臺灣博碩士論文加值系統

我們利用微波電漿輔助化學氣相沈積系統（MPE-CVD），已經成功的成長出奈米級類鑽石尖端結構（Diamond Like Carbon Nanotip），在論文中將藉著改變鍍膜成長時間、偏壓大小、濃度大小、基板溫度變化以及氣體種類，來觀察nanotip在不同的參數下，所造成的影響，進一步了解nanotip的成長模式與機制，以達到可控制nanotip成長的密度和成長速率，實驗數據顯示成長最好的nanotip 其平均直徑：26.3nm，密度：386個/mm2。
由歐傑電子能譜儀（AES）分析基板Si和DLC膜之間矽和碳的元素分佈可知，在Si和DLC膜間有一層SiC介面層，在不同的成長條件下，可改變SiC層的大小，進而改善其場發射的特性。

目錄
第一章 緒論和介紹 …………………………………… 1
1-1 緒論 ………………………………………………………… 1
1-2 類鑽膜的介紹 ……………………………………………… 2
1-3 場發射性質介紹 …………………………………………… 4
1-4 尖狀結構應用在場發射研究 ……………………………… 6
第二章 實驗方法與原理 ……………………………. 10
2-1實驗流程 …………………………………………………… 10
2-2實驗方法 …………………………………………………… 10
2-2.1沈積系統 ………………………………………………. 11
2-2.2實驗步驟 ………………………………………………. 13
2-3實驗分析 …………………………………………………… 16
第三章 成長參數對nanotip的影響 ………………… 18
3-1 偏壓大小對nanotip DLC的影響 ………………………… 18
3-2 濃度大小對nanotip的影響 ………………………………. 23
3-3 成長時間對nanotip的影響 ………………………………. 29
3-4改變初期的成長環境，對nanotip的影響 ……………….. 33
3-5 改變不同的反應氣體 ……………………………………… 47
第四章 Nanotip成長以及介面層SiC的探討 ………. 51
4-1 電漿在沉積系統中的特性 ………………………………… 51
4-2 探討尖端結構（Tip structure）形成的機制 ……………… 54
4-3 初始成長環境對介面層碳化矽（SiC）的影響 ………….. 60
4-4 拉曼光譜下的特性 ………………………………………… 64
第五章 結論 …………………………………………… 67
附錄1 實驗參數表
附錄2 統計tip密度的方法

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