跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(44.220.44.148) 您好!臺灣時間:2024/06/21 17:04
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

: 
twitterline
研究生:許嘉緯
研究生(外文):Chia-Wei Hsu
論文名稱:碲化鋅半導體量子點之光學特性研究
論文名稱(外文):Optical properties of ZnTe semiconductor quantum dots
指導教授:沈志霖
指導教授(外文):J.L. Shen
學位類別:碩士
校院名稱:中原大學
系所名稱:應用物理研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2003
畢業學年度:91
語文別:中文
論文頁數:36
中文關鍵詞:量子點碲化鋅
外文關鍵詞:ZnTequantum dotsZnTe/ZnSe
相關次數:
  • 被引用被引用:1
  • 點閱點閱:214
  • 評分評分:
  • 下載下載:27
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:1
本文使用光激螢光、時間鑑別光激螢光與無接點電場調制反射光譜研究type-II ZnTe/ZnSe量子點的光學特性。當激發光功率增加時,發現量子點的光激螢光能量峰值有藍位移,這可以用type-II能帶彎曲的模型來解釋。相反地,濕層的能量峰值隨激發光功率增加卻有紅位移現象,這個現象則由位能不均勻產生的侷域化現象來了解。此外,從溫度變化的光激螢光量測與溫度變化的時間鑑別光激螢光量測,可明顯觀察到載子由濕層轉移至量子點的現象。
Optical properties of type-II ZnTe/ZnSe quantum dots have been investigated by using photoluminescence (PL), time-resolved PL, and contactless electro-reflectance (CER). As the excitation power is increased, a blue (red) shift of PL peak is found in quantum dots (wetting layers). These results are explained by a band-bending model (localization due to potenial fluctuation). In addition, a carrier-transfer phenomenon from wetting layer to quantum dots is observed in the temperature-dependent and time-resolved PL measurements.
摘要 Ⅰ
ABSTRACT Ⅱ
誌謝 Ⅲ
目錄 IV
圖目錄 VI
表目錄 VIII

第一章 緒論 -------------------------1
第二章 原理 -----4
2-1 光激螢光原理 -----4
2-2時間鑑別光激螢光原理 --------5
2-3調制光譜相關理論 -----6

第三章樣品結構與量測系統 ----10
3-1 樣品結構 ---10
3-2 量測系統 ----11
3-2.1 光激螢光光譜系統概述 ----11
3-2.2時間光激螢光光譜系統概述 ----12
3-2.3無接點電場調制反射光譜系統概述 -----13

第四章 結果與討論 ---17
4-1 光激螢光光譜實驗分析 ---17
4-2時間鑑別光激螢光光譜實驗分析 ---23
4-3無接點電場調制反射光譜實驗分析 ---28
第五章 結論 --------34
參考文獻 --------35
圖 2.1 能帶邊緣光激螢光過程---------------------------------------------4
圖 3.1 樣品結構--------------------------------------------------------------10
圖 3.2 光激螢光實驗裝置--------------------------------------------------11
圖 3.3 樣品架設--------------------------------------------------------------13
圖 3.4 無接點電場調制反射光譜量測系統-----------------------------14
圖 4.1 在不同溫度下樣品光激螢光光譜--------------------------------17
圖 4.2 濕層能量與量子點能量隨溫度變化的關係--------------------18
圖 4.3 濕層線寬與量子點線寬隨溫度變化的關係圖-----------------19
圖 4.4 溫度在120 K與140 K時樣品之光激螢光光譜-----------------20
圖 4.5 載子從濕層轉移至量子點再結合示意圖-----------------------20
圖 4.6 在溫度17 K時,不同功率變化下樣品之光激螢光光譜------22
圖 4.7 量子點能帶結構示意圖--------------------------------------------22
圖 4.8 溫度17 K時載子在濕層內的生命期-----------------------------24
圖 4.9 溫度17 K時載子在量子點的生命期-----------------------------24
圖 4.10 溫度17K時,量測不同能量載子的生命期 -------------------25
圖 4.11 溫度17K時,量測不同能量載子的生命期 -----------------26
圖 4.12 (a)溫度與濕層的載子生命期 關係圖(b)溫度與量子點載子生命期 關係圖--------------------------------------------------27
圖 4.13 溫度與濕層載子生命期 關係圖--------------------------------28
圖 4.14 樣品在溫度60 K時光激螢光光譜與無接點電場調制反射光譜--------------------------------------------------------------------29
圖 4.15 樣品在溫度從13 K至90 K時的無接點電場調制反射光譜-----------------------------------------------------------------------30
圖 4.16 樣品在溫度從90 K至180 K時的無接點電場調制反射光譜-----------------------------------------------------------------------31
圖 4.17 樣品在溫度從200 K至280 K時的無接點電場調制反射光譜-----------------------------------------------------------------------32
圖 4.18 ZnSe能量隨溫度變化之無接點電場調制反射光譜-----------33
表3.1 無接點電場調制反射光譜m之擬合參數------------------------16
表4.1 溫度17 K時,在功率變化光激螢光光譜中量測濕層與量子點峰值及載子生命期--------------------------------------------------21
[1] W.D. Zhou, O. Qasaimeh, J. Phillips, S. Krishna, and P. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 74, 783 (1999)
[2] K. Imamura, Y. Sugiyama, Y. Nakata, S. Muto, and N. Yokoyama, Jpn. J. Appl. Phy. Part 2 34, L1445 (1995)
[3] D. E. Aspens, “Modulation Sepctroscopy/Electric Field Effect on the Dielectric Function of Semiconductor” Bell Laboratories (1980)
[4] Y. R. Lee, A. K. Ramdas, L. A. Kolodziejski, and R. L. Gunshor, Phys. Rev. B 38, 13413 (1988)
[5] Y. S. Huang, H. Oiang, F. H. Pollak, J. Lee, and B. Elman, J. Appl Phys. 70,.3808 (1991)
[6] B. V. Shanabrook, O. J. Glembocki, and W. T. Beard, Phys. Rev. B. 35,2540 (1980)
[7] In Handbook on Semiconductors, ed. By M. Balkanski, North-Holland Publishing Co.,Amsterdam,2,109 (1980)
[8]呂俊昇 “硒硫化鋅之無接點電場調制光譜研究” 私立中原大學應用物理研究所,碩士論文,民國八十九年
[9] M. C. Kuo, C. S. Yang, P. Y. Tseng, J. Lee, J. L. Shen, W. C. Chou, J. Crystal. Growth 242, 533 (2002).
[10] Sandip Ghosh, B. M. Arora, Seong-Jin Kim, Joo-Hyong, Hajime Asahi, J. Appl. Phys. 85, 2687 (1999).
[11] M. funato, A. Balocchi, C. Bradford, K. A. Prior, and B. C. Cavenett, Appl. Phys. Lett. 80, 443 (2002).
[12] S. Sanguinetti, T. Mano, T. Tateno, M. Wakaki, N. Koguchi, Appl. Phys. Lett. 81, 3067 (2002).
[13] H. Kissel, U. Muller, C. Walther, W. T. Maselink, Phys. Rev. B 62, 7213 (2000).
[14] J. Wan, G. L. Jin, Z. M. Jiang, Y. H. Luo, J. L. Liu and Kang L. Wang, Appl. Phys. Lett. 78,1763 (2001)
[15] C. K. Sun, G. Wang, J. E. Bowers, B. Brar, H. R. Blank, H. Kroemer, and M. H. Pilkuhn, Appl. Phys. Lett. 68, 1543 (1996)
[16] Yong-Hoon Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Keller, u. K. Mishra, et. al. Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998)
[17] Arno Hartmann, Yann Ducommun, Manuel Bachthold, Eli Kapon, Physica. E 7, 461 (2000).
[18] S. F. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, T. Mukai, S. Nakamura, J. Appl. Phys. 88, 5153 (2000).
[19] M. Strassburg, M. Dwoizak, H. Born, R. Heitz, A. Hoffmann, et. al. Appl. Phys. Lett. 80, 473 (2002).
[20] O. Madelung, W. von der Osten, and U, Rössler, Landolt-Börnstein, edited by O. Madelung (Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 1987)
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊