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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:游詩穎
研究生(外文):Yu Shih-Ying
論文名稱:銦錫氧化物(ITO)的表面氧氣氮氣電漿處理
論文名稱(外文):A study of surface-treated indium tin oxides thin films using oxygen and nitrogen plasmas
指導教授:寇崇善
指導教授(外文):C. S. Kou
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:物理學系
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2002
畢業學年度:90
語文別:中文
論文頁數:35
中文關鍵詞:銦錫氧化物氧氣電漿氮氣電漿
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銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)通常應用在各種光電元件,不同的用途對ITO膜等各種透明導電薄膜的性質需求也有所差異。本實驗以電感式耦合電漿系統(ICP)產生氧氣、氮氣電漿作用在ITO玻璃,探討不同電漿條件:RF 功率、壓力、時間作用後,ITO的導電度、表面組成元素比例及粗糙度的變化。得到氧氣電漿作用後會增加ITO的片電阻;氮氣電漿作用後會減少ITO的片電阻。並且表面組成元素比例也會改變,粗糙度變的較平滑。除此之外,還量測電感式耦合電漿系統的氧氣及氮氣電漿密度之電漿特性,以期瞭解電漿狀態與電漿作用在ITO之關係。進而得到微調ITO膜的性質,以應用在各種用途。
第一章 簡介 1
1.1 透明導電氧化物的物性及電性 1
1.1.1 氧化錫(Tin Oxides) 2
1.1.2 氧化銦(Indium Oxides) 2
1.1.3 銦錫氧化物(Indium Tin Oxides) 3
1.2 銦錫氧化物的應用 6
1.3 電漿處理的優點 7
1.4 研究目的及論文架構 7
第二章 實驗設備系統 9
2.1 ICP射頻電漿系統 10
2.2 Single Langmuir probe量測系統 11
第三章 實驗方法與結果 14
3.1 實驗步驟 14
3.2 電性量測 15
3.3 電漿作用 18
3.3.1 氧氣電漿作用在ITO玻璃之片電阻變化 18
3.3.2 氮氣電漿作用在ITO玻璃之片電阻變化 19
3.4 材料分析 22
3.4.1 ITO玻璃之表面元素組成分析(ESCA) 22
3.4.2 ITO玻璃表面粗糙度分析(AFM) 27
第四章 電漿特性量測 30
4.1 電漿密度量測 30
第五章 結論 32
參考資料 34
第一章
[1-1] K. L. Chopra, S. Major and D. K. Pandya, Thin Solid Films 102, 1-46 (1983)
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第二章
[2-1] Michael A. Lieberman and Allan J. Lichtenberg "Principles of Plasma Discharges and Materials Processing"
[2-2] 吳倉聚博士論文,微波激發之大面積高密度表面波電漿源之研
究,2000年7月
第三章
[3-1] Dieter K. Schroder "Semiconductor Material and Device Characterization", 2nd,1998
[3-2] 汪建民,材料分析,中國材料科學學會,87年
[3-3] C. C. Wu, C. I. Wu, J. S. Sturm and A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 70(11), 1348-1350 (1997)
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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