臺灣博碩士論文加值系統

銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)通常應用在各種光電元件，不同的用途對ITO膜等各種透明導電薄膜的性質需求也有所差異。本實驗以電感式耦合電漿系統(ICP)產生氧氣、氮氣電漿作用在ITO玻璃，探討不同電漿條件：RF 功率、壓力、時間作用後，ITO的導電度、表面組成元素比例及粗糙度的變化。得到氧氣電漿作用後會增加ITO的片電阻；氮氣電漿作用後會減少ITO的片電阻。並且表面組成元素比例也會改變，粗糙度變的較平滑。除此之外，還量測電感式耦合電漿系統的氧氣及氮氣電漿密度之電漿特性，以期瞭解電漿狀態與電漿作用在ITO之關係。進而得到微調ITO膜的性質，以應用在各種用途。

第一章 簡介 1
1.1 透明導電氧化物的物性及電性 1
1.1.1 氧化錫(Tin Oxides) 2
1.1.2 氧化銦(Indium Oxides) 2
1.1.3 銦錫氧化物(Indium Tin Oxides) 3
1.2 銦錫氧化物的應用 6
1.3 電漿處理的優點 7
1.4 研究目的及論文架構 7
第二章 實驗設備系統 9
2.1 ICP射頻電漿系統 10
2.2 Single Langmuir probe量測系統 11
第三章 實驗方法與結果 14
3.1 實驗步驟 14
3.2 電性量測 15
3.3 電漿作用 18
3.3.1 氧氣電漿作用在ITO玻璃之片電阻變化 18
3.3.2 氮氣電漿作用在ITO玻璃之片電阻變化 19
3.4 材料分析 22
3.4.1 ITO玻璃之表面元素組成分析(ESCA) 22
3.4.2 ITO玻璃表面粗糙度分析(AFM) 27
第四章 電漿特性量測 30
4.1 電漿密度量測 30
第五章 結論 32
參考資料 34

第一章
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