本篇論文為研究戊酮亞胺銅金屬錯合物的合成、性質探討與其在化學氣相沉積的應用。我們以K-10為催化劑合成出一系列戊酮亞胺類化合物1a、1b、2a、2b和3a，將這些化合物作成鈉鹽與氯化銅反應，可得到一系列具有高揮發性且在空氣下穩定的錯合物4a、4b、5a、5b及6a，這些錯合物的特性，如熱物理性質和X-ray繞射結構等，皆詳述於論文中。
最後我們選取錯合物4a、5a和6a作為化學沉積的前驅物，以冷壁式反應器在SiO2的基材上沉積銅薄膜，於實驗進行中，我們觀察到錯合物5a具有選擇性沉積的特性，可以在具有SiO2圖形的Si基板上沉積出圖形化的銅膜。所有鍍製出來的金屬薄膜皆由掃描式電子顯微鏡、四點探針及ESCA進行分析和鑑定，並在論文中探討影響薄膜純度、表面形貌，和電性表現的原因。

第一章、序論 1
第一節、前言 1
第二節、化學氣相沉積簡介 7
第三節、銅金屬化學氣相沉積之文獻回顧 13
第四節、研究動機 23
第二章、實驗部分 24
第一節、一般敘述 24
（一）藥品 24
（二）直立冷壁式化學氣相沉積裝置 24
（三）分析工具 27
第二節、實驗步驟 32
第一部份、銅金屬錯合物的合成 32
第二部份、化學氣相 41
第三章、結果與討論 43
第一節、銅金屬錯合物之結構解析與性質探討 43
第一部份、銅金屬錯合物之結構解析 43
第二部份、錯合物之物理及化學性質探討 58
第二節、銅金屬薄膜的微結構與物理性質的探討 68
第四章、結論 108

S. P. Murarka, Solid State technology 1996, 83.
S. P. Murarka, R. J. Gutmann, A. E. Kaloyerors, W. A. Lanford, Thin Solid Films 1993, 236, 257.
C. Y. Chang, S. M. Sze, ULSI Technology, the McGRAW-HILL 1996, 663.
H. Ono, T. Nakano, T. Ohta, Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1511.
E. Kolawa, J. S. Chen, J. S. Reid, P. J. Pokela, M. A. Nicolet, J. Appl. Phys. 1991, 70, 1369.
P. Doppelt, Microelectron. Eng. 1997, 37/38, 89.
P. Motte, J. Torres, J. Palleau, F. Tardif, O. Demolliens, H. Bernard, Microelectron. Eng. 2000, 50, 487.
C. Steinbrüchel, Appl. Surf. Sci. 1995, 91, 139.
Z. Stavreva, D. Zeidler, M. PlÖtner, K. Drescher, Appl. Surf. Sci. 1995, 91, 192.
P. Doppelt, M. Stelzle, Microelectron. Eng. 1997, 33, 15.
J. Reid, V. Bhaskaran, R. Contolini, E. Patton, R. Jackson, E. Broadbent, T. Walsh, S. Mayer, R. Schetty, J. Martin, M. Toben, S. Menard, Proc. IITC 99, IEEE 1999, 284.
K. Weiss, S. Riedel, S. E. Schulz, M. Schwerd, H. Helneder, H. Wendt, T. Gessner, Microelectron. Eng. 2000, 50, 433.
Y. Lantasov, R. Palmans, K. Maex, Microelectron. Eng. 2000, 50, 441.
C. E. Morosanu, Thin Film by Chemical Vapor Deposition, Elsevier, 1990.
T. T. Kodas, M. J. Hampden-Smith, The Chemistry of Metal CVD, VCH, 1994.
R. L. Van Hemert, L. B. Spendlove, R. E. Sievers, J. Electrochem. Soc. 1965, 112, 1123.
W. G. Lai, Y. Xie, G. L. Griffin, J. Electrochem. Soc. 1991, 138, 3499.
Y. Pauleau, A. Y. Fasasi, Chem. Mater. 1991, 3, 45-50.
N. Awaya, Y. Arita, Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, 3915.
W. S. Rees Jr, C. R. Caballero, Advanced Materials For Optics And Electronics, 1992, 1, 59.
J. RÖber, S. Riedel, S. E. Schulz, T. Gessner, Microelectron. Eng. 1997, 37/38, 111.
(a) D.-H. Kim, R. H. Wentorf, W. N. Gill, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1992, 260, 107. (b) D.-H. Kim, R. H. Wentorf, W. N. Gill, J. Electrochem. Soc. 1993, 140, 3273.
J. Pinkas, J. C. Huffman, D. V. Baxter, M. H. Chisholm, K.G. Caulton, Chem. Mater. 1995, 7, 1589.
N. S. Borgharkar, G. L. Griffin, A. James, A. W. Maverick, Thin Solid Films 1998, 320, 86.
D. Temple, A. Reisman, J. Electrochem. Soc. 1989, 136, 3525.
A. E. Kaloyeros, A. Feng, J. Garhart, K. C. Brooks, S. K. Ghosh, A. N. Saxena, F. Luehers, J. Electronic Maters. 1990, 19, 271.
N. Awaya, Y. Arita, Advanced Metalization For ULSI Applications, V. S. Rana, R. V. Joshi, I. Ohdomari(eds.), Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1992, 345.
B. Lecohier, J.-M. Phlippoz, J. Vac. Sci. Technol. B. 1992, 10, 262
Y. Pauleau, A.Y. Fasasi, Chem. Mater. 1991, 3, 45.
Y. Hazuki, H. YANO, H. Okano, Tungsten and Other Advanced Metal for VLSI/ULSI Applications V. 1990. 351.
S. M. Fine, P. N. Dyer, J. A. T. Norman, B. A. Muratore, R. L. Iampietro, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1991, 204, 415.
S. C. Goel, K. S. Kramer, M. Y. Chiang, W. E. Buhro, Polyhedron. 1990, 9, 611.
V. L. Young, D. F. Cox, M. E. Davis, Chem. Mater. 1993, 5, 1701.
(a) Peng-Fu Hsu, Yun Chi, Tsung-Wu Lin, Chem. Vap. Deposition. 2001, 7, 1, 28. (b) Y. Chi, P.-F. Hsu, C.-S. Liu, W.-L. Ching, T.-Y. Chou, Arthur J. Carty, S.-M. Peng, G.-H. Leec, S.-H. Chuang, J. Mater. Chem. 2002, 12, 3541
R. M. Jeffries, S. R. Wilson, G. S. Girolami, Inorg. Chem. 1992, 31, 4503.
J. Pinkas, J. C. Huffman, J. C. Bollinger, W. E. Streib, D. V. Baxter, M. H. Chisholm, K. G. Caulton, Inorg. Chem. 1997, 36, 2930.
S. Hwang, H. Choi, Chem. Mater. 1996, 8, 981.
M.-J. Mouche, J.-L. Mermet, M. Romand, M. Charbonnier, Thin Solid Films 1995, 262, 1.
A. Jain, K.-M. Chi, T. T. Kodas, M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 1993, 140, 1434.
(a) A. Jain, K.-M. Chi, M. J. Hampden-Smith, T. T. Kodas, J. D. Farr, M. F. Paffett, J. Mater. Res. 1992, 7, 261. (b) K.-M. Chi, H.-K. Shin, M. J. Hampden-Smith, E. N. Duesler, T. T. Kodas, Polyhedron 1991, 10, 2293.
(a) P. Doppelt, T.H. Baum, J. Organomet. Chem. 1996, 517, 53. (b) T. H. Baum, C. E. Larson, J. Electrochem. Soc. 1993, 140, 154.
H. K. Shin, Advanced Metalization For ULSI Applications, V. S. Rana, R. V. Joshi, I. Ohdomari(eds.), Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1992, 403.
J. A. T. Norman, D. A. Roberts, A. K. Hochberg, P. Smith, G. A. Petersen, J. E. Parmeter, C. A. Apblett, T. R. Omstead, Thin Solid Films 1995, 262, 46.
S.-Y. Lee, S.-K. Pha, W.-J. Lee, D.-W. Kim, J.-S. Hwang, C.-O. Park, Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, 5249.
T. R. Omstead, J. A. T. Norman, J. Electrochem. Soc. 1995, 142, 939.
A. Jain, T. T. Kodas, T. S. Corbitt, M. J. Hampden-Smith, Chem. Mater. 1996, 8, 1119.
H. Choi, S. Hwang, Chem. Mater. 1998, 10, 2326.
T.-Y. Chen, P. Doppelt, Chem. Mater. 2001, 13, 3993.
J.-H. Son, M.-Y. Park, S.-W. Rhee, Thin Solid Films 1998, 335, 229.
K.-M. Chi, H.-C. Hou, P.-T. Hung, Organometallics 1995, 14, 2641.
K.-M. Chi, T. S. Corbitt, M. J. Hampden-Smith, T. T. Kodas, E. N. Duesler, J. Organomet. Chem. 1993, 449, 181.
H. Choi, Organocopper precursors for chemical vapor deposition, patent WO 00/08225/A2.
G.E.Gurr, Acta. Crystallogr. Sect B: Struct. Crystallogr. Cryst. Chem. 1968, 24, 1511
W.—J. Lee, J. S. Min, S.—K. Rha, S.—S. Chun, C.—O. Park, J. Mater. Sci. 1996, 7, 111.
C. Marcadal, E. Richard, J. Torres, J. Palleau, R. Madar, Microelectron. Eng. 1997, 37/38, 97.
Seok Kim, J.-M. Park, D.-J. Choi, Thin Solid Films. 1998, 315, 229.