跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(44.210.21.70) 您好!臺灣時間:2022/08/11 17:00
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:羅毅榮
研究生(外文):Luo Yih-Rong
論文名稱:射頻磁控濺鍍鉛酸鋇導電性薄膜與鋯酸鉛鋇鐵電薄膜性質之研究
論文名稱(外文):The Properties of Conductive BaPbO3 Films and Ferroelectric (Pb,Ba)ZrO3 Films Deposited by RF-Magnetron Sputtering
指導教授:吳振名
指導教授(外文):Wu Jenn-Ming
學位類別:博士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學工程學系
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
論文頁數:230
中文關鍵詞:射頻磁控濺鍍鉛酸鋇氧化物電極鋯酸鉛鋇鐵電性薄膜電性
外文關鍵詞:rf-magnetron sputteringBaPbO3oxide electrode(PbBa)ZrO3ferroelectricthin filmselectric properties
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:256
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:1
本文針對鐵電薄膜在非揮發性記憶體之應用,所會遇到電性和極化疲勞等問題,提出改善的方法,包括了(1)開發新的導電性氧化物電極、(2)開發本質缺陷濃度較低的鐵電薄膜,(3)使用施體添加劑改善鐵電薄膜中的缺陷濃度。實驗中利用射頻磁控濺鍍法,在450℃以下鍍製BaPbO3 (BPO)導電性氧化物薄膜與500℃以上鍍製(Pb,Ba)ZrO3 (PBZ)鐵電薄膜,討探BPO薄膜的晶體結構與電學特性,研究PBZ鐵電薄膜的鐵電與介電特性。
利用射頻磁控濺鍍法,在350℃濺鍍BPO薄膜,可以得到鈣鈦礦結構結晶相。當濺鍍壓力高於40mTorr,混合氣體Ar/O2=90/10,有助於Pb4+鍵結穩定形成,使BPO薄膜結晶性更佳,薄膜的電阻率與塊材相似,約為1×10-3Ωcm。霍爾效應量測指出,BPO薄膜具有金屬的傳導特性,電子為主要載子,載子濃度與塊材相同。以BPO導電性氧化物薄膜作為底電極,鍍製Pb(Zr,Ti)O3 (PZT)薄膜,Pr= 25.6 μC/cm2、Ec=85 kV/cm,與白金(Pt)金屬底電極比較後,BPO薄膜可以有效的降低PZT之矯頑電場,而殘存極化量並不減少。不僅是漏電流密度較低,更重要的是,有效的改善PZT薄膜鍍製在Pt底電極上的抗疲勞特性。
利用不同Pb/Ba比例的靶材和Pt基板,在500℃以上濺鍍PBZ薄膜,可以得到鈣鈦礦結構的結晶相,並且都是單一的Pb2+鍵結狀態。PBZ薄膜的介電常數,會受到材料中Pb/Ba比例、結晶性以及相轉換溫度。以Pb/Ba=5/5、6/4靶材,分別在550與600℃鍍製PBZ薄膜,可以得到適當的Pr值與較小的Ec值,分別為Pr=17.4 μC/cm2、Ec=151 kV/cm和Pr=21.9 μC/cm2、Ec=174 kV/cm。靶材中Pb/Ba比例的減少,有助於減緩PBZ薄膜極化疲勞衰減的程度,降低漏電流密度與提昇崩潰電場,漏電流低於10-7 A/cm2、崩潰電場可達500~600 kV/cm,與PZT薄膜比較後發現,PBZ薄膜具有較緩慢的極化疲勞速率、較低的漏電流與較高的崩潰電場。
PBZ薄膜的結晶繞射強度、介電常數、介電常數對溫度的關係、P-E電滯特性、極化疲勞特性與漏電流特性,深受到靶材中的Pb/Ba比例、PbO添加量和鍍膜溫度的影響。
PBZ薄膜的介電常數會隨著La添加量的增加而變大,當添加3mol% La時,介電常數最高可達1830,散逸因子在3%以下。La添加量增加時,Pr與Ec會隨著下降,電滯曲線會有軟化的趨勢。PBZ薄膜的極化疲勞特性,也會因為La的添加而有所改善,極化衰減程度隨添加量的增加而減緩,La添加量3mol%,經過1010次極化反轉週期後,P*-P^衰減為原來的94%為最佳,但是此時的Pr值較小,致使量測得到的P*-P^也較小。PBZ薄膜的漏電流密度同樣會隨著La添加量的增加而降低,崩潰電場會增大,以添加3mol%的漏電流最低、崩潰電場最大。

第一章 緒論……………………………………………………1
1-1 簡介………………………………………………………1
1-2 鐵電薄膜的發展……………………………………………2
1-3 研究動機……………………………………………………3
第二章 文獻回顧………………………………………………6
2-1鉛酸鋇(BaPbO3)導電性金屬氧化物薄膜…………………6
2-2 鋯酸鉛鋇((Pb1-xBax)ZrO3)系列鐵電薄膜………………8
2-3 電極………………………………………………………11
2-3-1 金屬電極…………………………………………………11
2-3-2 氧化物電極………………………………………………13
2-4 鐵電薄膜的製作方法………………………………………16
2-4-1 簡介………………………………………………………16
2-4-2 濺鍍法……………………………………………………20
2-4-2-1 濺鍍原理………………………………………………20
2-4-2-2 直流濺鍍………………………………………………21
2-4-2-3 射頻濺鍍………………………………………………23
2-4-2-4 磁控濺鍍………………………………………………25
2-5 鐵電材料……………………………………………………26
2-5-1 鐵電材料的結構與特性…………………………………26
2-5-1-1 鐵電性…………………………………………………26
2-5-1-2 鈣鈦礦結構……………………………………………29
2-5-1-3 擴散性相變化…………………………………………30
2-5-2 鐵電記憶元件……………………………………………34
2-5-2-1 破壞式讀取……………………………………………35
2-5-2-2 非破壞式讀取…………………………………………38
2-5-3 鐵電材料的特性分析……………………………………39
2-5-3-1 鐵電性的量測…………………………………………39
2-5-3-2 疲勞……………………………………………………40
2-5-3-3 時效……………………………………………………42
2-5-3-4 介電性…………………………………………………42
2-5-3-5 漏電流…………………………………………………45
2-5-3-6 依時介電崩潰…………………………………………49
第三章 鉛酸鋇導電性薄膜之製備、性質及作為PZT電極之應用……83
3-1 簡介…………………………………………………………………83
3-2 實驗方法……………………………………………………………84
3-3 結果與討論…………………………………………………………86
3-4 結論…………………………………………………………………93
第四章 鋯酸鉛鋇薄膜中不同鉛鋇比例對電性之影響…………………106
4-1 簡介…………………………………………………………………106
4-2 實驗方法……………………………………………………………107
4-3 結果與討論…………………………………………………………109
4-4 結論…………………………………………………………………118
第五章 鋯酸鉛鋇薄膜中不同過量氧化鉛比例在不同鉛鋇比例時對電性之影響…………………………………………………………140
5-1 簡介…………………………………………………………………140
5-2 實驗方法……………………………………………………………140
5-3 結果與討論…………………………………………………………142
5-4 結論…………………………………………………………………157
第六章 鋯酸鉛鋇薄膜中添加鑭對電性之影響………………………195
6-1 簡介…………………………………………………………………195
6-2 實驗方法……………………………………………………………196
6-3 結果與討論…………………………………………………………198
6-4 結論…………………………………………………………………201
第七章 結論………………………………………………………………213
參考資料…………………………………………………………………217

參考文獻
1. J. F. Scott, C. A. P. de Araujo, L. D. McMillan, H. Yoshimori, H. Watanabe, T. Mihara, M. Azuma, T. Ueda, Tetsuk Ueda, D. Ueda and G. Kano, Ferroelectrics , 133, (1992) 47.
2. G.H.Haerting, J. Vac. & Sci. Technol., A9, (1991) 414.
3. L. M. Sheppard, Ceram. Bull., 71, (1992) 85.
4. M. Sayer and K. Sreenivas, Science 247, (1990) 1056.
5. G. Yi and M. Sayer, Ceram. Bull., 70, (1991) 1173.
6. 林諭男, 強介電陶磁薄膜的應用, 工業材料, 107, (1995) 49.
7. O. Auciello and R. Ramesh, “Electroceramic Thin Films Part I: Processing”, Mater. Res. Bull., 20, (1996) 21.
8. K. Sweetser, Integrated Ferroelectrics, 17, (1997) 349.
9. S. Weber, Electronics, Feb., (1988) 91.
10. B. C. Cole, Electronics, Aug., (1989) 88.
11. J. F. Scott and C. A. P. de Araujo, Science, 246, (1989) 1400.
12. P. K. Larsen, R. Cuppens and G. A. C. M. Spierings, Ferroelectrics, 128, (1992) 265.
13. E. K. Muller, B. J. Nichlson and G. E. Tunener, J. Electrochem Soc., 110, (1963) 69.
14. A. E. Feuersanger, A. K. Hanenlocher and A. L. Soloman, J. Electrochem Soc., (1987) 111.
15. I. H. Patt and S. Fireston, J. Vac. & Sci.Technol., 8, (1971) 256.
16. W. J. Takei, N. P. Formigoni and M. H. Francombe, J. Vac. & Sci. Technol., 7, (1969) 442.
17. M. Okada, S. Takai, M. Amemya and K. Tominaga, Jpn. J. Appl. Phys., 28, (1989) 1030.
18. M. Kojima, M. Okayama, T. Nakagawa and Y. Hamakawa, Jap. J. Appl. Phys., 22, (1983) 14.
19. G. A. C. M Spierings, M. J. E Ulenaers, G. L. Mkampschoer, H. A. M. Van Hal and P. K. Larwen, J. Appl. Phys., 70, (1991) 2290.
20. C. D. E. Lakeman and D. A. Payne, J. Am. Ceram. Soc., 75, (1992) 3091.
21. G. M. Davis and M. C. Gowre, Appl. Phys. Lett., 55, (1989) 112.
22. S. G. Yoon, J. C. Lee and A. Safari, J. Appl. Phys., 76, (1994) 2999.
23. C. J. Peng, H. Hu and S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett., 63, (1993) 734.
24. C. Feldman, View of Science Instrument, 26, (1954) 463.
25. A. E. Feuersanger, A. K. Hagenlocher and A. L. Solomln, J. Electrochem. Soc., 111, (1964) 1387.
26. I. H. Pratt and S. Firestone, J. Vac. & Sci. Technol., 8, (1971) 256.
27. 石朗, “由MRAM / FeRAM與Flash卡應用潛力探究記憶體市場技術的新思維與新契機”, Compo. Tech., 16, ( 2000 ) 100.
28. J. T. Evans and R. Womack, IEEE J. Solid-State Circuits, 23, (1988) 1171.
29. W. A. Geidam, IEEE Trans. Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control., 38, (1991) 704.
30. T. Mihara, H. Watanable and C. A. P. de Araujo, Jpn. J. Appl. Phys., 32, (1993) 4168.
31. R. Ramesh, W. K. Chan, B. Wilkens, H. Gilchrist, T. Sands, J. M. Tarascon, V. G. Keramidas, D. K. Fork, J. Lee and A. Safari, Appl. Phys. Lett., 61, (1992) 1537.
32. P. C. Joshi and S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett., 62, (1993) 1928.
33. I. K. Yoo, S. B. Desu and J. Xing: Ferroelectric Thin Films III, eds. E. R. Mayers, B. A. Tuttle, S. B. Desu and P. K. Larsen, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 310, (1993) 165.
34. C. B. Eom, R. B. V. Dover, J. M. Phillips, R. M. Fliming, R. J. Cava, J. H. Marshall, D. J. Werder, C. H. Chen, and D. K. Fork: Ferroelectric Thin Films III, eds. E. R. Mayers, B. A. Tuttle, S. B. Desu and P. K. Larsen, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 310, (1993) 145.
35. D. P. Vijat and S. B. Desu, J. Electrochem. Soc., 140, (1993) 2640.
36. T. Nakamuna, Y. Nakao, A. Kamisawa and H. TakaSu, Jpn. J. Appl. Phys., 33, (1994) 5207.
37. M. S. Chen, T. B. Wu and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett., 68, (1996) 1430.
38. Yuhuan, Published by North-Holland, (1991) 1-36.
39. H. M. Duiker, P. D. Beale, and J. F. Scott, J. Appl. Phys., 68, (1990) 5783.
40. J. F. Scott, C. A. Araujo, B. M. Melnick, L. D. Mcmillan, and R. Zuleeg, J. Appl. Phys., 70, (1991) 382.
41. G. Lu, A. Linsebigler and T. Y. Jr., J. Phys. Chem., 98, (1994) 11733.
42. G. Balducci, J. Kaspar, P. Forasiero and M. Graziani, J. Phys. Chem., B102, (1998) 557.
43. R. Hoppe and K. Blinne, Z. Anorg. Allg. Chem., 293, (1958) 251.
44. G. Wagner and H. Binder, Z. Anorg. Allg. Chem., 297, (1958) 328.
45. G. Wagner and H. Binder, Z. Anorg. Allg. Chem., 298, (1959) 12.
46. R. Weiss, C. R. Acad. Sci., 246, (1958) 3073.
47. T. Nitta, K. Nagase, S. Hayakawa and Y. Iida, J. Am. Ceram. Soc., 48, (1965) 642.
48. H. Ikushima and S. Hayakawa, Solid-State Electron., 9, (1966) 921.
49. R. D. Shannon and P. E. Bierstedt, J. Am. Ceram. Soc., 53, (1970) 635.
50. A. W. Sleight, J. L. Gillson and P. E. Bierstedt, Solid State Commun., 17, (1975) 27.
51. L. R. Gilbert, R. Messier and R. Roy, Thin Solid Films, 54, (1978) 129.
52. M. Suzuki, T. Murakami and T. Inamura, Jpn. J. Appl. Phys., 19, (1980) L231.
53. T. D. Thanh, A. Koma and S. Tanaka, Appl. Phys., 22, (1980) 205.
54. M. Suzuki, Y. Enomoto, T. Murakami and T. Inamura, J. Appl. Phys., 53, (1982) 1622.
55. M. Suzuki and T. Murakami, J. Appl. Phys., 56, (1984) 2330.
56. M. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., 31, (1992) 3830.
57. M. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., 32, (1993) 2640.
58. F. Wang, A. Uusimaki, S. Leppavuori and H. Zhang, Mater. Res. Bull., 31, (1996) 37.
59. M. Kuwabara, T. Kuroda, S. Takahashi and T. Azuma, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 271, (1992) 365.
60. T. Azuma, S. Takahashi and M. Kuwabara, Jpn. J. Appl. Phys., 32, (1993) 4089.
61. M. Kuwabara, S. Takahashi and T. Kuroda, Appl. Phys. Lett., 62,(1993) 3372.
62. T. Azuma, Y. Sakamoto, K. Mitani, S. Takahashi and M. Kuwabara, J. Ceram. Soc. Jpn., 103, (1995) 822.
63. S. Takahashi, S. Yoneda, H. Shimooka and M. Kuwabara, J. Ceram. Soc. Jpn., 103, (1995) 660.
64. T. Ikeda, J. Phys. Soc. Jpn., 14, (1959) 168.
65. G. Shirane, Phys. Rev., 86, (1952) 219.
66. G. Shirane and S. Hoshino, Acta Cryat., 7, (1954) 203.
67. K. Yamakawa, K. W. Gachigi, S. T. McKinstry and J. P. Dougherty, J. Mater. Sci., 32, (1997) 5169.
68. E. Sawaguchi, H. Maniwa and S. Hoshino, Phys. Rev., 83, (1951) 1078.
69. S. Roberts, J. Am. Ceram. Soc., 33, (1950) 63.
70. E. Swaguchi, J. Phys. Soc. Jpn., 8, (1953) 615.
71. J. T. Evans, and R. Womack, IEEE J. Solid-State Circuits, 23, (1988) 1171.
72. W. A. Geideman, IEEE Trans. Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, 38, (1991) 704.
73. P. K. Larsen, R. Cuppens and G. A. C. M. Spierings, Ferroelectrics, 128, (1992) 265.
74. J. Kato, H. Kagata and K. Nishimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 30, (1991) 2343.
75. H. Kanai, O. Furukawa, H. Abe and Y. Yamashita, J. Am. Ceram. Soc., 77, (1994) 2620.
76. M. Adamczyk, Z. Ujma and J. Handerek, J. Appl. Phys., 89, (2001)542.
77. K. Torii, T. Kaga and E. Takeda, Jpn. J. Appl. Phys., 31, (1992) 2989.
78. K. Yamakawa, S. T. McKinstry and J. P. Dougherty, IEEE Tech. Dig., (1996) 405.
79. I. Kanno, S. Hayashi, M. Kitagawa, R. Takayama and T. Hirao, Appl. Phys. Lett., 66, (1995) 145.
80. J. H. Tseng and T. B. Wu, Appl. Phys. Lett., 78, (2001) 1721.
81. J. H. Tseng and T. B. Wu, Key Engineering Materials, 7, (2002) 133.
82. 曾嘉宏, 清華大學, 碩士論文, (2000).
83. S. K. Dey, R. Barz, P. Majhi and C. G. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., 39, (2000) 921.
84. Y. T. Kim and C. W. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 35, (1996) 6153.
85. H. N. A. Shareef, K. D. Gifford, S. H. Rou, P. D. Hren, O. Auciello and A. I. Kingon, Intergated Ferroelectrics, 5,(1993) 321.
86. L. D. Madsen, L. Weaver, H. Ljungcrantz and A. J. Clark, J. Electron. Mater., 27, (1998)418.
87. C. P. D. Araujo, J. F. Scott and G. W. Taylor, Ferroelectric Thin Film: Synthesis and Basic Properties, Gordon and Breach Publishers, (1996) 193.
88. S. Wolf and R. N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era, Lattice Press, CA Sunset Beach, (1986) 384.
89. E. A. Kneer, D. P. Birnie, R. D. Schrimpf, J. C. Podlesny and G. Teowee, Integrated Ferroelectrics, 12, (1995) 61.
90. K. Sreenivas, I. Reaney, T. Maeder and N. Setter, J. Appl. Phys., 75, (1994) 232.
91. R. Bruchhaus, D. Pitzer, O. Eibl, U. Scheithauer and W. Hoesler, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 243, (1992) 123.
92. G. Schindler, W. Hartner, V. Joshi, N. Solayappan, G. Derbenwick and C. Mazure, Integrated Ferroelectrics, 17, (1997) 421.
93. T. Ogawa, S. Shindou, A. Senda and T. Kasanami, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 243, (1992) 93.
94. P. Revesz, J. Li, N. Szabo Jr., J. W. Mayer, D. Caudillo and E. R. Mayers, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 243, (1992) 101.
95. S. A. Mayers and E. R. Mayers, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 243, (1992) 107.
96. D. Barrow, C. V. R. V. Kumar, R. Pasual and M. Sayer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 243, (1992) 113.
97. K. B. Lee, B. R. Rhee and S. K. Cho, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 433, (1996) 181.
98. W. J. D. Bonte, J. M. Poate, C. M. Smith and R. A. Levesque, J. Appl. Phys., 46, (1975) 4284.
99. R. N. Singh and E. F. Koch, J. Electrochem. Soc., 133, (1986) 1191.
100. T. E. Clark, J. Vac. Sci. & Tech., B9, (1991) 1478.
101. K. Sreenivas, M. Sayer, T. Laursen, J. L. Whitton, R. Pascual, D. J. Johnson, D. T. Amm, G. I. Sproule, D. F. Mitchell, M. J. Graham, S. C. Gujrathi and K. Oxorn, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 200, (1990) 255.
102. A. V. Rao, S. A. Mansour and A. L.Bement, Mater. Lett., 29 , (1996) 255.
103. R. Ramesh, W. K. Chan, B. Wilkens, H. Gilchrist, T. Sands, J. M. Tarascon, V. G. Keramidas, D. K. Fork, J. Lee and A. Safari, Appl. Phys. Lett., 61, (1992) 1537.
104. J. Lee, L. Johnson, A. Safari, R. Ramesh, T. Sands, H. Gilchrist and V. G. Keeramidas, Appl. Phys. Lett., 63, (1993) 27.
105. T. Zheleva, P. Tiwari and J. Narayan, Mat. Res. Soc. Symp.Proc., 310, (1993) 215.
106. H. Kurogi, Y. Yamagata, K. Ebihara and N. Inoue, Surface and Coating Technology, 100-101, (1998) 424.
107. T. J. Cheung, P. E. D. Morgan, D. H. Lowndes, X. Y. Zheng and J. Breen, Appl. Phys. Lett., 62, (1993) 2045.
108. J. F. M. Cillessen, R. M. Wolf and A. E. M. de Veirman, Appl. Surf. Sci., 69, (1993) 212.
109. R. Dat. D. J. Lichtenwalner, O. Auciello and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett., 64, (1994) 2673.
110. S. M. Yoon, E. Tokumitsu and H. Ishiwara, Appl. Surf. Sci., 117-118, (1997) 447.
111. H. Atoh and H. Doi, Jpn. J. Appl. Phys., 38, (1999) 5368.
112. Y. Furusawa and H. Doi, Jpn. J. Appl. Phys., 38, (1999) 6864.
113. C. B. Eom, R. J. Cava, R. M. Fleming, J. M. Phillips, R. B. V. Dover, J. H. Marshall, J. W. P. Hsu, J. J. Krajewaki and W. F. Peck, Science, 258, (1992) 1766.
114. C. B. Eom, R. B. V. Dover, J. M. Phillips, D. J. Werder, J. H. Marshall, C. H. Chen, R. J. Cava, R. M. Fleming and D. K. Fork, Appl. Phys. Lett., 63, (1993) 2570.
115. C. B. Eom, R. B. V. Dover, J. M. Phillips, R. M. Fleming, R. J. Cava, J. H. Marshall, D. J. Werder, C. H. Chen and D. K. Fork, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 310, (1993) 145.
116. 陳銘森, 清華大學, 博士論文, (1996).
117. 吳啟明, 清華大學, 博士論文, (1997).
118. 施修正, 清華大學, 博士論文, (1999)
119. 趙國欽, 清華大學, 碩士論文, (1997)
120. C. C. Yang, M. S. Chen, T. J. Hong, C. M. Wu, J. M. Wu and T. B. Wu, Appl. Phys. Lett., 66, (1995) 2643.
121. M. S. Chen, T. B. Wu and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett., 68, (1996) 1430.
122. C. R. Cho, Mater. Sci. & Eng., B64, (1999) 113.
123. G. C. Chao and J. M. Wu, Jpn. J. Appl. Phys., 40, (2001) 1306.
124. G. C. Chao and J. M. Wu, Jpn. J. Appl. Phys., 40, (2001) 2417.
125. X. Q. Xu, J. L. Peng, Z. Y. Li, H. L. Ju and R. L. Greene, Phys. Rev., B48, (1993) 1112.
126. H. E. Hofer and W. F. Kock, J. Electrochem. Soc., 140, (1993) 2889.
127. R. A. M. Ram, L. Ganapathi, P. Ganguly and C. N. R. Rao, J. Solid State Chem., 63, (1986) 139.
128. K. M. Glassford and J. R. Chelikowsky, Phys. Rev., B47, (1993)1732.
129. D. P. Vijay and S. B. Desu, J. Electrochem. Soc., 140, (1993) 2640.
130. L. A. Bursill, I. M. Reaney, D. P. Vijay and S. B. Desu, J. Appl. Phys., 75, (1994) 1521.
131. C. W. Law, K. Y. Tong, J. H. Li, K. Li and M. C. Poon, Thin Solid Film,354, (1999) 162.
132. H. N. Al-Shareef, B. A. Tuttle, W. L. Warren, T. J .Headly, D. Dimos, J. A. Voigt and R. D. Nasby, J. Appl. Phys., 79, (1996) 1013.
133. Y. Park, S. M. Jeong, S. I. Moon, K. W. Jeong, S. H. Kim, J. T. Song and J. Yi, Jpn. J. Appl. Phys., 38, (1999) 6801.
134. S. O. Chung H. C. Lee and W. J. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 38, (1999) 6801.
135. H. N. Al-Shareef, A. I. Kingon and O. Auciello, Appl. Phys. Lett., 66, (1995) 239.
136. J. J. Lee, C. L. Thio, M. Bhattacharya and S. B. Desu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 361, (1995) 241.
137. V. Balu, T. S. Chen, B. Jiang, S. H. Kuah and J. C. Lee, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 433, (1996) 139.
138. T. S. Chen, V. Balu, B. Jiang, S. H. Kuah and J. C. Lee, Integrated Ferroelectrics, 16, (1997) 191.
139. K. A. Keiko and Y. Fujisaki, Jpn. J. Appl. Phys., 37, (1998) L804.
140. F. Zhang, S. T. Hsu, T. Li, Y. Ono, J. S. Maa, H. Ying and L. Stecker, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 596, (2000) 67.
141. S. Horii, S. Yokoyama and S. Horita, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 596, (2000) 85.
142. 梁春昇, 清華大學, 碩士論文, (2001).
143. Y. R. Luo and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett., 79, (2001) 3669.
144. J. L. Vossen and W. Kern, “Thin film process, Academic press”, New york, (1978).
145. A. A. R. Elshabini-Riad and F. D. Barlow III, “Thin film technology handbook”, McGraw-Hill, (1997).
146. 莊達人, VLSI製造技術, 高立圖書, (1995).
147. 施敏&張俊彥, 半導體元件物理與製作技術, 高立圖書, (1997).
148. 彭成鑑, 強介電陶瓷材料在動態隨機記憶體( DRAM )上的應用, 工業材料, 107, (1995) 72.
149. O. Auciello, A. I. Kingon and S. B. Krupanidhi, Mater. Res. Bull., 20, (1996) 25.
150. 吳泰伯, 強介電薄膜之物理氣相沉積技術, 工業材料, 109, (1996) 135.
151. O. Auciello and R. Ramesh, Mater. Res. Bull., 20, (1996) 31.
152. J. Dieleman, E. V. D. Riet and J. C. S. Kools, Jpn. J. Appl. Phys., 31, (1992) 1964.
153. M. L. Hitchman and K. F. Jensen, “Chemical Vapor Deposition,Principles and Applications”, Academic Press, New York, (1993).
154. A. Sherman, “Chemical Vapor Deposition for Microelectronics”, Noyes Publications, U.S.A., (1987).
155. H. O. Pierson, “Handbook of Chemical Vapor Deposition, Principles, Technology and Applications”, Noyes Publications, U.S.A., (1992).
156. S. Sivaram, “Chemical Vapor Deposition, Thermal and Plasma Deposition of Electronic Materials”, Van Nostrand Reinhold, New York, (1995).
157. 陳陪麗, 化學氣相沉積法, (1992) 4.
158. S. K. Dey and P. V. Alluri, “PE-MOCVD of Dielectric Thin Films: Challenges and Opportunities”, Mater. Res. Bull., 20, (1996) 44.
159. B. A. Tuttle and R. W. Schwartz, Mater. Res. Bull., 20, (1996) 49.
160. 陳三元, 強介電薄膜之液相化學法製作, 工業材料, 108, (1995) 100.
161. B. Chapman, “Glow Discharge Processes”, John Wiley & Sons, (1980).
162. A. Grill, “Cold Plasma in Materials Fabrication”, IEEE Press, (1994).
163. B. Chapman and S. Mangano, “Handbook of Thin-Film Deposition Processes and Techniques”, edited by K. K. Schuegraf, Noyes Publications, chapter 9, (1988).
164. S. M. Rossnagel, J. J. Cuomo and W. D. Westwood, “Handbook of Plasma Processing Technology - Fundamentals, Etching, Deposition and Surface Interactions”, Noyes Publications, (1990).
165. K. Wasa and S. Hayakawa, “Handbook of Sputter Deposition Technology - Principles, Technology and Applications”, Noyes Publications, (1992).
166. 陳寶清, 離子鍍及濺射技術, 國防工業出版社, (1990) 83.
167. N. Laegreid and G. K. Wehner, J. Appl. Phys., 32, (1961) 365.
168. Y. Xu, “Ferroelectric Materials and Their Applications”, North-Holland, Netherlands, (1991).
169. 葉明華, 清華大學, 博士論文, (1994).
170. 李雅明, 固態電子學, 全華科技, (1995).
171. B. Jaffe, W. R. Cook, Jr and H. Jaffe, “Piezoelectric Ceramics”, Academic Press Limited, (1971).
172. 傅勝利, 陶瓷技術手冊-電子陶瓷, 粉末冶金協會, (1994).
173. 林居南, 清華大學, 博士論文, (1990).
174. 吳朗, 電子陶瓷-介電, 全欣資訊圖書, (1994).
175. G. A. Smolenskii and V. A. Isupov, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 8, (1954) 1375.
176. V. I. Frisberg and B. N. Rolov, Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Fiz., 28, (1964) 649.
177. W. Känzig, Helv. Phys. Acta, 24, (1951) 175.
178. G. A. Smolenskii, J. Phys. Soc. Jpn., 28(suppl), (1970) 26.
179. W. R. Buessem, L. E. Cross and A. K. Goswami, J. Am. Ceram. Soc., 49, (1966) 33.
180. S. K. Chiang, W. E. Lee and D. W. Readey, Am. Ceram. Soc. Bull., 66, (1987) 1230.
181. T. R. Armstrong, L. E. Morgens, A. K. Maurice and R. C. Buchanan, J. Am. Ceram. Soc., 72, (1989) 605.
182. H. Y. Lu, J. S. Bow and W. H. Deng, J. Am. Ceram. Soc., 73, (1990) 3562.
183. D. Barb, Eva Bãrbulescu and A. Bãrbulescu, Phys. Stat. Sol. (a), 73, (1982) 603.
184. 吳泰伯, 強介電薄膜在半導體記憶體上之應用與發展-機會與挑戰, 中國材料科學學會1996年度年會論文集, 2, (1996) 155.
185. S. Weber, Electronics, Feb., (1988) 91.
186. 陳登元, 強介電記憶體之設計原理, 工業材料, 107, (1995) 61.
187. Y. Nako, T. Nakamura, A. Kamisawa and H. Takasu, Symp. 6th Int. Symp. Integrated Ferroelectrics, California Monterey, (1995) 23.
188. S. Sinharoy and H. Buhay, J. Vac. Sci. Technol., A10, (1992) 1554.
189. T. S. Kalkur, G. Argos and L. Kammerdiner, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 200, (1990) 313.
190. Y. Shichi, S. Tanimoto, T. Goto, K. Kuroiwa and Y. Tarui, Jpn. J. Appl. Phys., 33, (1994) 5172.
191. S. K. Dey and R. Zuleeg, Ferroelectrics, 112, (1990) 309.
192. B. P. Maderic, L. E. Sanchez and S. Y. Wu, Ferroelectrics, 116, (1991) 65.
193. I. K. Yoo and S. B. Desu, Mater. Sci. & Eng., B13, (1992) 319.
194. W. H. Shepherd, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 200, (1990) 277.
195. J. F. Scott and B. Pouligny, J. Appl. Phys., 64, (1988) 1547.
196. D. M. Smyth, Ferroelectrics, (1991) 117.
197. H. M. Duiker, P. D. Beale and J. F. Scott, J. Appl. Phys., 68, (1990) 5783.
198. J. J. Lee C. L. Thio, M. Bhattacharya and S. B. Desu, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 361, (1995) 241.
199. D. J. Johnson, D. T. Amw, E. Griswold, K. Sreenivas, G. Yi and M. Sayer, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 200, (1990) 289.
200. C. K. Kwok and S. B. Desu, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 243, (1992) 393.
201. P. K. Larsen, G. J. M. dormans, D. J. Taylor and P. J. V. Veldhoven, J. Appl. Phys., 76, (1994) 2405.
202. B. E. Gnade, S. R. Summerfelt and D. Crenshaw, “Processing and Device Issues of High Permittivity Materials for DRAMS”, O. Auciello and R. Waser eds., Scince and Technology of Electroceramic Thin Films, Kluwer Aademic Publishers, (1995) 373.
203. A. J. Moulson and J. M. Herbert, “Electroceramics-Materials、Properties、Applications”, Chapman and Hall, (1990).
204. M. Ohring, “The Materials Science of Thin Films”, Academic Press, (1992).
205. 李雅明, 吳世全, 陳宏名, 鐵電記憶元件, 電子月刊, 14(9), (1996) 68.
206. H. Hu and S. B. Krupanidhi, J. Mater. Res., 9, (1994) 1484.
207. R. Waser, “Polarization, Conduction, and Breakdown in Non-Ferroelectric Perovskite Thin Films”, O. Auciello and R. Waser eds., Scince and Technology of Electroceramic Thin Films, Kluwer Aademic Publishers, (1995) 223.
208. S. B. Desu and I. K. Yoo, J. Electrochem. Soc., 140, (1993) L133.
209. D. J. Johnson, D. T. Amm, E. Griswold, K. Sreenivas, G. Yi and M. Sayer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 200, (1990) 289.
210. H. M. Duiker, P. D. Beale, J. F. Scott, C. A. P. de Araujo, B. M. Melnick, J. D. Cuchiaro and L. D. McMillan, J. Appl. Phys., 68, (1990) 5783.
211. I. K. Yoo and S. B. Desu, Mater. Sci. Eng., B 13, (1992) 319.
212. J. F. Scott, C. A. Araulo, B. M. Melnick, L. D. McMillan and R. Zuleeg, J. Appl. Phys., 70, (1991) 382.
213. C. K. Kwok and S. B. Desu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 243, (1992) 393.
214. C. M. Foster, G. R. Bai, R. Csencsits, J. Vetrone, R. Jammy, L. A. Wills, E. Carr and J. Amano, J. Appl. Phys., 81, (1997) 2349.
215. S. Y. Chen, X. F. Du And I. W. Chen, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 361, (1995) 15.
216. H. Watanabe, T. Mihata, H. Yoshimori and C. A. Paz de Araujo, Jpn. J. Appl. Phys., 34(9B), (1995) 5240.
217. T. C. Chen, T. Li, X. Zhaung and S. B. Desu, J. Mater. Res., 12-6, (1997).
218. T. Atsuki,N. Soyama, T. Yonezawa and K. Ogi, Jpn. J. Appl. Phys., 34, (1995) 5096.
219. T. Maeder, P. Muralt, L. Sagalowicz and N. Setter, Microelectronic Engineering, 29, (1995) 117.
220. G. Shindler, W. Hartner, V. Joshi, N. Solayappan, G. Derbenwick and C. Mazure, Integrated Ferroelectrics, 17, (1997) 421.
221. H. Nakasima, S. Hazumi, T. Kamiya, K. Tominaga, and M. Okada, Jpn. J. Appl. Phys., 33, (1994) 5139.
222. G. H. Haertling and C. E. Land, J. Am. Ceram. Soc., 54, (1971) 1.
223. C. Sudhama, J. Kim, J. Lee and V. Chikarmane, J. Vac. Sci. Technol., B11, (1993) 1302.
224. D. Dimos, R. W. Schwartz and S. J. Lockwood, J. Am. Ceram. Soc., 77, (1994) 3000.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top