(3.215.77.193) 您好!臺灣時間:2021/04/17 02:15
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果

詳目顯示:::

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:張鳴助
論文名稱:BaPbO3陶瓷電極製備及PZT/BPO薄膜的鐵電性質研究
論文名稱(外文):The Preparation and Characteristics of BaPbO3 Ceramic Electrode and the Ferroelectric Properties of PZT / BPO Films
指導教授:吳振名
學位類別:博士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學工程學系
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2003
畢業學年度:91
語文別:中文
論文頁數:158
中文關鍵詞:鉛酸鋇反應動力學鋯鈦酸鉛有機金屬分解法溶凝膠法濺鍍法疲勞性質鐵電性質
外文關鍵詞:BaPbO3Reaction KineticsPZTMetallo-Organic DecompositionSol-GelSputteringFatigue PropertyFerroelectric Properties
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:325
  • 評分評分:系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔系統版面圖檔
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
摘 要
本文前半部分針對BaPbO3的反應動力學和生成機構作研究探討;而後半部分則利用不同方法鍍製BaPbO3薄膜,作為PZT鐵電電容之電極材料,PZT薄膜以溶凝膠法製作,探討BaPbO3對PZT薄膜製作上和性質上的效應。
鈣鈦礦結構的BaPbO3相之生成反應動力學受原料氧化鉛的相而深深地影響。BaPbO3相生成動力學是利用Johnson-Mehl-Avrami模式來分析。實驗的結果顯示:原料為BaCO3、PbO2時,其反應級數n=5/2,即反應由擴散所控制;另一方面,原料為BaCO3、PbO時,反應級數n=1, BaPbO3形成由介面反應所控制。在兩系統的最後階段,有相同的反應級數約0.5,後階段反應所留下的相有BaPbO3和BaCO3。
BaPbO3的電阻係數會受球磨時以水或酒精為溶劑而變化,以水為溶劑時,BaPbO3會部分分解,造成電阻係數提高,而Ba(Pb0.8Bi0.2)O3則不受影響,仍為鈣鈦礦結構晶相。單獨水或CO2不會形成BaPbO3的分解,只有兩者同時存在, BaPbO3才會分解為BaCO3和PbO2。另外,Bi取代部分Pb有穩定其鈣鈦礦結構的效果。
以有機金屬分解法來製作BaPbO3薄膜,其熱處理溫度太高(750℃),不易與其他製程相容,為其缺點。用溶凝膠法時,BaPbO3薄膜有(110)優選方向,但是薄膜結構鬆散不穩定。以射頻磁控濺鍍法最適合用來鍍製BaPbO3薄膜,其製程溫度最低(350℃),薄膜的晶粒細小,結構緻密、表面平整,可用來作為PZT薄膜的底電極。
利用射頻磁控濺鍍法所製備的BPO膜,作為PZT的底電極時,可以提升PZT的鐵電性質,其矯頑電場會降低,而殘存極化量並沒有減少,PZT的漏電流密度減小,抗疲勞能力增強。因為擁有更佳的電極/鐵電薄膜介面,這種BPO/PZT/BPO型式的結構,仍承有良好的鐵電性質外,對於疲勞和漏電流的改進更為明顯,經過1011次反轉測試後,沒有疲勞現象產生,另外漏電流密度低至4×10-8A/cm2,崩潰電場強度達到490kV/cm。所以BPO薄膜比Pt和其他氧化物電極更具有潛力作為PZT薄膜的電極。

目錄
摘 要
目錄 i
表目錄 iii
圖目錄 iv
第一章 緒論 1
1-1 簡介 1
1-2 研究動機 2
第二章 文獻回顧 3
2-1 鐵電材料 3
2-2 鐵電薄膜的製備 6
2-2-1 濺鍍法 6
2-2-1-1 直流濺鍍 6
2-2-1-2 射頻濺鍍 8
2-2-1-3 磁控濺鍍 9
2-2-2 離子束濺鍍法 10
2-2-3 雷射剝鍍法 11
2-2-4 金屬有機鹽化學氣相沉積法 12
2-2-5 溶凝膠法 12
2-2-6有機金屬分解法 14
2-3 鐵電記憶元件及其原理 16
2-4 電極 18
2-4-1 金屬電極 18
2-4-2 氧化物電極 18
2-4-3 鉛酸鋇(BaPbO3)電極 20
2-5 鐵電材料特性分析 23
2-5-1 鐵電性質量測 23
2-5-2 疲勞性質 24
2-5-3 漏電流機構 25
2-5-4 依時介電崩潰 27
第三章 BaPbO3生成之反應動力學和機構 51
3-1 簡介 51
3-2 實驗方法 53
3-3 結果與討論 54
3-3-1 DTA和TG分析 54
3-3-2 BaPbO3生成的反應動力學 55
3-3-3 BaPbO3相的生成機構 56
3-4 結論 58
第四章 球磨溶劑對Ba(Pb1-xBix)O3的分解及性質影響 69
4-1 簡介 69
4-2 實驗方法 70
4-3 結果與討論 71
4-3-1 球磨溶劑的效應 71
4-3-2 BaPbO3的分解 72
4-4 結論 74
第五章 BaPbO3薄膜之製備與研究 82
5-1 簡介 82
5-2 實驗方法 84
5-2-1 有機金屬分解法(MOD) 84
5-2-2 溶凝膠法(Sol-Gel) 85
5-2-3 射頻磁控濺鍍法 85
5-3 結果與討論 87
5-3-1 有機金屬分解法(MOD) 87
5-3-2 溶凝膠法(Sol-Gel) 89
5-3-3 射頻磁控濺鍍法 90
5-4 結論 92
第六章 BaPbO3電極對PZT薄膜結晶與特性之影響 111
6-1 簡介 111
6-2 實驗方法 112
6-2-1 PZT溶膠的製備 112
6-2-2 薄膜的旋鍍 113
6-2-3 熱處理 113
6-2-4 鍍製Pt上電極 113
6-2-5 性質量測 113
6-3 結果與討論 115
6-3-1 溶凝膠法之BPO為下電極 115
6-3-2 射頻磁控濺鍍法之BPO為下電極 117
6-3-3 BPO/PZT/BPO結構之性質 120
6-4 結論 123
第七章 總結 147
參考文獻 149

參考文獻
1. J. F. Scott, C. A. P. de Araujo, L. D. McMillan, H. Yoshimori, H. Watanabe, T. Mihara, M. Azuma, T. Ueda, Tetsuk Ueda, D. Ueda and G. Kano, Ferroelectrics , 133, (1992) 47.
2. G.H.Haerting, J. Vac. & Sci. Technol., A9, (1991) 414.
3. L. M. Sheppard, Ceram. Bull., 71, (1992) 85.
4. M. Sayer and K. Sreenivas, Science 247, (1990) 1056.
5. G. Yi and M. Sayer, Ceram. Bull., 70, (1991) 1173.
6. 林諭男, 強介電陶磁薄膜的應用, 工業材料, 107, (1995) 49.
7. S. Weber, Electronics, Feb., (1988) 91.
8. B. C. Cole, Electronics, Aug., (1989) 88.
9. J. F. Scott and C. A. P. de Araujo, Science, 246, (1989) 1400.
10. P. K. Larsen, R. Cuppens and G. A. C. M. Spierings, Ferroelectrics, 128, (1992) 265.
11. T. Mihara, H. Watanable and C. A. P. de Araujo, Jpn. J. Appl. Phys., 32, (1993) 4168.
12. R. Ramesh, W. K. Chan, B. Wilkens, H. Gilchrist, T. Sands, J. M. Tarascon, V. G. Keramidas, D. K. Fork, J. Lee and A. Safari, Appl. Phys. Lett., 61, (1992) 1537.
13. P. C. Joshi and S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett., 62, (1993) 1928.
14. I. K. Yoo, S. B. Desu and J. Xing: Ferroelectric Thin Films III, eds. E. R. Mayers, B. A. Tuttle, S. B. Desu and P. K. Larsen, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 310, (1993) 165.
15. C. B. Eom, R. B. V. Dover, J. M. Phillips, R. M. Fliming, R. J. Cava, J. H. Marshall, D. J. Werder, C. H. Chen, and D. K. Fork: Ferroelectric Thin Films III, eds. E. R. Mayers, B. A. Tuttle, S. B. Desu and P. K. Larsen, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 310, (1993) 145.
16. D. P. Vijat and S. B. Desu, J. Electrochem. Soc., 140, (1993) 2640.
17. T. Nakamuna, Y. Nakao, A. Kamisawa and H. TakaSu, Jpn. J. Appl. Phys., 33, (1994) 5207.
18. M. S. Chen, T. B. Wu and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett., 68, (1996) 1430.
19. R. Hoppe and K. Blinne, Z. Anorg. Allg. Chem., 293, (1958) 251.
20. G. Wagner and H. Binder, Z. Anorg. Allg. Chem., 297, (1958) 328.
21. G. Wagner and H. Binder, Z. Anorg. Allg. Chem., 298, (1959) 12.
22. R. Weiss, C. R. Acad. Sci., 246, (1958) 3073.
23. T. Nitta, K. Nagase, S. Hayakawa and Y. Iida, J. Am. Ceram. Soc., 48, (1965) 642.
24. H. Ikushima and S. Hayakawa, Solid-State Electron., 9, (1966) 921.
25. R. D. Shannon and P. E. Bierstedt, J. Am. Ceram. Soc., 53, (1970) 635.
26. F. Wang, A. Uusimaki, S. Leppavuori and H. Zhang, Mater. Res. Bull., 31, (1996) 37.
27. M. Kuwabara, T. Kuroda, S. Takahashi and T. Azuma, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 271, (1992) 365.
28. T. Azuma, S. Takahashi and M. Kuwabara, Jpn. J. Appl. Phys., 32, (1993) 4089.
29. M. Kuwabara, S. Takahashi and T. Kuroda, Appl. Phys. Lett., 62,(1993) 3372.
30. T. Azuma, Y. Sakamoto, K. Mitani, S. Takahashi and M. Kuwabara, J. Ceram. Soc. Jpn., 103, (1995) 822.
31. S. Takahashi, S. Yoneda, H. Shimooka and M. Kuwabara, J. Ceram. Soc. Jpn., 103, (1995) 660.
32. 陳銘森, 清華大學, 博士論文, (1996).
33. 吳啟明, 清華大學, 博士論文, (1997).
34. Y. Xu, “Ferroelectric Materials and Their Applications”, North-Holland, Netherlands, (1991).
35. 葉明華, 清華大學, 博士論文, (1994).
36. 李雅明, 固態電子學, 全華科技, (1995).
37. J. L. Vossen and W. Kern, “Thin film process, Academic press”, New york, (1978).
38. A. A. R. Elshabini-Riad and F. D. Barlow III, “Thin film technology handbook”, McGraw-Hill, (1997).
39. 莊達人, VLSI製造技術, 高立圖書, (1995).
40. 施敏&張俊彥, 半導體元件物理與製作技術, 高立圖書, (1997).
41. 彭成鑑, 強介電陶瓷材料在動態隨機記憶體( DRAM )上的應用, 工業材料, 107, (1995) 72.
42. O. Auciello, A. I. Kingon and S. B. Krupanidhi, Mater. Res. Bull., 20, (1996) 25.
43. B. Chapman, “Glow Discharge Processes”, John Wiley & Sons, (1980).
44. A. Grill, “Cold Plasma in Materials Fabrication”, IEEE Press, (1994).
45. B. Chapman and S. Mangano, “Handbook of Thin-Film Deposition Processes and Techniques”, edited by K. K. Schuegraf, Noyes Publications, chapter 9, (1988).
46. S. M. Rossnagel, J. J. Cuomo and W. D. Westwood, “Handbook of Plasma Processing Technology - Fundamentals, Etching, Deposition and Surface Interactions”, Noyes Publications, (1990).
47. K. Wasa and S. Hayakawa, “Handbook of Sputter Deposition Technology - Principles, Technology and Applications”, Noyes Publications, (1992).
48. 陳寶清, 離子鍍及濺射技術, 國防工業出版社, (1990) 83.
49. 吳泰伯, 強介電薄膜之物理氣相沉積技術, 工業材料, 109, (1996) 135.
50. O. Auciello and R. Ramesh, Mater. Res. Bull., 20, (1996) 31.
51. J. Dieleman, E. V. D. Riet and J. C. S. Kools, Jpn. J. Appl. Phys., 31, (1992) 1964.
52. M. L. Hitchman and K. F. Jensen, “Chemical Vapor Deposition,Principles and Applications”, Academic Press, New York, (1993).
53. A. Sherman, “Chemical Vapor Deposition for Microelectronics”, Noyes Publications, U.S.A., (1987).
54. H. O. Pierson, “Handbook of Chemical Vapor Deposition, Principles, Technology and Applications”, Noyes Publications, U.S.A., (1992).
55. S. Sivaram, “Chemical Vapor Deposition, Thermal and Plasma Deposition of Electronic Materials”, Van Nostrand Reinhold, New York, (1995).
56. 陳陪麗, 化學氣相沉積法, (1992) 4.
57. S. K. Dey and P. V. Alluri, “PE-MOCVD of Dielectric Thin Films: Challenges and Opportunities”, Mater. Res. Bull., 20, (1996) 44.
58. 陳三元, 強介電薄膜之液相化學法製作, 工業材料, 108, (1995) 100.
59. B. A. Tuttle and R. W. Schwartz, Mater. Res. Bull., 20, (1996) 49.
60. 林諭男, 鐵電薄膜電容特性與機制, 材料會訊, 1997年9月.
61. 陳登元, 強介電記憶體之設計原理, 工業材料, 107, (1995) 61.
62. 李雅明, 吳世全, 陳宏名, 鐵電記憶元件, 電子月刊, 14(9), (1996) 68.
63. 吳泰伯, 強介電薄膜在半導體記憶體上之應用與發展-機會與挑戰, 中國材料科學學會1996年度年會論文集, 2, (1996) 155.
64. Y. T. Kim and C. W. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 35, (1996) 6153.
65. H. N. A. Shareef, K. D. Gifford, S. H. Rou, P. D. Hren, O. Auciello and A. I. Kingon, Intergated Ferroelectrics, 5,(1993) 321.
66. L. D. Madsen, L. Weaver, H. Ljungcrantz and A. J. Clark, J. Electron. Mater., 27, (1998)418.
67. C. P. D. Araujo, J. F. Scott and G. W. Taylor, Ferroelectric Thin Film: Synthesis and Basic Properties, Gordon and Breach Publishers, (1996) 193.
68. S. Wolf and R. N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era, Lattice Press, CA Sunset Beach, (1986) 384.
69. E. A. Kneer, D. P. Birnie, R. D. Schrimpf, J. C. Podlesny and G. Teowee, Integrated Ferroelectrics, 12, (1995) 61.
70. K. Sreenivas, I. Reaney, T. Maeder and N. Setter, J. Appl. Phys., 75, (1994) 232.
71. R. Bruchhaus, D. Pitzer, O. Eibl, U. Scheithauer and W. Hoesler, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 243, (1992) 123.
72. K. M. Glassford and J. R. Chelikowsky, Phys. Rev., B47, (1993)1732.
73. D. P. Vijay and S. B. Desu, J. Electrochem. Soc., 140, (1993) 2640.
74. L. A. Bursill, I. M. Reaney, D. P. Vijay and S. B. Desu, J. Appl. Phys., 75, (1994) 1521.
75. C. W. Law, K. Y. Tong, J. H. Li, K. Li and M. C. Poon, Thin Solid Film,354, (1999) 162.
76. H. N. Al-Shareef, B. A. Tuttle, W. L. Warren, T. J .Headly, D. Dimos, J. A. Voigt and R. D. Nasby, J. Appl. Phys., 79, (1996) 1013.
77. Y. Park, S. M. Jeong, S. I. Moon, K. W. Jeong, S. H. Kim, J. T. Song and J. Yi, Jpn. J. Appl. Phys., 38, (1999) 6801.
78. S. O. Chung H. C. Lee and W. J. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 38, (1999) 6801.
79. H. N. Al-Shareef, A. I. Kingon and O. Auciello, Appl. Phys. Lett., 66, (1995) 239.
80. J. J. Lee, C. L. Thio, M. Bhattacharya and S. B. Desu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 361, (1995) 241.
81. K. Sreenivas, M. Sayer, T. Laursen, J. L. Whitton, R. Pascual, D. J. Johnson, D. T. Amm, G. I. Sproule, D. F. Mitchell, M. J. Graham, S. C. Gujrathi and K. Oxorn, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 200, (1990) 255.
82. A. V. Rao, S. A. Mansour and A. L.Bement, Mater. Lett., 29 , (1996) 255.
83. R. Ramesh, W. K. Chan, B. Wilkens, H. Gilchrist, T. Sands, J. M. Tarascon, V. G. Keramidas, D. K. Fork, J. Lee and A. Safari, Appl. Phys. Lett., 61, (1992) 1537.
84. J. Lee, L. Johnson, A. Safari, R. Ramesh, T. Sands, H. Gilchrist and V. G. Keeramidas, Appl. Phys. Lett., 63, (1993) 27.
85. T. Zheleva, P. Tiwari and J. Narayan, Mat. Res. Soc. Symp.Proc., 310, (1993) 215.
86. H. Kurogi, Y. Yamagata, K. Ebihara and N. Inoue, Surface and Coating Technology, 100-101, (1998) 424.
87. T. J. Cheung, P. E. D. Morgan, D. H. Lowndes, X. Y. Zheng and J. Breen, Appl. Phys. Lett., 62, (1993) 2045.
88. J. F. M. Cillessen, R. M. Wolf and A. E. M. de Veirman, Appl. Surf. Sci., 69, (1993) 212.
89. R. Dat. D. J. Lichtenwalner, O. Auciello and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett., 64, (1994) 2673.
90. S. M. Yoon, E. Tokumitsu and H. Ishiwara, Appl. Surf. Sci., 117-118, (1997) 447.
91. H. Atoh and H. Doi, Jpn. J. Appl. Phys., 38, (1999) 5368.
92. Y. Furusawa and H. Doi, Jpn. J. Appl. Phys., 38, (1999) 6864.
93. 施修正, 清華大學, 博士論文, (1999)
94. 趙國欽, 清華大學, 碩士論文, (1997)
95. C. C. Yang, M. S. Chen, T. J. Hong, C. M. Wu, J. M. Wu and T. B. Wu, Appl. Phys. Lett., 66, (1995) 2643.
96. M. S. Chen, T. B. Wu and J. M. Wu, Appl. Phys. Lett., 68, (1996) 1430.
97. C. R. Cho, Mater. Sci. & Eng., B64, (1999) 113.
98. G. C. Chao and J. M. Wu, Jpn. J. Appl. Phys., 40, (2001) 1306.
99. G. C. Chao and J. M. Wu, Jpn. J. Appl. Phys., 40, (2001) 2417.
100. V. Balu, T. S. Chen, B. Jiang, S. H. Kuah and J. C. Lee, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 433, (1996) 139.
101. T. S. Chen, V. Balu, B. Jiang, S. H. Kuah and J. C. Lee, Integrated Ferroelectrics, 16, (1997) 191.
102. K. A. Keiko and Y. Fujisaki, Jpn. J. Appl. Phys., 37, (1998) L804.
103. F. Zhang, S. T. Hsu, T. Li, Y. Ono, J. S. Maa, H. Ying and L. Stecker, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 596, (2000) 67.
104. S. Horii, S. Yokoyama and S. Horita, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 596, (2000) 85.
105. A. W. Sleight, J. L. Gillson and P. E. Bierstedt, Solid State Commun., 17, (1975) 27.
106. L. R. Gilbert, R. Messier and R. Roy, Thin Solid Films, 54, (1978) 129.
107. M. Suzuki, T. Murakami and T. Inamura, Jpn. J. Appl. Phys., 19, (1980) L231.
108. T. D. Thanh, A. Koma and S. Tanaka, Appl. Phys., 22, (1980) 205.
109. M. Suzuki, Y. Enomoto, T. Murakami and T. Inamura, J. Appl. Phys., 53, (1982) 1622.
110. M. Suzuki and T. Murakami, J. Appl. Phys., 56, (1984) 2330.
111. M. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., 31, (1992) 3830.
112. M. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., 32, (1993) 2640.
113. S. K. Dey and R. Zuleeg, Ferroelectrics, 112, (1990) 309.
114. B. P. Maderic, L. E. Sanchez and S. Y. Wu, Ferroelectrics, 116, (1991) 65.
115. I. K. Yoo and S. B. Desu, Mater. Sci. & Eng., B13, (1992) 319.
116. D. M. Smyth, Ferroelectrics, (1991) 117.
117. H. M. Duiker, P. D. Beale and J. F. Scott, J. Appl. Phys., 68, (1990) 5783.
118. W. H. Shepherd, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 200, (1990) 277.
119. J. J. Lee C. L. Thio, M. Bhattacharya and S. B. Desu, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 361, (1995) 241.
120. D. J. Johnson, D. T. Amw, E. Griswold, K. Sreenivas, G. Yi and M. Sayer, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 200, (1990) 289.
121. C. K. Kwok and S. B. Desu, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 243, (1992) 393.
122. P. K. Larsen, G. J. M. dormans, D. J. Taylor and P. J. V. Veldhoven, J. Appl. Phys., 76, (1994) 2405.
123. M. Ohring, “The Materials Science of Thin Films”, Academic Press, (1992).
124. R. Waser, “Polarization, Conduction, and Breakdown in Non-Ferroelectric Perovskite Thin Films”, O. Auciello and R. Waser eds., Scince and Technology of Electroceramic Thin Films, Kluwer Aademic Publishers, (1995) 223.
125. S. B. Desu and I. K. Yoo, J. Electrochem. Soc., 140, (1993) L133.
126. D. Greninger, V. Kollonitsch and C. H. Kline, Lead Chemicals ; Ch.3,New York, 1974.
127. B. Dickens, J. Inorg. Nucl. Chem., 27(1965) 1503.
128. B. Dickens, J. Inorg. Nucl. Chem., 27(1965) 1495.
129. W. B. White, F. Dachille and R. Roy, J. Am. Ceram. Soc., 44(1961) 170.
130. M. Senna and H. Kuno, J. Am. Ceram. Soc ., 54(1971) 259.
131. D. Lewis, K. O. Northwood and R. C. Reeve, J. Appl. Crystallogr. , 2(1969) 156.
132. E. W. Abel, Lead in Comprehensive Inorganic Chemistry; PP.105-46, Oxford, U. K., 1973.
133. H. P. Klug and L. E. Alexander, X-ray Diffraction Procedures for Polycrystalline and Amorphous Materials. Wiley, New York, 1974.
134. W. A. Johnson and R. F. Mehl, Trans. AIME, 135(1939) 416.
135. M. Avrami, J. Chem. Phys., 7(1939) 1103.
136. M. Avrami, J. Chem. Phys., 9(1941) 177.
137. K. Marotta and S. Sakka, J. Non-Cryst. Solids, 38&39(1980) 741.
138. A. Marotta and A. Buri, Thermochimica Acta, 25(1978) 155.
139. J. Sestak and G. Berggren, Thermochimica Acta, 3(1971) 1.
140. D. J. Johnson, D. T. Amm, E. Griswold, K. Sreenivas, G. Yi and M. Sayer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 200, (1990) 289.
141. H. M. Duiker, P. D. Beale, J. F. Scott, C. A. P. de Araujo, B. M. Melnick, J. D. Cuchiaro and L. D. McMillan, J. Appl. Phys., 68, (1990) 5783.
142. I. K. Yoo and S. B. Desu, Mater. Sci. Eng., B 13, (1992) 319.
143. J. F. Scott, C. A. Araulo, B. M. Melnick, L. D. McMillan and R. Zuleeg, J. Appl. Phys., 70, (1991) 382.
144. C. K. Kwok and S. B. Desu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 243, (1992) 393.
145. P. K. Larsen, R. Cuppens and G. A. C. M. Spierings, Ferroelectrics, 128, (1992) 265.
146. J. Kato, H. Kagata and K. Nishimoto, Jpn. J. Appl. Phys., 30, (1991) 2343.
147. H. Kanai, O. Furukawa, H. Abe and Y. Yamashita, J. Am. Ceram. Soc., 77, (1994) 2620.
148. M. Adamczyk, Z. Ujma and J. Handerek, J. Appl. Phys., 89, (2001)542.
149. K. Torii, T. Kaga and E. Takeda, Jpn. J. Appl. Phys., 31, (1992) 2989.
150. K. Yamakawa, S. T. McKinstry and J. P. Dougherty, IEEE Tech. Dig., (1996) 405.
151. I. Kanno, S. Hayashi, M. Kitagawa, R. Takayama and T. Hirao, Appl. Phys. Lett., 66, (1995) 145.
152. J. H. Tseng and T. B. Wu, Appl. Phys. Lett., 78, (2001) 1721.
153. J. H. Tseng and T. B. Wu, Key Engineering Materials, 7, (2002) 133.
154. 曾嘉宏, 清華大學, 碩士論文, (2000).
155. S. K. Dey, R. Barz, P. Majhi and C. G. Wang, Jpn. J. Appl. Phys., 39, (2000) 921.
156. C. M. Foster, G. R. Bai, R. Csencsits, J. Vetrone, R. Jammy, L. A. Wills, E. Carr and J. Amano, J. Appl. Phys., 81, (1997) 2349.

QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
系統版面圖檔 系統版面圖檔