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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:胡瑞楷
論文名稱:微波電漿化學氣相沉積法成長奈米級類鑽膜尖狀結構
論文名稱(外文):The growth of DLC nanotip deposited by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
指導教授:黃振昌黃振昌引用關係
指導教授(外文):J. Hwang
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學工程學系
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
論文頁數:70
中文關鍵詞:尖狀結構奈米級類鑽膜
外文關鍵詞:nanotipDLCMPECVD
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我們利用微波電漿輔助化學氣相沈積系統(MPE-CVD),已經成功的成長出奈米級類鑽石尖端結構(Diamond Like Carbon Nanotip),在論文中將藉著改變鍍膜成長時間、偏壓大小、濃度大小、基板溫度變化以及氣體種類,來觀察nanotip在不同的參數下,所造成的影響,進一步了解nanotip的成長模式與機制,以達到可控制nanotip成長的密度和成長速率,實驗數據顯示成長最好的nanotip 其平均直徑:26.3nm,密度:386個/mm2。
由歐傑電子能譜儀(AES)分析基板Si和DLC膜之間矽和碳的元素分佈可知,在Si和DLC膜間有一層SiC介面層,在不同的成長條件下,可改變SiC層的大小,進而改善其場發射的特性。

目錄
第一章 緒論和介紹 …………………………………… 1
1-1 緒論 ………………………………………………………… 1
1-2 類鑽膜的介紹 ……………………………………………… 2
1-3 場發射性質介紹 …………………………………………… 4
1-4 尖狀結構應用在場發射研究 ……………………………… 6
第二章 實驗方法與原理 ……………………………. 10
2-1實驗流程 …………………………………………………… 10
2-2實驗方法 …………………………………………………… 10
2-2.1沈積系統 ………………………………………………. 11
2-2.2實驗步驟 ………………………………………………. 13
2-3實驗分析 …………………………………………………… 16
第三章 成長參數對nanotip的影響 ………………… 18
3-1 偏壓大小對nanotip DLC的影響 ………………………… 18
3-2 濃度大小對nanotip的影響 ………………………………. 23
3-3 成長時間對nanotip的影響 ………………………………. 29
3-4改變初期的成長環境,對nanotip的影響 ……………….. 33
3-5 改變不同的反應氣體 ……………………………………… 47
第四章 Nanotip成長以及介面層SiC的探討 ………. 51
4-1 電漿在沉積系統中的特性 ………………………………… 51
4-2 探討尖端結構(Tip structure)形成的機制 ……………… 54
4-3 初始成長環境對介面層碳化矽(SiC)的影響 ………….. 60
4-4 拉曼光譜下的特性 ………………………………………… 64
第五章 結論 …………………………………………… 67
附錄1 實驗參數表
附錄2 統計tip密度的方法

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