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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:沈郁玲
研究生(外文):Yu-Ling Shen
論文名稱:回火環境對氮化銦鎵發光強度影響之研究
論文名稱(外文):The study of InGaN illumination intensity affected with post annealing environment
指導教授:甘德新
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:材料科學研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
論文頁數:60
中文關鍵詞:氮化銦鎵
外文關鍵詞:InGaN
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本實驗中將加入AlN與InN powder作為改變退火環境的控制參數,來明瞭InGaN/GaN量子井經過退火後,試片品質及光性與退火環境的關係
We will add AlN and InN powder in order to change the post annealing environment. We want to understand the quality and optical properties of InGaN/GaN quantum well undergoing post annealing.
前言
第二章 理論基礎
2.1 薄膜沉積原理
2.2 化學氣相沈積(CVD)
2.3 陰極螢光光譜原理
第三章 實驗方法
3.1 實驗步驟
3.2 試片準備與石英封管
3.3 熱退火處理
3.4 試片的量測與分析
第四章 結果與討論
4.1原子力顯微鏡量測分析
4.2 光致激光光譜量測分析
4.3 陰極發光光譜量測分析
4.4 場發射式掃描式電子顯微鏡分析
4.5 穿透式電子顯微鏡分析
第五章 結論
參考文獻
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