跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(3.238.98.39) 您好!臺灣時間:2022/09/26 11:48
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:莊佳智
研究生(外文):Chia Chih Chuang
論文名稱:以微波加熱化學氣相沉積法成長奈米碳管與碳奈米線之研究
論文名稱(外文):Growth of carbon nanotubes and nanowires by microwave heating chemical vapor deposition
指導教授:黃金花黃金花引用關係
指導教授(外文):Jin Hua Huang
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學工程學系
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
論文頁數:140
中文關鍵詞:奈米碳管碳奈米線場發射化學氣相沉積法微波
外文關鍵詞:carbon nanotubescarbon nanowirescarbonfield emissionCVDMicrowave
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:168
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:1
奈米碳管與碳奈米線具有質量輕、高強度、高韌性、可撓曲、高表面積、高熱導度和良好場發射特性等優越性質,因此也就衍生了許多新的應用。由於奈米碳管與碳奈米線具低起始電場與高電流密度的特性,故目前以應用於場發射顯示器(CNTs-FED)為主。本實驗的目的是找出最佳的成長條件,以符合場發射顯示器的應用。
本實驗以微波加熱化學氣相沉積法(microwave-heated chemical vapor deopsition:MH-CVD)成長碳奈米材料,利用E-gun蒸鍍機,將不同鎳膜厚度蒸鍍於基板上做為催化金屬。成長完成之碳膜先經由場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM)和穿透式電子顯微鏡(TEM)做顯微結構觀測與分析,藉以了解碳奈米材料的結構與結晶性,再藉由Raman光譜分析碳奈米結構結晶性比例,因碳奈米結構之結晶性關係著場發射特性的好壞。最後進行場發射特性量測。
目前本實驗在成長碳奈米材料上已有重大進展,其中碳奈米材料包含奈米碳管與碳奈米線。在不對催化金屬做前處理製程,且不添加任何電場下,也能成長出垂直於基板之奈米碳管與碳奈米線,且奈米碳管與碳奈米線之直徑分布可達到相當均勻的程度。另一方面,對於大面積成長奈米碳管與碳奈米線,最大之成長面積可達3英吋(inch),且碳奈米結構具高密度與高均勻性。本實驗將碳奈米材料場發射特性推至最佳化,能成長出具優異場發射特性的奈米碳管與碳奈米線:起始電場小於0.1 V/mm,當電場在1.5 V/mm時電流密度已達到10 mA/cm2,且最大的電流密度可達463.16 mA/cm2。
本實驗除了在矽基板上成長奈米碳管與碳奈米線外,也在ITO玻璃與金屬基板上成長碳奈米材料。在金屬基板方面,由實驗結果可知,碳奈米結構相當均勻,且具有高密度。在ITO玻璃上所成長之碳奈米材料,其成長溫度在510℃左右,成長時間為30分鐘,鎳膜厚度是100 nm,奈米碳管與碳奈米線也呈現良好之場發射性:起始電場在0.39 V/mm,電場在4.39 V/mm時電流密度為10 mA/cm2,最大電流密度可達10.46 mA/cm2。
綜合以上的結果可知,本實驗在矽基板和ITO玻璃上成長奈米碳與碳奈米線,已達到場發射顯示器之使用標準。以本實驗所得之實驗結果,應能對場發射顯示器之發展有所貢獻,使得場發射顯示器之效能獲得提升。

誌謝………………………………………………………………………I
摘要…………………………………………………………………….II
目錄……………………………………………………………………III
表目錄………………………………….…………………..…….……..VI
圖目錄…………………………………………………………………VII
第一章、緒論
1.1簡介……………………………………………………………………….….…001
1.2研究動機與目的..………………………………….…………………………002
1.3奈米碳管特性……………………………………….…………………………003
1.4奈米碳管年表……………………………………………………………….…005
1.5參考文獻…………………………………………………………………….…007
第二章、文獻回顧
2.1場發射理論……………………………………………………….……….……009
2.1.1碳奈米結構場發射特性……………………….……………………….….009
2.2Raman光譜……………………………………….…………………………….012
2.2.1何謂Raman光譜…………………………………………………………..012
2.2.2 Raman光譜儀裝置………………………………………………………...013
2.2.3 Raman散射的應用………………………………………………………...014
2.2.4具SP2碳原子之震動模式………………………………………………… 014
2.2.5 Raman散射在奈米碳管的應用…………………………………………...016
2.3奈米碳管之成長機構……………………………………………………….….019
2.4.1微觀動態機構模擬………………………………………………………...019
2.4.2成長機制之探討………………………………………………………..….022
2.4奈米碳管的應用……………………………………………………………..…027
2.5參考文獻…………………………………………………………………….….029
第三章、實驗方法與步驟
3.1研究方法………………………………………………………………………..030
3.2實驗步驟…………………………………………………………………….….030
3.2.1基材之清潔………………………………………………………………...031
3.2.2金屬催化劑蒸鍍……………………………………………………….…..031
3.2.3成長奈米碳管與碳奈米線………………………………………………...031
3.2.4成長碳奈米材料之實驗設計……………………………………………...033
3.2.5顯微結構與電性量測……………………………………………………...034
第四章、實驗結果與討論
4.1鎳膜厚度對成長奈米碳管與碳奈米線的影響………………………………..037
4.1.1微波功率1000W(~650℃)時,不同鎳膜厚度對成長奈米碳管與碳奈米線之影響……………………………………………………………………037
4.1.2微波功率900W(~600℃)下,不同鎳膜厚度對成長奈米碳管與碳奈米線之影響………………………………………………………………………044
4.1.3較佳鎳膜厚度之選擇……………………………………………………...047
4.2成長時間對奈米碳管與碳奈米線的影響…….………………………...……..066
4.2.1 SEM顯微結構…………………………………….……………………….066
4.2.2 Raman光譜分析…………………………………………………………...067
4.3不同基板(Substrates)對成長奈米碳管與碳奈米線的影響………………076
4.3.1 SEM顯微結構……………………………………………………………..076
4.3.2 Raman光譜…………………………………………………………….…..077
4.3.3場發射特性…………………………………………………………….…..078
4.4奈米碳管與碳奈米線成長溫度與時間之關係………………………….…….084
4.5鎳膜在矽晶片(Si wafer)上之表面型態(Morphology)…………………092
4.6最佳成長條件之選擇………………………………………………….……….096
4.6.1 SEM顯微結構……………………………………………………………..096
4.7選區成長………………………………………………………………….…….102
4.8以ITO玻璃為基板成長奈米碳管與碳奈米線……………………….…..…..105
4.10.1顯微結構…………………………………………………………….……105
4.10.2 Raman光譜分析………………………………………………………….105
4.10.3場發射特性……………………………………………………………….106
4.9奈米碳管與碳奈米線之成長機制與結構…………………………..…….…...110
4.9.1成長機制………………………………………………..………………….110
4.9.2奈米碳管與碳奈米線之結構…………………………………..………….111
4.9.3具方向性碳奈米結構………………………………………………..…….111
第五章、結論
5.1鎳膜厚度對成長奈米碳管與碳奈米線的影響…………………………….….118
5.2成長時間對成長奈米碳管與碳奈米線的影響………………………………..119
5.3不同基板成長奈米碳管與碳奈米線…………………………………………..119
5.4成長溫度與時間的關係………………………………………………………..120
5.5鎳膜之表面型態………………………………………………………………..121
5.6最佳成長條件與結果…………………………………………………………..121
5.7場發射效應對奈米碳管結構之影響…………………………………………..122
5.8成長機制………………………………………………………………………..122
5.9參考文獻………………………………………………………………………..126

[1] Thomas W. Ebbesen, Carbon nanotubes preparation and properties, CRC press, 1997.
[2] R. Saito and G .Dresselhaus, Physical properties of carbon nanotubes, Imperial College Press, 1998.
[3] M. Endo, S. Iijima and M. S. Dresselhaus, Carbon nanotubes, Pergamon, 1996.
[4] Peter J.F. Harris, Carbon nanotubes and related structure, Cambridge University Press, 1999.
[5] M. S. Dresseliiaus, G. Dresselhaus and P. C. Eklund, Science of fullerences and carbon nanotubes, Academic Press, 1996.
[6] M. S. Dresselhaus, Carbon nanotubes : synthesis, structure, properties, and appli- cation, Springer, 2000.
[7] Z. F. Ren, Z. P. huang, J. W. Xu, J. H. Wang, P. Bush, M. P. Siegal and P. N. Pro- vencio, Science 282, 1105(1998).
[8] J. C. Charlier, A. D. Vita, X Blasé and Roberto Car, Science 275, 647(1997).
[9] W. Z. Li, S. S. Xie, L. X. Qian, B. H. Chang, B. S. Zou, W. Y. Zhou, R. A. Zhao and G. Wang, Science 274, 1701(1996).
[10] P. G. Collins, A. Zetti, H. Bando, A. Thess and R. E. Smalley, Science 278, 100(1997).
[11] M. S. Dresselhaus, Science 292, 650(2001).
[12] G. Che, B. B. Lakshmi, E. R. Fisher and C. R. Martin, Nature 393, 346(1998).
[13] J. H. Hafner, C. L. Cheung and C. M. Lieber, Nature 398, 761(1999).
[14] K. B. K. teo, M Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, D. G. Hasko, G. Pirio, P. Legagneux, F. Wyczisk and D. Pribat, Appl. Phys. Lett, 79, 1534(2001).
[15] E. Yenilmez, Qian Wang, R. J. Cjen, D. wang and Hongjie Dai, Appl. Phys. Lett, 80, 2225(2002).
[16] M. P. Siegal, D. L. Overmyer and P. P. Provencio, Appl. Phys. Lett, 80, 2171(20 02).
[17] C. L. Tsai, C. F. Chen and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett, 80, 1821(2002).
[18] Y. Y. Wei, G. Eres, V. I. Merkulov and D. H. Lowndes, Appl. Phys. Lett, 78, 1394(2001).
[19] L. C. Qin, D. Zhou, A. R. Krauss and D. M. Gruen, Appl. Phys. Lett, 72, 3437(19 98).
[20] A. Cao, Xi. Zhang, C. Xu, J. Liang and D. Wu, Appl. Phys. Lett, 79, 1252(2001).
[21] W. Hu, D. Gong, Z. Chen, L. Yuan, K. Saito and P. Kichambare, Appl. Phys. Lett, 79, 3083(2001).
[22] Y. S. Han, J. K. Shin and S. T. Kim, J. Appl. Phys, 90, 5731(2001).
[23] N. R. Franklin, Y. Li, R. J. Chen, A. Javey and Honglie Dai, Appl. Phys. Lett, 79, 4571(2001).
[24] J. Y. Lao, W. Z. Li, J. G. Wen and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett, 80, 500(2002).
[25] M. Yudasaka, R. Kikuchi, T. Matsui, Y. Ohki, S. Yoshimura and E. Ota, Appl. Phys. Lett, 67, 2477(1995).
[26] Y. Avigal and R. Kalish, Appl. Phys. Lett, 78, 2291(2001).
[27] Y. Y. Wei, G. Eres, V. I. Merkulov and D. H. Lowndes, Appl. Phys. Lett, 78, 1394(2001).
[28] Y. C. Choi, Y. M. Shin, Y. H. Lee, B. S. Lee, G. S. Park, W. B. Choi, N. S. Lee and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett, 76, 2367(2000).
[29] L. F. Sun, S. S. Xie, J. M. Mao, Z. W. Pan, B. H. Chang, W. Y. Zhou, G. Wang and L. X. Qian, Appl. Phys. Lett, 76, 828(2000).
[30] A. A. Setlur, S. P. Doherty, J. Y. Dai and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett, 76, 300 8(2000).
[31] J .M. Mao, L. F. Sun, L. X. Qian, Z. W. Pan, B. H. Chang, W. Y. Zhou and G. Wa- ng, Appl. Phys. Lett, 72, 3297(1998).
[32] S. L. Sung, S. H. Tsai, C. H. Tseng, F. K. Chiang, X. W. Liu and H. C. Shih, Appl. Phys. Lett, 74, 197(1999).
[33] T. Iwasaki, T. Motoi and T. Den, Appl. Phys. Lett, 75, 2044(1999).
[34] J. S. Suh and J. S. Lee, Appl. Phys. Lett, 75, 2047(1999).
[35] H. M. Cheng, F. Li, G. Su, X. Sun and M. S. Dresselhaus, Appl. Phys. Lett, 72, 3282(1998).
[36] Y. Zhang, H. Gu and S. Iijima, Appl. Phys. Lett, 73, 3827(1998).
[37] L. F. Sun, J. M. Mao, Z. W. Pan, B. H. Chang, W. Y. Zhou, G. Wang, L. X. Qian and S. S. Xie, Appl. Phys. Lett, 74, 644(1999).
[38] Z. P. Huang, J. W. Xu, Z. F. Ren, J. H. Wang, M. P. Siegal and P. N. Provencio, Appl. Phys. Lett, 73, 3845(1998).
[39] H. Ago, T. Komatsu, S. Ohshima, Y. Kuriki and M. Yumura, Appl. Phys. Lett, 77, 79(2000).
[40] Qidao Chen and Liming Dai, Appl. Phys. Lett, 76, 2719(2000).
[41] Z. F. Ren, Z. P. Huang, D. Z. Wang, J. G. Wen, J. W. Xu, J. H. Wang, L. E. Calvet, J. Chen, j. F. Klemic and M. A. Reed, Appl. Phys. Lett, 75, 1086(1999).
[42] V. I. Merkulov, D. H. Lowndes, Y. Y. Wei and G. Eres, Appl. Phys. Lett, 76, 3555(2000).
[43] Y. M. Shyu and F. C. N. Hong, Diam. Rela. Mate, 10, 1241(2001).
[44] B. Gan , J. Ahn, Q. Zhang, S. F. Yoon, Rusli, Q. F. Huang. H. Yang, M. B. Yu and W. Z. Li, Diam. Rela. Mate, 9, 897(2000).
[45] M. Jung, K. Y. Eun, J. K. Lee, Y. J. Baik, K. R. Lee and J. W. Park, Diam. Rela. Mate, 10, 1235(2001).
[46] Y. S. Woo, D. Y. Jeon, I. T. Han, N. S. Lee, J. E. Jung and J. M. Kim, Diam. Rela. Mate, 11(2002).
[47] A. M. Bonnot, M. N. Semeria, J. F. Boronat, T. Fournier and L. Pontonnier, Diam. Rela. Mate, 9, 852(2000).
[48] C. J. Lee, S. C. Lyu, Y. R. Cho, j. H. Lee and K. I. Cho, Chem. Phys. Lett, 344, 24 5(2001).
[49] Randall L, Vander Wal, Chem. Phys. Lett, 324, 217(2000).
[50] B. C. Satishkumar, A. Govindaraj and C. N. R. Rao, Chem. Phys. Lett, 307, 158(1999).
[51] M. Ishigami, J. Cumings, A. Zettl and S. Chen, Chem. Phys. Lett, 319, 457(20 00).
[52] M. Nath, B. C. Satishkumar, A. Govindaraj, C. P. Vinod and C. N. R. Rao, Chem. Phys. Lett, 322, 333(2000).
[53] M. A. Guillorn, T. E. mcknight, A. Melechko, V. I. Merkulov, P. F. Britt and D. W. Austin, J. Appl. Phys, 91, 3824(2002).
[54] M. Tanemura, K. Iwata, K. Takahashi, Y. Fujimoto, F. Okuyama. H. Sugie and V. Filip, J. Appl. Phys, 90, 1529(2001).
[55] H. Cui, O. Zhou and B. R. Stoner, J. Appl. Phys, 88, 6072(2000).
[56] J. Kim, K. No and C. J. Lee, J. Appl. Phys, 90, 2591(2001).
[57] M. Chhowalla, K. B. K. Teo, C. Ducati, N. L. Rupesinghe, G. A. J. Amaratunga, A. C. Ferrari, D. Roy, J. Robertson and W. I. Milne, J. Appl. Phys, 90, 5308(2001).
[58] Y. S. Park, Y. C. Chio, K. S. kim, D. C. Chung, D. J. Bae, K. H. An, S. C. Lim and X. Y. Zhu, Carbon, 39, 655(2001).
[59] Y. Wen and Z. Shen, Carbon, 39, 2369(2001).
[60] A. Gorbunov, O. Jost, W. Pompe and A. Graff, Carbon, 40, 113(2002).
[61] B. Q. Wei, Z. J. Zhang, P. M. Ajayan and G. Ramanath, Carbon, 40, 47(2002).
[62] K. Hernadi, A. Foneseca, J. B. Nagy, D. Bernaerts and A. A. Lucas, Carbon, 34, 1249(1996).
[63] H. Yokomichi, F. Sakai, M. Ichihara and n. Kishimoto, Thin. Solid. Films, 395, 253(2001).
[64] X. Wang, Z. Hu, Q. Wu, X. Chen and Y. Chem, Thin. Solid. Films, 390, 130(2 001).
[65] X. H. Chen, S. Q. Feng, Y. Ding, J. C. Peng and Z. Z. Chen, Thin. Solid. Films, 339, 6(1999).
[66] G. W. Ho, A. T. S. Wee, J. Lin, W. C. Tjiu, Thin. Solid. Films, 388,73(2001).
[67] A. Peigney, P. Coquay, E. Flahaut, R. E. Vandenberghe, E. D. Grave and C. Lau- rent, J. Phys. Chem. B, 105, 9699(2001).
[68] X. Wang, J. Lu, Y. Xie, G. Du, Q. Guo and S. Zhang, J. Phys. Chem. B, 106, 933(2002).
[69] S. Bandow, S. Asaka, Y. Saito, A. M. Rao, L. Grigorian, E. Richter and P. C. Ek- lund, Phys. Revi. Lett, 80, 3779(1998).
[70] Z. P. Huang, D. Z. Wang, J. G. wen, M. Sennett, H. Gibson and Z. F. Ren, Appl. Phys. A, 74, 387(2002).
[71] B. Liu, Z. Zhong, J. Ding, J. Lin, Y. Shi and L. Si, J. Mate. Chem, 11, 2523(20 01).
[72] C. Klinke, J. M. Bonard and k. Kern, Surf. Scie. 492, 195(2001).
[73] T. Okazaki, K. Suenaga, K. Hirahara, S. bandow, S. Iijima and H. Shinohara, J. Am. Chem. Soc, 123, 9673(2001).
[74] X. Y. Zhang. L. D. Zhang, G. H. Li and L. X. Zhao, Mate. Scie. Engi, 308, (2001).
[75] Q. Zhang, S. F. Yoon, J. Ahn, B. Gan. Rusli and M. B. Yu, J. Phys. Chem. Soli. 61, 1179(2001).
[76] K. liao and S. Li, Appl. Phys. Lett, 79, 4225(2001).
[77] E. C. Dickey, C. Grimes, M. K. Jain, K. G. Ong, D. Qian, P. D. Kichambare, R. A- ndrews and D. Jacques, Appl. Phys. Lett, 79, 4022(2001).
[78] M. Buongiorno, Nardelli, J. L. fattebert, D. Orlikowaski, C. Roland and Q. Zhao, Carbon, 38, 1703(2000).
[79] D. Y. Zhong, G. Y. Zhang, S. Liu, T. Sakurai and E. G. Wang, Appl. Phys. Lett, 80, 506(2002).
[80] J. S. Suh, K. S. Jeong, J. S. Lee and I. Han, Appl. Phys. Lett, 80, 2392(2002).
[81] Z. H. Yuan, H. Huang, H. Y. Dang, J. E. Cao, B. H. Hu and S. S. Fan, Appl. Phys. Lett, 78,(2001).
[82] W. A. D. Heer, J. M. Bonard, T. Stockli, A. Chatelain, L. Forro and D. Ugarte, Z. Phys. D, 40, 418(1997).
[83] J. H. Han, W. S. Yang, J. B. Yoo and C. Y. Park, J. Appl. Phys, 88, 7363(2000).
[84] Y. J. Li, Z. Sun, S. P. Lau, G. Y. Chen and B. K. Tay, Appl. Phys. Lett, 79, 1670(2001).
[85] Y. Saito and S. Uemura, Carbon, 38, 169(2000).
[86] L. Nilsson, O. Groning, P. Groning, O. Kuttel and L. Schlapbach, Thin Solid Fi- lms, 383, 78(2001).
[87] S. J. Chung, S. H. Lim and J. Jang, Thin Solid Films, 383, 73(2001).
[88] H. Araki, T. Katayama and K. Yoshino, Appl. Phys. Lett, 79, 2636(2001).
[89] J. T. thong, C. H. Oon, W. K. Eng, W. D. Zhang and L. M. Gan, Appl. Phys. Lett, 79, 2811(2001).
[90] M. Hirakawa, S. Sonoda, C. Tanaka, H. Murakami and H. Yamakawa, Appl. Surf. Scie. 169, 662(2001).
[91] J. M. Bonard, J. P. Salvetat, T. Stockli, L. Forro and A. Chatelain, Appl. Phys. A, 69, 245(1999).
[92] A. G. Umnov and V. Z. Mordkovich, Appl. Phys. A, 73, 301(2001).
[93] M. Chhowalla, C. Ducati, N. L. rupesinghe, K. B. teo and G. A. J. Amaratunga, Appl. Phys. Lett, 79, 2079(2001).
[94] J. M. Bonard, N. Weiss, H. Kind, T. Stockli, L. Forro, K. Kern and A. Chatelain, Adv. Mater, 13, 184(2001).
[95] J. M. Bonard, J. P. Salvetat, t. Stockli, W. A. de Heer, L. Forro and A. chatelain, Appl. Phys. Lett, 73, 918(1998).
[96] J. I. Sohn, S. Lee, Y. H. Song, S. Y. Choi, K. I. Cho and K. s. NAM, Appl. Phys. Lett, 78, 901(2001).
[97] J. M. Bonard, R. Kurt and C. Klinke, Chem. Phys. Lett, 343, 21(2001).
[98] J. M. Bonard, T. Stockli, O. Noury and A. Chatelain, Appl. Phys. Lett, 78, 2775(2001).
[99] G. W. Ho, A. T. S. Wee and J. Lin, Appl. Phys. Lett, 79, 260(2001).
[100] O. M. kuttel, O. Groening, C. Emmenegger and l. Schlapbach,. Appl. Phys. Lett, 73, 2113(1998).
[101] M. Kumar, M. Sharon, Y. Ando and X. Zhao, Diam. Rela. Mate, 10, 883(2001).
[102] V. I. Merkulov, D. H. Lowndes, L. R. Baylor and S. Kang, Solid State Elec, 45, 949(2001).
[103] A. Cao, L. Ci, D. Li, B. Wei, C. Xu, J. Liang and D. Wu, Chem. Phys. Lett, 335, 150(2001).
[104] J. Zhu, D. J. Mao, A. Y. Cao, J. Liang, B. Q. Wei, C. L. Xu, D. H. Wu, Z. A. Pe- ng, B. H. Zhu and Q. L. Chen, Mate. Lett, 37, 116(1998).
[105] A. N. Obraztsov, A. P. Volkov and I. Pavlovsky, Diam. Rela. Mate, 9, 1190(2000).
[106] Y. Wei, C. Xie. K. A. Dean and B. F. Coll, Appl. Phys. Lett, 79, 4527(2001).
[107] K. H. Chen, J. J. Wu, L. C. Chen, C. Y. Wen, P. D. Kichambare, F. G. Tarntair, P. F. Kuo, S. W. Chang and Y. F. Chen, Diam. Rela. Mate, 9, 1249(2000).
[108] M. Yumura, S. Ohshima, K. Uchida, Y. Tasaka, Y. Kuriui, F. Ikazaki, Y. Saito a- nd Uemura, Diam. Rela. Mate, 8, 785(1999).
[109] S. C. Lim, Y. C. Choi, H. J. Jeong, Y. M. Shin, K. H. An, D. J. Bae, Y. H. Lee, N. S. Lee and J. M. Kim, Adv. Mater, 13, 1563(2001).
[110] f. Ito, K. Konuma and A. Okamoto, J. Appl. Phys, 89, 8141(2001).
[111] C. J. Lee, J. Park, S. Han and J. Ihm, Chem. Phys. Lett, 337, 398(2001).
[112] S. H. Jeong, H. Y. Hwang K. h. Lee and Y. Jeong, Appl. Phys. Lett, 78, 2052(2001).
[113] V. I. Merkulov, D. H. Lowndes and L. R. Baylor, J. Appl. Phys, 89, 1933.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊