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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:蔡東明
研究生(外文):Tung-Ming Tsai
論文名稱:破壞全氟化合物的低溫常壓電漿設備開發
論文名稱(外文):Low Temperature and Normal Pressure Plasma Equipment Developed for destroying Perfluorocompounds
指導教授:張國慶張國慶引用關係
指導教授(外文):Kuo-Ching Chang
學位類別:碩士
校院名稱:國立屏東科技大學
系所名稱:環境工程與科學系
學門:工程學門
學類:環境工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
論文頁數:66
中文關鍵詞:電暈電漿四氟化碳全氟化合物
外文關鍵詞:CoronaPlasmaCF4Perfluorocompounds
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本研究的目的在於嘗試一新的電漿設備,使其對於全氟化合物中的四氟化碳能予以破壞。現階段已完成電漿設備的製作、組裝及點燃測試。電漿設備的點燃測試主要在於確定可點燃的條件,測試的條件包括氣體的流量、氣體的種類、電極的距離。現階段的點火測試中,已有點燃的成功經驗,測試結果顯示在電漿腔體內,氣體的流量越大,電極間的距離越短,則可提高電漿點燃的成功率,且也具有穩定電漿的效果,未來仍可繼續朝向產生高能量的電漿以破壞四氟化碳,或可將此設備改良予以破壞其他空污氣體。

The purpose of this study was to develop a low temperature and normal pressure plasma equipment for destroys CF4 of Perfluorocompounds. The plasma equipment had been successfully established, fabricated and tested. In the process of testing, some parameters were changed to find suitable ignition conditions, including gas flow rate, type of gas and distance between electrodes. Now, the chamber was successfully firing. From some successful firing experience, it would be helpful to stabilize and hold the plasma by increasing gas flow and shortening distance between electrodes. The future work is to produce high-energy plasma on equipment for destroying CF4 or other gases of air pollution.

總目錄
頁 次
中文摘要 I
英文摘要 錯誤! 尚未定義書籤。
誌謝 IV
總目錄 V
表目錄 VIII
圖目錄 IX
第一章 前言 1
第二章 文獻回顧 4
2.1 溫室效應 4
2.2 全氟化物的簡介 7
2.3 全氟化物控制策略 14
2.3.1替代化學物 15
2.3.2製程最佳化 16
2.3.3回收再利用 18
2.3.4破壞削減 19
2.4 電漿 23
2.4.1電漿的生成 25
2.4.2常壓電漿的種類 31
第三章 材料與方法 36
3.1 實驗設備 36
3.1.1氣體供應系統 38
3.1.2電漿系統 42
3.1.3反應物及產物分析系統 45
3.2實驗方法 47
3.2.1點火能量測試 48
3.2.2點火測試 48
3.2.3四氟化碳破壞測試 48
3.3實驗步驟 49
3.3.1實驗前準備工作 49
3.3.2點火程序 50
3.3.3熄火程序 51
第四章 結果與討論 52
4.1點火的測試結果 52
4.2四氟化碳被破壞的結果 55
4.2.1實驗一 55
4.2.2實驗二 56
4.2.3實驗三 57
4.2.4實驗四 58
4.2.5實驗五 59
4.2.6實驗六 60
第五章 結論 61
第六章 建議事項 62
第七章 參考文獻 63
作者簡介 66

1. 艾啟峰,1998。電漿工程科技在表面處理工業應用之發展(上)科儀新知 20:79-89。
2. 余榮彬,半導體工業燃氟化物排放控制技術與機會,TSIA專題報導摘選,民國88年4月。
3. 呂榮峰,BaTiO3填充床電漿反應器破壞CF4之初步研究,國立中央大學環境工程研究所碩士論文,民國90年。
4. 李灝銘,以低溫電漿去除揮發性有機物之研究, 國立中央大學環境工程研究所博士論文,民國90年。
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7. 郭有斌、洪昭南,”以化學氣相沉積法成長半導體薄膜”,化工技術第七卷第十二期。
8. 謝賢書等,”直流電漿火炬之基本原理”工研院著作(1993) 。
9. 謝賢書等,”直流電漿火炬之設計與測試”工研院著作(1995) 。
10. 謝賢書等,”微波電漿處理氣態污染物之基本原理”工研院著作(1994) 。
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