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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:樓齊慶
論文名稱:Ga(2Meq)2Piv有機發光二極體陰極的研究
指導教授:黃倉秀
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學工程學系
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
中文關鍵詞:有機發光二極體陰極絕緣層
外文關鍵詞:Ga(2Meq)2PivOLEDPLEDCathode
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本篇論文主要探討以 Ga(2Meq)2Piv 為發光層、PEDOT : PSS為電洞注入層、TDAPB 為電洞傳導層,並以熱蒸鍍機製備絕緣薄夾層及金屬陰極的多層結構有機發光二極體的光電特性。量測 ITO 透明導電玻璃、ITO/PEDOT : PSS、ITO/PEDOT : PSS/TDAPB及ITO/PEDOT : PSS/TDAPB/Ga(2Meq)2Piv的表面粗糙度及可見光穿透率。由電流-電壓-亮度曲線分析不同絕緣薄夾層及金屬陰極元件的光電特性。
研究結果顯示,旋轉塗佈 PEDOT : PSS 電洞注入層於 ITO 導電玻璃上可有效減少表面粗糙度,而旋轉塗佈 TDAPB 電洞傳導層可以再減少表面粗糙度。對 Ga(2Meq)2Piv 的發光波長530 nm而言,ITO 導電玻璃之穿透率為91%,旋塗 PEDOT : PSS 層及 TDAPB 層穿透率降為76%,旋塗 Ga(2Meq)2Piv 後穿透率上升至84%。不同陰極金屬會影響元件的發光強度及電流密度。對純金屬陰極而言,Ag 電極的元件漏電流較 Al 電極元件嚴重,元件光電效率不及功函數相似的 Al 電極元件。在 Al、Ag 電極中夾入薄層的 Ca 或 Mg,可以降低漏電流,增加元件的整流比及光電效率。藉由夾入一適當厚度的薄絕緣層: Li2O、LiF、CsF、MgF2、CaF2 並以 Al 為陰極材料也可以有效降低電子的注入能障而提高元件性能。但當此絕緣薄夾層厚度太厚,將導致光電效率及點亮電壓皆不及純 Al 電極元件。絕緣薄夾層的元件在 8V 的光電效率以 CsF 最高,依次為 LiF、MgF2、CaF2、Li2O。

摘要……………………………………………………………………..Ⅰ
誌謝……………………………………………………………………..Ⅱ
目錄……………………………………………………………………..Ⅲ
表格目錄………………………………………………………………..Ⅳ
圖片目錄………………………………………………………………..Ⅴ
第一章、緒論……………………………………………………………..1
第二章、實驗方法……………………………………………………….8
第三章、結果與討論…………………………………………………...12
第一部份 : 材料分析……………………………………………...12
第二部分 : 發光二極體的光電特性分析………………………...14
第四章、結論……………………………………………………………23
參考文獻………………………………………………………………..26
表格……………………………………………………………...表1~表2
圖片…………………………………………………………… .圖1~圖57

參 考 文 獻
1. M. Pope, H. P. Kallmann, and P. Magnante, J. Chem. Phys. 38, 2042 (1963).
2. C. W. Tang and S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987).
3. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burns, and A. B. Holmes, Nature, 347 , 539 (1990).
4. I. D. Parker, J. Appl. Phys. 75, 1656 (1994).
5. L . S. Hung, C. W. Tang, and M. G. Mason, Appl. Phys. Lett. 70, 152 (1997).
6. Y. Ohmori, Y. Kurosaka, N. Tada, A. Fujii, and K. Toshino, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 488, 575 (1998).
7. Y. Kurosaka, N. Tada, Y. Ohmori, and K. Yoshino, J. Appl. Phys. 37, L872 (1998).
8. F. Li, H. Tang, Anderegg, and J. Shinar, Appl. Phys. Lett. 70, 1233 (1997)
9. K. L. Wang, B. Lai, M. Lu, X. Zhou, L. S. Liao, X. M. Ding, X. Y. Hou, and S. T. Lee, Thin Solid Films 363, 178 (2000).
10. G. E. Jabbour, B. Kippelen, N. R. Armstrong, and N. Peyghambarian, Appl. Phys. Lett. 73, 1185 (1998).
11. C. H. Lee, Synth. Met. 91, 125 (1997)
12. T. M. Brown, R. H. Friend, I. S. Millard, D. J. Lacey, and J. H. Burroughes, Appl. Phys. Lett. 77, 3096 (2000)
13. S. E. Shaheen, G. E. Jabbour, M. M. Morrell, Y. Kawabe, B. Kippelen,
M. —F. Nabor, R. Schlaf, E. A. Mash, and N. R. Armstrong, J. Appl. Phys. 84, 2324(1998)
14. H. Heil, J. Steiger, S. Karg, M. Gastel, H. Ortner, H. V. Seggern, and M. Stöbel, J. Appl. Phys. 89, 420 (2001)
15. B. S. Chiou and J. H. Tsai, J. Mater. Sci., Mater. Electron. 10, 491
(1991).
16. H. Kobayashi, Y. Ishida, Y. Nakato, and H. Tsubomura, J. Appl. Phys. 69, 1736 (1991).
17. H. L. Chopra, S. Major, and D. K. Pandya, Thin Solid Film 102, 1 (1983).
18. X. W. Sun, L. D. Wang, and H. S. Kwok, Thin Solid Films 360, 75 (2000).
19. N. Taga, H. Odaka, Y. Shigesato, I. Yasui, M. Kamei, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 80, 978 (1996).
20. J. S. Kim, M. Granström, R. H. Friend, N. Johansson, W. R. Salaneck, R. Daik, W. J. Feast, and F. Cacialli, J. Appl. Phys. 84, 6859 (1998).
21. F. Nuesch, E. W. Forsythe, Q. T. Le, Y. Gao, and L. J. Rothberg, J. Appl. Phys. 87, 7973 (2000).
22. J. Olivier, B. Servet, M. Vergnolle, M. Mosca, and G. Garry, Synth. Met. 122, 87 (2001).
23. Q. Pei, G. Zuccarello, M. Ahlskog, and O. Imganäs, Polmer 35, 1347 (1994).
24. L. A. A. Pettersson, T. Johansson, F. Carlsson, H. Arwin, and O. Imganäs, Synth. Met. 101, 198 (1999).
25. K. Z. Xing, M. Fahlman, X. W. Chen, O. Imganäs, and W. R. Salaneck, Synth. Met. 89, 161 (1997).
26. F. Jonas and J. T. Morrison, Synth. Met. 85, 1397 (1997).
27. W. Bantikassegn and O. Imganäs, Thin Solid Films 293, 138 (1997).
28. R. Kiebooms, A. Aleshin, K. Hutchison, F. Wudl, and A. Heeger, Synth. Met. 101, 436 (1999).
29. L. S. Roman, M. Berggren, and O. Imganäs, Appl. Phys. Lett. 75, 3557 (1999)
30. J. C. Carter, I. Grizzi, S. K. Heeks, D. J. Lacey, S. G. Latham, P. G. May, O. R. D. I. Paños, K. Pichler, C. R. Towns, and H. F. Wittmann, Appl. Phys. Lett. 71, 34 (1997).
31. A. Elschner, F. Bruder, H. —W. Heuer, F. Jonas, A. Karbach, S. Kirchmeyer, S. Thurm, and R. Wehrmann, Synth. Met. 111,139 (2000).
32. K. Book, H. Bässler, V. R. Nikitenko, and A. Elschner, Synth. Met. 111, 263 (2000)

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1. 53. 黃英忠、黃瓊慧,影響中年職業婦女之工作投入認知程度及相關因素之研究-以高雄地區製造業及服務業為例. 輔仁管理評論;4(2):21-62,1997.
2. 51. 陸洛,工作壓力之歷程:理論與研究的對話. 中華心理衛生學刊;10(4):9-51,1995.
3. 50. 陳志勇、林彥輝,半導體業人因工程潛在危害探討. 勞工安全衛生簡訊;24:7-8,1997.
4. 44. 李開偉、葉文裕、朱振群、陳志勇,半導體製造業累積性工作傷害現況調查. 勞工安全衛生研究季刊;5(1):1-14,1997.
5. 43. 李開偉、許耀文,新竹科學園區從業人員肌肉骨骼系統傷害症狀分佈調查.勞工安全衛生研究季刊;6(4):21-34,1998.
6. 48. 林銘貴,我國半導體工業發展現況與展望. 工程;66(5):27-42,1993.
7. 61. 嚴祥鸞,工作場所性別文化的形塑. 福利社會;59:18-22, 1997.
8. 60. 蕭淑銖、許漢銘、謝孟穎、杜宗禮、陳秋蓉、郭育良,電子業從業人員職業性手部皮膚疾病之盛行率與相關因子調查. 勞工安全衛生研究季刊;4(4):41-51,1996.
9. 59. 蕭淑銖、陳秋蓉、杜宗禮、郭育良,電子業從業人員職業性肌肉骨骼不適之盛行率與危險因子調查. 中華職業醫學雜誌;3(3):111-8,1996.
10. 58. 蔡淑芬,積體電路(IC)工業現況與發展趨勢. 產業經濟;240:1-32,2001.
11. 57. 楊榮強,臺灣半導體IC工業發展概況. 產業經濟;140:15-36,1993.
12. 56. 楊茹憶,職場中的性別歧視與性騷擾. 福利社會;71:23-31,1999.
13. 55. 溫金豐、崔來意,高科技公司女性專業人員工作-家庭衝突及工作倦怠之研究:社會支持的效應. 管理評論;20(4):65-91,2001.
14. 47. 林妙雀、趙心潔,激勵性報酬、員工屬性與工作滿意度之研究--以臺灣高科技產業為實證對象. 亞太管理評論;5(1):53-74,2000.
15. 46. 林彥輝、葉文裕,半導體業勞工肌肉骨骼傷害調查比較. 勞工安全衛生簡訊;37:10-1,1999.