150Hz~1MHz的頻段阻抗由介電主導的結果。進一步分析適配參數，發現了353K附近樣品所出現的傳導載子轉變的現象。接著將阻抗利用等效電路法轉換成介電頻譜及交流導電率頻譜。觀察到其介電行為同時發生許多弛豫過程，暗示了傳導載子中有離子的存在。經由交流導電率的自由載子貢獻部分的平均自由時間適配，更驗證了此推論。而其束縛載子符合Aωs乘冪定律，在T<353K時以小極化子穿遂模式進行傳導。
本研究對以SSP製作的NiZn ferrite薄膜之高頻磁電行為及傳導機制，可提供此特殊低溫製程在磁電性應用製作之基礎。

This thesis reports the study on high frequency magnetic and electrical properties of the spin-spray plated Ni-Zn ferrite thin films.Here the films prepared using Fe2+ only and using the mixture of Fe2+ and Fe3+ have been studied. By adding Fe3+ ions to the reaction solution, it is expected to reduce the fraction of Fe2+ ions and thus enrich Ni composition in the NiZn ferrite film. It has been known that the increase of Ni composition increase the saturation magnetization of the films. Our study has reveal that the real part of permeability, at the frequency prior to the resonance loss occurred of NiZn ferrite films prepared with 10% mol Fe3+ ions in the reaction solution.
The impedance measurements were carried out in the frequency range 150Hz — 1MHz by HP 4284 impedance analyzer.An equivalent circuit composed of resistance and capacitance is applicable to model the complex impedance. This suggests that properties of ac transport and dynamic magnetization are contributed from different origins in the frequency range 150Hz — 1MHz . Adding Fe3+ together with Fe2+ ions in the reactive solution has demonstrated an effective method to decrease resistivity in the films. The dc conductivity have been studied as a function of temperature in the range of 303K~443K. The conductivity variation shows two different regions near 353K with a large variation in the activation energies.The possible mechanisms with respect to ionic conduction and electron hopping are discussed.Further analysis of ac conductivity has implied that free charge carriers include contributions of ionic conduction and small polaron may play important role for contributions to the ac conductivity in the film.
The result may provide a fundamental understanding of high frequency magnetic and electrical properties of the spin-spray plated Ni-Zn ferrite thin films,and imply tips for device application of the films.

第一章 導論---------------------------------------------1
§1-1 文獻回顧--------------------------------------------1
§1-2 研究動機與目的--------------------------------------7
第二章 實驗儀器與方法--------------------------------14
§2-1 樣品製備------------------------------------------14
§2-2 實驗儀器------------------------------------------17
第三章 相關分析理論介紹------------------------------25
§3-1 阻抗分析理論--------------------------------------25
§3-2 介電遲豫現象--------------------------------------31
§3-3 介電模數理論--------------------------------------37
§3-4 離子導電性與電子導電性----------------------------42
§3-5 交流傳導理論--------------------------------------44
第四章 實驗結果與討論 -------------------------------53
§4-1 SSP製程之NiZn Ferrites薄膜磁電特性----------------53
§4-2 以等效電路法分析SSP製程之NiZn Ferrites薄膜-------67
§4-3 RC等效電路法適配參數分析--------------------------82
§4-4 以介電模數機制分析SSP製程之Ni-Zn Ferrite---------90
§4-5 SSP製程之Ni-Zn Ferrites薄膜交流傳導率分析-------106
第五章 結論--------------------------------------120
參考文獻------------------------------------------124

[1]〝磁性物理學〞，鄭振東編譯，全華出版社，（1999）。
[2] Tatsuya Nakamura，J.Appl.Phys.，88，348（2000）
[3]Takanori Tsutaoka，Masahiro Ueshima，and Toshihiko Tokunaga，Tatsuya Nakamura，kenichi ldatakeyama，J.Appl.Phys，78,，3983
[4]Takanori Tsutaoka，Teruhiro Kasagi and Kenichi Hatakeyama，Journal of European Ceramic Society，19，1531，（1999）
[5] 〝FERRITES〞，J.SMIT，H.P.J.WIJN，Tokyo，Japan（1965）
[6] B.K.Kuanr，P.K.Singh，P.Kishan and N.Kumar，S.L.N.Rao，Prabhat.K. Singh，G.P.Srivastava，J.Appl.Phys.，63，3780（1988）
[7] V. K. Babbar and J. S.Chandela，J.Appl.Phys.，78，2585（1995）
[8] M.A.El.Hiti，J.Phys.D:Appl.Phys.，29，501（1996）
[9] S.A.Mazen，H.M.Zaki，J.Phys.D:Appl.Phys.，28，609（1995）
[10] 〝OXIDE MAGNETIC MATERIALS〞，K.J.STANDLEY（1972）
[11] Martha Pardavi-Horvath，J. Magn. Magn. Mater，215-216，.171（2000）
[12] Masanori Abe and Yutaka Tamaura，Jpn. J. Appl. Phys，22，511，（1983）
[13]M. Abe， Electrochimica Acta， 45, pp. 3337—3343,（2000）
[14]N. Matsushita，C. P. Chong，T. Mizutani，And M. Abe，to be published (J.Appl. Phys. 2002.)
[15]A .R .James，S.Priya and K.Uchino，K.Srinivas，J.Appl.Phys，90，3054（2001）
[16]S.LanfrediJ.F.carvalho，A.C.Hernandes，J.Appl.Phys，88，283（2000）
[17]Gil Markvich，Charles P.Collier，and James R.Heath，Phys.Rer.Lett，80，3807（1998）
[18]S.Saha and S.B.Krupqnidhi，J.Appl.Phys，87，849（2000）
[19]F.A.Grant，J.Appls.Phys.，29，76，（1957）
[20]D.C.Sinclair and A.R.West，Phys.Rev.B，39，13486
[21]R.Valenzuela，M.knobel,M.Vazquez and A.Hernando，J.Appl.Phys，78，5189（1995）
[22]G.Aguilar_Sahagun，P.Quintana,E.Amano，J.T.S.Irvine,and R. Valenzela，J. Appls.Phys，75，7000（1994）
[23]E.Amano.andR.Valenzuela，J.T.S.lrvine and A.R.West，J.Appl.Phys，67，5589（1990）
[24]S.R.Elliott，J.Non-Cryst.Sloids，183，151，（1995）
[25]D.L.Srde bottom，P.F.Green,R.K,Brav，J.Apply.Phys，68，5128，（1990）
[26]K.Pathmanathan and J.R.Stevens，J.Appl.Phys，68，5128（1990）
[27] 〝半導體物理與元件〞，張俊彥譯著，施敏原著，高立出版社（1997）
[28] 〝Semiconductor Physics〞，K.Seeger，新清華科學圖書出版社（1973）
[29]A.R.Long， Advances in Physics，31，553（1982）
[30]S.R.Elliott，Advances in Physics，36，135（1987）
[31]A.K.Janscher，Nature，264，673（1977）
[32]〝Introduction to Solid State Physics〞，Chares Kittel（John Wiley&Sons，1996）
[33]A.Gupta，X.W.Li and Gang Xiao，J.Appl.Phys，87，6073（2000）
[34]A.Huanosta，O.Alvarez-Fregoso，and E.Amano，J.Appl.Phys，69，404（1991）
[35]Haitao Ye，Chang Q.Sun，Haitao Huang， and Hing，J.Appl.Phys，78，1826（2001）
[36]R.Raman and V.R.K.Murthy，B.Viswanathan，J.Appl.Phys，69，4053（1991）
[37]R.Manjula，V.R.K.Murthy，and J.Sobhanadri，J.Appl.phys，59，2929（1986）
[38]〝電工材料〞，吳朗編著，滄海書局（1988）
[39]Reji Thomas. andV.K.Varadan，S.komayneni，D.C.Dube，J.Appl.Phys，90，1480，（2001）