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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:張仲志
研究生(外文):CHANG CHUNG-CHIU
論文名稱:鍺銻基之三元及四元合金薄膜製程微結構暨物性研究
指導教授:周麗新
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學工程學系
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
論文頁數:125
中文關鍵詞:相變型記錄膜GeSb基合金薄膜
外文關鍵詞:phase change recording filmsGeSb based alloy films
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本實驗係以鍺銻(GeSb9)二元合金為基材,添加Ag、Ag+Cr和Ag+V元素以形成三元和四元合金,並依據量測出之薄膜濃度、晶粒尺寸、微結構、熱性、光性及擦拭特性等,了解鍺銻合金滲雜添加物以作為高密度相變形光碟記錄膜材料的可行性。研究結果顯示,不論三元或四元合金,隨著添加元素濃度增加,晶粒尺寸會越小,當添加Ag的濃度為3.9at.%時,會使原來之GeSb9晶粒尺寸(120~300nm)縮小到10~30nm;添加Ag+Cr的濃度為5at.%時,晶粒會縮小到10~30nm;添加Ag+V的濃度為2.8at.%時,晶粒會縮小到10~40nm。XRD結果顯示GeSb9二元合金及滲雜Ag、Ag+Cr和Ag+V所形成之三元和四元合金都只有Sb相;DSC結果顯示不論滲雜Ag、Ag+Cr或Ag+V元素,結晶溫度皆低於GeSb9之結晶溫度(187℃),介於172℃~158℃之間。當滲雜Ag元素後,隨著濃度增加,結晶活化能會先上升再下降,介於2.8∼1.79eV間;滲雜1Ag+1Cr時,結晶活化能為2.4eV;當滲雜Ag+V時,結晶活化能會高於GeSb9之結晶活化能,介於2.9∼3.9eV間。在光譜儀分析方面,不論在GeSb9中滲雜Ag、Ag+Cr或Ag+V元素,在低波長下(460nm和405nm)其反射率對比值都低於GeSb9二元合金之反射率對比值(約為22%);在靜態測試結果方面,GeSb9+Cr*1三元合金和GeSb9+Ag*1+Cr*1四元合金之結晶速率會大於GeSb9二元合金之結晶速率。
This study focused on preparation of the ternary and quaternary alloys by doping Ag as well as co-doped with Ag and Cr or Ag and V to the binary alloy GeSb9. By the measured results of film concentration, grain sizes, microstructures, thermal, optical and erasing characteristics, we estimate the feasibility of GeSb9 based alloys as high density phase change optical disk recording materials. The high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) observations revealed that the grain sizes reduced with increasing doping concentrations. As the Ag, Ag+Cr and Ag+V concentration reached 3.9 at.%, 5 at.% and 2.8 at.%, the grain sizes reduced from the original GeSb9 grain size (120~300nm) to 10~30nm, 10~30nm and 10~40nm, respectively. X-ray diffraction was applied to identify phases of the films, and only Sb diffraction peaks were observed in each alloy film. The results of differential scanning calorimeter (DSC) showed that GeSb9 doped with Ag, Ag+Cr or Ag+V will have lower crystallization temperatures, i.e. between 172℃ and 158℃, than that of undoped GeSb9 (187℃). After doping Ag or co-doped with Ag and Cr (Ag: 3.5 at.%, Cr: 1.5 at.%), the crystallization activation energies of the ternary and quaternary alloys are between 2.8eV~1.79eV. However, when co-doped with Ag and V (Ag: 1.2 at.%, V: 0.4 at.% and Ag: 2.3 at.%, V: 0.5 at.%), the crystallization activation energy (3.9 and 2.9eV, respectively) will be higher than that of GeSb9. For all the ternary and quaternary alloys under study, the optical reflection contrasts were lower than those of GeSb9 binary alloy (about 22%) at short wavelengths (460nm and 405nm). From static testing results, it can be found that the crystallization rate of GeSb9+Cr*1 ternary alloy and GeSb9+Ag*1+Cr*1 quaternary alloy were higher than that of GeSb9 binary alloy.
摘要….…………………………………………………………………...I
Abstract………………………...………………………………………II
致謝..……………………………………………………………………IV
目錄……………………………………………………………………...V
圖目錄………………………………………………………………VIII
表目錄………………………………………………………………XVII
第一章 背景說明………………………………………………………1
1.1、可擦拭相變化碟片的結構.……………………………………3
1.2 可擦拭相變化光碟的演進與記錄層要求………………………4
1.2.1可擦拭相變化光碟的演進…………………………………4
1.2.2記錄層的要求………………………………………………4
1.2.2.1讀取能力………………………………………………5
1.2.2.2寫入能力………………………………………………6
1.2.2.3擦拭能力………………………………………………6
1.2.2.4資料穩定性……………………………………………8
1.2.2.5覆寫能力………………………………………………8
1.3各種記錄層的性質………………………………………………9
第二章 文獻回顧………………………………………………………20
2.1、Ge,Sb元素特性………………………………………………20
2.1.1、Sb的特性…………………………………………………20
2.1.2、Ge的特性………………………………………………22
2.2、GeSb二元合金的特性………………………………………23
2.2.1、Sb成份低於共晶點………………………………………24
2.2.2、Sb成份高於共晶點………………………………………27
2.3、實驗目的………………………………………………………41
第三章 實驗方法及步驟………………………………………………43
3.1、基板清洗………………………………………………………47
3.1.1、清洗燒杯…………………………………………………47
3.1.2、清洗基板(康寧玻璃及載玻片)………………………49
3.1.3、清洗基板(雲母片及PC基板)………………………49
3.2、直流磁控濺鍍鍍製薄膜………………………………………49
3.3、膜厚量測………………………………………………………51
3.4、X-ray繞射分析…………………………………………51
3.5、DSC量測分析………………………………………………51
3.6、光譜儀量測分析………………………………………………52
3.7、組成成份分析…………………………………………………52
3.8、高解析穿透式電子顯微鏡(HRTEM)觀察……………………53
3.9、雷射靜態讀寫擦測試………………………………………53
第四章 結果與討論……………………………………………………55
4.1、濃度分析………………………………………………………55
4.2、TEM結果………………………………………………………58
4.3、XRD結果………………………………………………………76
4.4、DSC結果………………………………………………………80
4.5、光譜儀結果…………………………………………………95
4.6、靜態雷射讀寫擦結果………………………………………110
4.7、適用於Blu-Ray-Disc記錄膜材料評估……………………116
第五章 結論…………………………………………………………118
第六章 參考資料……………………………………………………120
圖目錄
圖1.1.1 可擦拭相變化光碟的結構……………………………………3
圖2.1.1 各類元素的T-T-T曲線……………………………………21
圖2.1.2 各類元素的Tg/Tm值和logRc的對應圖…………………22
圖2.2.1 GeSb的相圖…………………………………………………24
圖2.2.2 不同Sb成份的X-ray繞射圖……………………………26
圖2.2.3 鍍覆在預鍍有碳膜之雲母片,膜厚為50nm的Ge0.11Sb0.89
非晶相薄膜,在經過ns和ps脈衝時間照射後的反射率變化
情形…………………………………………………………29
圖2.2.4 鍍在玻璃基板上,厚度為25nm之Ge0.07Sb0.93薄膜(a)在3×Fc
能量密度下,結晶→非晶之轉變,以及(b)1× Fc能量密度
下,非晶→結晶之轉變。脈衝時間為30ps,
Fc=15mJ/cm2…………………………………………………30
圖2.2.5絕對反射率值與delay time之間的關係圖。圖中三條曲線
分別表示laser fluence為Trace A :45mJ/cm2,Trace B:
20mJ/cm2,Trace C:12mJ/cm2………………………………32
圖2.2.6 經過1.6Fcr,50fs雷射脈衝照射後,在0-475ps之間的各
個delay time,光子能量與介電函數的關係圖。實心符號
表示Re[ε(ω)];空心符號表示Im[ε(ω)]……………34
圖2.2.7 各種比例成份的GeSb薄膜,在不同能量密度的雷射脈衝照射下,反射率及穿透率的變化情形………………………35
圖2.2.8 各種比例成份的GeSb薄膜,在不同能量密度的雷射脈衝照射下,固化時間的變化情形………………………………36
圖 2.2.9 GeSb二元合金膜於不同Sb濃度下(a)反射率差值(△R, △)
和穿透率差值(△T, ○)的最大變化量,及(b)照射雷射得到
的拓撲(topography, □)和開孔(hole opening)等現象的
臨界雷射能量密度…………………………………………37
圖3.0.1 6吋系統的試片架及承接座………………………………43
圖3.0.2 在工作壓力5mtorr,氬流量10sccm,於八個不同功率下鍍
膜,所得的的空間分佈位置(0點為碟片中心)……………44
圖3.0.3 在工作壓力5mtorr下,各功率所鍍附的濃度(離中心
0~1.5cm為第一區, 1.5~3.0cm為第二區, 3.0~4.5cm為
第三區, 4.5~6.0cm為第四區)的分布
圖…………………………………………………………45
圖3.1.1 實驗步驟流程………………………………………………48
圖3.2.1真空濺鍍系統示意圖………………………………………50
圖3.5.1 DSC分析儀示意圖………………………………………52
圖3.9.1 靜態讀/寫/擦測試系統示意圖……………………………54
圖4.1.1 Ag元素貼片數量與薄膜中各元素之原子百分濃度變化的關
係圖…………………………………………………………57
圖4.2.1 GeSb9+Ag*1(Ge10.5Sb87.2Ag2.4)經250℃,恆溫7min熱處理後
之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:1.2m,
aperture size:1μm………………………………………61
圖4.2.2 GeSb9+Ag*1(Ge10.5Sb87.2Ag2.4)經250℃,恆溫20min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:55cm,aperture size:10μm)……………………………………62
圖4.2.3 GeSb9+Ag*2(Ge10.2Sb85.9Ag3.9)經250℃,恆溫7min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:1.2m,aperture size:1μm)………………………………………63
圖4.2.4 GeSb9+Ag*2(Ge10.2Sb85.9Ag3.9)經250℃,恆溫20min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:55cm,aperture size:10μm)……………………………………64
圖4.2.5 GeSb9+Ag*3(Ge9.9Sb83.9Ag6.2)經250℃,恆溫7min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:1.2m,aperture size:1μm)………………………………………65
圖4.2.6 GeSb9+Ag*3(Ge9.9Sb83.9Ag6.2)經250℃,恆溫20min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:55cm,aperture size:10μm)……………………………………66
圖4.2.7 GeSb9+Ag*4(Ge9.6Sb81.2Ag9.2)經250℃,恆溫7min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:1.2m,aperture size:1μm)………………………………………67
圖4.2.8 GeSb9+Ag*4(Ge9.6Sb81.2Ag9.2)經250℃,恆溫20min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:1.0m,aperture size:20μm)……………………………………68
圖4.2.9 GeSb9+Ag*1+Cr*1(Ge9.1Sb86Ag3.5Cr1.5)經250℃,恆溫7min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:1.0m,aperture size:10μm)………………………………69
圖4.2.10 GeSb9+Ag*1+Cr*1(Ge9.1Sb86Ag3.5Cr1.5)經250℃,恆溫20min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:1.0m,aperture size:20μm)………………………………70
圖4.2.11 GeSb9+Ag*1/2+V*1(Ge9.7Sb88.7Ag1.2V0.4)經250℃,恆溫7min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:82cm,aperture size:10μm)………………………………71
圖4.2.12 GeSb9+Ag*1/2+V*1(Ge9.7Sb88.7Ag1.2V0.4)經250℃,恆溫20min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:1.0m,aperture size:20μm)………………………………72
圖4.2.13 GeSb9+Ag*1+V*1(Ge9.5Sb87.8Ag2.3V0.5)經250℃,恆溫7min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:82cm,aperture size:10μm)………………………………73
圖4.2.14 GeSb9+Ag*1+V*1(Ge9.5Sb87.8Ag2.3V0.5)經250℃,恆溫20min熱處理後之(a)明視野像,(b)電子繞射圖(camera length:1.0m,aperture size:20μm)………………………………74
圖4.2.15 各種不同成份試片與7min熱處理後之晶粒尺寸的關係圖……………………………………………………………76
圖4.3.1 GeSb9添加Ag,在經過250℃,恆溫7min熱處理後,經由低掠角X-ray繞射所測量出來的結果………………………78
圖4.3.2 GeSb9+Ag*1+Cr*1,在經過250℃,恆溫7min熱處理後的試片,經由低掠角X-ray繞射所測量出來的結果……………78
圖4.3.3 GeSb9添加Ag與V,在經過250℃,恆溫7min熱處理後的試片,經由低掠角X-ray繞射所測量出來的結果……………79
圖4.3.4 GeSb9添加Ag之初鍍膜,經由低掠角X-ray繞射所測量出來的結果………………………………………………………79
圖4.4.1 GeSb9+Ag*1/2(Ge5.3Sb92.9Ag1.9)在不同升溫速率下之DSC曲線……………………………………………………………83
圖4.4.2 GeSb9+Ag*1(Ge10.5Sb87Ag2.4)在不同升溫速率下之DSC曲線…83
圖4.4.3 GeSb9+Ag*2(Ge10.2Sb85Ag3.9)在不同升溫速率下之DSC曲線…84
圖4.4.4 GeSb9+Ag*3(Ge9.9Sb83.9Ag6.2)在不同升溫速率下之DSC曲…84
圖4.4.5GeSb9+Ag*4(Ge9.6Sb81.2Ag9.2)在不同升溫速率下之DSC曲線…85
圖4.4.6 GeSb9+Ag*1+Cr*1(Ge9.3Sb87.2Ag3.5Cr1.5)在不同升溫速率下之DSC曲線………………………………………………………85
圖4.4.7 GeSb9+Ag*1/2+V*1(Ge9.7Sb88.7Ag1.2V0.4)在不同升溫速率下之DSC曲線………………………………………………………86
圖4.4.8 GeSb9+Ag*1+V*1(Ge9.5Sb87.8Ag2.3V0.5)在不同升溫速率下之DSC曲線…………………………………………………………86
圖4.4.9 結晶溫度(在升溫速率10℃/min時)與添加元素濃度間的關係……………………………………………………………88
圖4.4.10 GeSb9+Ag*1/2(Ge5.3Sb92.9Ag1.9)的Kissinger Plot分析結果……………………………………………………………89
圖4.4.11 GeSb9+Ag*1(Ge10.5Sb87Ag2.4)的Kissinger Plot分析結果…89
圖4.4.12 GeSb9+Ag*2(Ge10.2Sb85Ag3.9)的Kissinger Plot分析結果…90
圖4.4.13 GeSb9+Ag*3(Ge9.9Sb83.9Ag6.2)的Kissinger Plot分析結果…90
圖4.4.14 GeSb9+Ag*4(Ge9.6Sb81.2Ag9.2)的Kissinger Plot分析結果…91
圖4.4.15 GeSb9+Ag*1+Cr*1(Ge9.1Sb86Ag3.5Cr1.5)的Kissinger Plot分析結果………………………………………………………91
圖4.4.16 GeSb9+Ag*1/2+V*1(Ge9.7Sb88.7Ag1.2V0.4)的Kissinger Plot分析結果………………………………………………………92
圖4.4.17 GeSb9+Ag*1+V*1(Ge9.5Sb87.8Ag2.3V0.5)的Kissinger Plot分析結果…………………………………………………………92
圖4.4.18 結晶活化能與各種添加元素濃度間的關係………………93
圖4.5.1 GeSb9+Ag*1/2(Ge5.3Sb92.9Ag1.9)熱處理前後反射率R及穿透率T之變化………………………………………………………96
圖4.5.2 GeSb9+Ag*1(Ge10.5Sb87.2Ag2.4)熱處理前後反射率R及穿透率T之變化………………………………………………………97
圖4.5.3 GeSb9+Ag*2(Ge10.2Sb85.9Ag3.9)熱處理前後反射率R及穿透率T之變化………………………………………………………97
圖4.5.4 GeSb9+Ag*3(Ge9.9Sb83.9Ag6.2)熱處理前後反射率R及穿透率T之變化………………………………………………………98
圖4.5.5 GeSb9+Ag*4(Ge9.6Sb81.2Ag9.2)熱處理前後反射率R及穿透率T之變化………………………………………………………98
圖4.5.6 GeSb9+Ag*1+Cr*1(Ge9.1Sb86Ag3.5Cr1.5)熱處理前後反射率R及穿透率T之變化……………………………………………99
圖4.5.7 GeSb9+Ag*1/2+V*1(Ge9.7Sb88.7Ag1.2V0.4)熱處理前後反射率R及穿透率T之變化……………………………………………99
圖4.5.8 GeSb9+Ag*1+V*1(Ge9.5Sb87.8Ag2.3V0.5)熱處理前後反射率R及穿透率T之變化………………………………………………100
圖4.5.9 經過250℃,7min熱處理後,反射率對比值與Ag濃度間的關係…………………………………………………………105
圖4.5.10 經過250℃,20min熱處理後,反射率對比值與Ag濃度間的關係……………………………………………………105
圖4.5.11 經過250℃,7min熱處理後,反射率對比值與Ag+Cr濃度間的關係……………………………………………………106
圖4.5.12 經過250℃,20min熱處理後,反射率對比值與Ag+Cr濃度間的關係…………………………………………………106
圖4.5.13 經過250℃,7min熱處理後,反射率對比值與Ag+V濃度間的關係……………………………………………………107
圖4.5.14 經過250℃,20min熱處理後,反射率對比值與Ag+V濃度間的關係……………………………………………………107
圖4.6.1 試片膜厚及結構為GeSb9(20~23nm)/康寧玻璃 在不同的雷射脈衝功率與脈衝時間照射試片時相變化的情形………113
圖4.6.2 試片膜厚及結構為GeSb9+Cr*1(20~23nm)/康寧玻璃 在不同的雷射脈衝功率與脈衝時間照射試片時相變化的情形…114
圖4.6.3 試片膜厚及結構為GeSb9+Ag*+1Cr*1(20~23nm)/康寧玻璃 在不同的雷射脈衝功率與脈衝時間照射試片時相變化的情形……………………………………………………………114
表目錄
表1.3.1 可擦拭相變化型光碟材料的研究歷程……………………10
表2.1.1 各元素的Tg,Tg/Tm,Tn,tn以及LogRc的值……………………23
表2.2.1 Ge1-xSbx薄膜試片的Sb成份,厚度,結晶溫度以及結晶溫度/熔點比值……………………………………………………25
表2.2.2 GeSb二元合金的各種成份整理表…………………………38
表4.1.1 GeSb9二元合金薄膜濃度和添加Ag元素後的濃度(at.%)…56
表4.1.2 GeSb9二元合金薄膜濃度和添加Ag+Cr元素後的濃度
(at.%)………………………………………………………56
表4.1.3 GeSb9二元合金薄膜濃度和添加Ag+V元素後的濃度
(at.%)………………………………………………………57
表4.2.1 在Ar氣氛下,退火溫度250℃恆溫7min及20min熱處理後,
由HRTEM觀察所得之各種成分的晶粒尺寸………………75
表4.4.1 各種材料的升溫速率與放熱峰溫度(To)的關係…………87
表4.4.2 DSC結果所推算出來的結晶活化能………………………93
表4.5.1 780nm時各成份之反射率對比值…………………………101
表4.5.2 660nm時各成份之反射率對比值………………………102
表4.5.3 460nm時各成份之反射率對比值………………………103
表4.5.4 405nm時各成份之反射率對比值…………………………104
表4.6.1 試片結構及膜厚為GeSb9(20~23nm)/康寧玻璃之擦拭脈衝
功率(電壓)、脈衝時間和訊號對比值的關係表…………112
表4.6.2 試片結構及膜厚為GeSb9+Cr*1(20~23nm)/康寧玻璃之擦拭
脈衝功率(電壓)、脈衝時間和訊號對比值的關係表……112
表4.6.3 試片結構及膜厚為GeSb9+Ag*1+Cr*1(20~23nm)/康寧玻璃
之擦拭脈衝功率(電壓)、脈衝時間和訊號對比值的關係
表…………………………………………………………113
1.梁鉅銘, 相變化光碟記錄之原理, 光訊, Vol. 61(1996), p.31
1a.許峰賓, 鍺銻合金薄膜鈦元素滲雜之製程微結構及物性研究, 國立清
華大學碩士論文, (2001)
1b.黃建銘, 鍺銻合金薄膜鉻及釩元素滲雜之製程微結構及物性研究, 國
立清華大學碩士論文, (2001)
2.S. R. Ovshinsky, Phys. Rev. Lett., Vol. 21(1968), p.1450
3.S. R. Ovshinsky, J. Non-Cryst. Sol., Vol.2 (1970), p.99
4.J. Feinleib, Appl. Phys. Lett., Vol.18(1971), p.254
5.M. Chen, R.W. Barton, and K.A. Rubin, Appl. Phys. Lett.,
Vol.49(1986), p.502
6.M. Chen, U.G. Gerber, V. Marrello, K.A. Rubin, and V.B.
Jipson, Appl. Phys. Lett., Vol.46(1985), p.734
7.N. Yamada, M. Takao, and M. Takenaga, Proc. SPIE 695(1986),
p.79
8.N. Yamada, E. Ohno, N. Akhira, K. Nishiuchi, K. Nagata, and
M. Takao, Jpn. J. Appl. Phys., 26, suppl. 26-4(1987), p.61
9.張延瑜, 轉速對可擦拭相變化型碟片微結構、寫擦性質影響研究,國立
清華大學碩士論文, (1999)
10.黃一原, 相變化型光記錄媒體Ge-Sb-Te物性研究, 國立清華大學碩士
論文, (1998)
11.王訓勇, 快速蒸鍍法置備InxSbyTe相轉變型光記錄媒體合金薄膜研,
國立清華大學碩士論文, (1995)
12.黃頌修, 工業材料:可錄式CD專題, 99(1995), p.49
13.K. A. Rubin, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.230 (1992),
p.239
14.N. Yamada, MRS Bulletin, Sep.(1996), p.48
15.A. E. Bell, and R. A. Bartolini, Appl. Phys. Lett. , Vol.34
(4)(1979), p.275
16.J. Feinleib, S. R. Ovshinsky et al., Appl. Phys. Lett.,
Vol.18(1971), p.254
17.R. J. von Gutfeld, and P. Chandhari, J. Appl. Phys., Vol.43
(11)(1972), p.4688
18.T. Igo, and Y. Toyoshima, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.11(1972),
p.117.
19.M. Okuda, T. Matsushita, T. Yamagami, and K. Yamamoto, Jpn.
J. Appl. Phys., Vol.12(5)(1973), p.769
20.M. Okuda, Appl. Opt. , Vol.13(4)(1974), p.799
21.M. Terao, Proc. SPIE 382(1982), p.276
22.M. Takengo, N. Akahira, S. Nakamura, K. Nishiuchi, T. Ohta,
N. Yamada, and T. Yamashita, J. Appl. Phys., Vol.54(9)(1983),
p.5376
23.M. Takengo, N. Yamada, S. Ohara, K. Nishiuchi, M. Nagashima,
T. Kashihara, S. Nakamura, and T. Tamashita, Proc. SPIE 420
(1983), p.173
24.Y. Goto, K. Utsumi, M. Maeda, N. Koshin, and K. Itoh,
Proceedings of the 32nd Spring Meeting of the Japan Society
of Applied Physics and The Related Societies, Ip-p-2(1985)
25.M. Terao, Proc. SPIE 529(1985), p.4621
26.T. Matsushita, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.24(9)(1985), p.504
27.N. Koshino et al., Proc. SPIE 529(1985), p.40
28.M. Chen, R.W. Barton, and K.A. Rubin, Appl. Phys. Lett.,
Vol.49(1986), p.502
29.R. Barton, C. R. Davis, K. Rubin, and G. Lim, Appl. Phys.
Lett., Vol.48(1986), p.1255
30.M. Chen, R.W. Barton, and K.A. Rubin, Appl. Phys. Lett.,
Vol.49(1986), p.502
31.R. T. Young, D. Strand, J. Gonzalez-Hernadez, and S. R.
Ovshinsky, J. Appl. Phys., Vol.60(12)(1986), p.4319
32.C. J. vander Poel, D. J. Gravestijn, W. G. V. M. Rippens, H.
T. L. P. Stockx, and C. M. J. van Uijen, J. Appl. Phys.,
Vol.59(1986), p.1819
33.M. Ishigaki, N. Tokushuku, T. Ohishi, Y. Kodera, Y. Ohta,
and Y. Fukui, Proc. SPIE 695(1986), p.99
34.R. T. Young, D. Strand, J. Gonzalez-Hernandez, and
S.R.Ovshinsky, J. Appl. Phys., Vol.60(1986), p.4319
35.M. Terao, T. Nishida, Y. Miyauchi, S. Horigome, T. Kaku, and
N. Ohta, Proc. SPIE 695(1986), p.105
36.M. C. Lee, C. R. Huang, and C. C. Lin, ISOM’87(1987), p.73
37.R. Tamura, K. Hiratsuka, and N. Ohta, Jpn. J. Appl. Phys., 32, part1(11B)(1987), p.5238
38.S. Yagi et, J. Appl. Phys., 26, suppl. 26-4(1987), p.51
39.L. Hou, D. Gu and F. Gan, J. Non-Cryst. Sol., Vol.95༸
(1987), p.525
40.K. A. Rubin, R.W. Barton, M. Chen, V.B. Jipson, and D.
Rugar, Appl. Phys. Lett., Vol.50(21)(1987), p.1488
41.D. J. Gravesteijn, T. Bertens, M. Sens, C. J. Vanderpoel,
and H. M. Vantongeren, Appl. Opt., Vol.26(1987), p.4772
42.H. Yasuoka, M. Ojima, M. Terao, and T. Nishida, ISOM’87
(1987), p.21
43.T. Nishida, S. Holigome, T. Kaku, and Y. Miyauchi, N. Ohta,
and M. Terao, Appl. Phys. Lett., Vol.50(1987), p.667
44.T. Nishida, M. Terao, and M Nakazawa, Jpn. J. Appl. Phys.,
Vol.26,suppl. 26-4(1987), p.67
45.N. Akahira, Proc. SPIE 889(1988), p.188
46.Y. Maeda, H. Ardoh, I. Ikuta, and H. Minemura, J. Appl.
Phys., Vol.64(4)(1988), p.1715
47.Y. Sugiyama, R. Chiba, S. Fujimori, and N. Funakoshi, J. Non-
Cryst. Sol., Vol.122(1990), p.83
48.D. J. Gravesteijn, Appl. Opt., Vol.27(1988), p.736
49.T. Minemura, H. Andoh, and Y. Maeda, J. Appl. Phys., Vol.63
(9)(1988), p.4632
50.T. Ohta, M. Uchida, K. Yoshioka, K. Inoue, T. Akiyama, S.
Furukawa, K. Kotera, and S. Nakamura, , Proc. SPIE 1078
(1989), p.27
51.A. L. Jung, L. S. Hou, and F. X. Gan, J. Non-Cryst. Sol.,
Vol.114(1989), p.55
52.F. S. Jiang, L. S. Hou, and H. X. Gan, Proc. SPIE 1078
(1989), p.165
53.A. Kikitsu, S. Ikegawa, S. Komatsu, and S. Arai, Jpn. J.
Appl. Phys., Vol.28(7)(1989), p.1257
54.M. Terao, Proc. SPIE 1078(1989), p.2
55.K. Hirota, Extended Abstracts the 50th Autumn Meeting:The
Japan Society of Applied Physics, Pt3(in Japan)(1989), p.944
56.P. K. Raychaudhrui, Proc. SPIE 1078(1989), p.157
57.M. Terao, Y. Sugita, Y. Miyauchi, T. Nishida, T. Kaku, and
S. Horigome, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.28(5)(1989), p.804
58.K. Kimura, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.28(5)(1989), p.810
59.K. A. Rubin and M. Chen, Thin Solid Film, Vol.181(1989),
p.129
60.Y. Haibo, G. Fuxi, and H. Dequn, J. Non-Cryst. Sol., Vol.112
(1989), p.221
61.J. Solid, K. A. Rubin, and C. Otiz, J. Mat. Res., Vol.5(1)
(1990), p.190
62.S. Chao, J. Phys. D : Appl. Phys., Vol.23(1990), p.955
63.Y. Maeda, I. Ikuta, H. Andoh, and Y. Sato, Jpn. J. Appl.
Phys., Vol.31(2B)(1992), p.451
64.R. Serna, Appl. Surf. Soc., Vol.46(1990), p.405
65.M. Mitkova, E. Vateva, and E. Skordeva, J. Non-Cryst. Sol.,
Vol.137铺(1991), p.1013
66.F. Gan, H. Yan, in L. Huang ed., Thin Films and Beam Solid
Interactions, Elsevier Science, B, V.(1991), p.445
67.M. Libera, M. Chen, and K. Rubin, J. Mater. Res., Vol.6(12)
(1991), p.2666
68.S. Okamine, Optical data storage topical meeting, TuA2-1
(1991), p.88
69.Y. Sripathi, J. Mat. Sci.. : Mater. Electron, Vol.2(1991),
p.109
70.L. H. Chou, Thin Solid Films, Vol.215(1992), p.188
71.D. Strand, J. Gonzalez-Hernandez, B. S. Chao, S. R.
Ovisinsky, P. Gasiorowski, and D. A. Pawlik, , Mat. Res.
Soc. Symp. Proc., Vol.230(1992), p.251
72.C.N. Afonso, J. Solis, F. Katalina, and C. Kalpouzos, Appl.
Phys. Lett., Vol.60(25)(1992), p.3123
73.H. Iwasaki, Y. Ide, M. Harigaya, Y. Kageyama, and I.
Fujimura, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.31(2B)(1992), p.461
74.T. Handa, J. Tominaga, S. Haratani, and S. Takayama, Jpn. J.
Appl. Phys., Vol.32(1993), p.5226
75.D.P. Birnie III, J. D. Weinberg, and D. G. Swanson, J. Mat.
Res., Vol.7(3)(1992), p.741
76.K. Morii, Mat. Lett., Vol.15(1992), p.285
77.L. H. Chou, and M. C. Kuo, Mat. Res. Soc. Symp. Proc.,
Vol.311(1993), p.385
78.T. Nishida, H. Sugiyama, and S. Holigome, Jpn. J. Appl.
Phys., Vol.34(1995), p.1562
79.A. Hirotsune, Y. Miyauchi, and M. Terao, Appl. Phys. Lett.,
Vol.66(18)(1995), p.2312
80.M. Vleck, C. Raptis, T. Wagner, A. Vidourek, M. Frumar, I.P.
Kotsalas, and D. Papadimitriou, J. Non-Cryst. Sol.,
Vol.192锱(1995), p.669
81.Y. Sripathi, L.K. Malhotra, and G.B. Reddy., Thin Solid
Films, Vol.270(1995), p.60
82.J. H. Coombs, A.P.J.M. Jongenelis, W. van Es-Spiekman¸and
B.A.J. Jacobs, J. Appl. Lett., Vol.78(8)(1995), p.4906
83.V. Lyubin, M. Klebanov, I. Bar, S. Rosenwaks, V. Volterra,
L. Boehm, and Z.Vagish, Appl. Surf. Sci., Vol.106(1996), p.502
84.A. P. J. M. Jongenelis, J.H. Coombs, W. van Es-Spiekman, and
B.A.J Jacobs, J. Appl. Phys., Vol.79(11)(1996), p.8349
85.M. C. Morilla, J. Solis, and C.N. Afonso, Jpn. J. Appl.
Phys., Vol.36(8A)(1997), p.1015
86.Y. M. Chen, and P.C. Kuo, IEEE Trans. Mag., Vol.34(2)(1998),
p.432
87.Fusong Jiang, and Masahiro Okuda, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 30
(1991), p.97
88.M. Okuda, H. Naito, and T. Matsushita, JJAP Series 6, Proc.
Int. Symp. on Optical Memory, (1991), p.73
89.Thaddeus B. Massalski, Binary Alloy Phase Diagrams, Vol. 2
(1995), p.1995
90.J. M. del Pozo, M. P. Herrero, and L. Diaz, J. Non-Cryst.
Sol., Vol. 185(1995), p.183
91.Amanda K. Petford-Long, R. C. Doole, C. N. Afonso, and J.
Solis, J. Appl. Phys. Vol. 77(1995), p.607
92.M. C. Morilla, J. Solis, and C. N. Afonso, Jpn. J. Appl..
Phys. Vol. 36(1997), Part 2, No. 8A, p.1015
93.J. Solis, C. N. Afonso, S.C.W. Hyde, N.P. Barry, and P. M.
W. French, Phys. Rev. Lett. Vol. 76(1996) No. 14, p.2519
94.K. Sokolowski, J. Solis, J. Bialkowski, J. Siegel, C. N.
Afonso, and D. von der Linde, Phys. Rev. Lett. Vol. 81(1998),
No. 17, p.3679
95.J. Solis, C. N. Afonso, J. F. Trull, and M. C. Morilla, J.
Appl. Phys. Vol. 75(1994), p.7788
96.C.N. Afonso, J. Solis, F. Katalina, and C. Kalpouzos, Appl.
Phys. Lett., Vol.60(25)(1992), p.3123
97.C. N. R. Rao, and K. J. Rao, Phase Transitions in Solids, Mc
Graw-Hill, New York, (1978), p.91.
98.Y. Sugiyama, R. Chiba, S. Fujimori, and N. Funakoshi, J. Non-
Cryst. Sol., Vol. 122(1990), p.83
99.C. N. Afonso, M. C. Morilla, J. Solis, N. H. Rizvi, M. A.
Ollacarizqueta, and F. Catalina, Mat. Sci. & Eng., A173
(1993), p.343
100.J. Siegel, C.N. Afonso, and J. Solis, Appl. Phys. Lett. 75,
20, 3102(1999).
101.R. Serna, J. Solis, and C.N. Afonso, J. Appl. Phys. 73, 3099
(1993)
102.Nonlinear Optics: Materials, Fundamentals, and
Applications. Technical Digest. Postconference Edition. TOPS
Vol.46 (IEEE Cat. No.00CH37174), xx+422, 146-8, 2000., 7ref.
103.ISOM’00 International symposium on optical Memory 2000.
Technical Digest. 222-3, 2000., 3ref.
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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