|
參考文獻 1. Y. Ushiki, H. Kushibe, H. Ono, and A. Nishiyama, Proceedings of the Very Large Scale Integrated Multilevel Interconnection Conference, 1990, p.413 2. S. Y. Lee and J. W. Park, Mater. Chem. Phys. 53, 1998, p.150 3. H. Treichel, G. Ruhl, P. Ansmann, R. Würl, C. Müller, and M. Dietlmeier, Microelectronic Engineering 40, 1998, p.1 4. H. Yokomichi, T. Hayashi, and A. Masuda, Appl. Phys. Lett. 72, 1998, p.2704 5. S. P. Murarka, Mater. Sci. Engng. R 19, 1997, p.87 6. J. A. Theil, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1999, p.2397 7. M. Uhlig, A. Bertz, M. Rennau, S. E. Schulz, T. Werner, and T. Gessner, Microelectronic Engineering 50, 2000, p.7 8. H. N. Yang, D. J. Tweet, Y. J. Ma, and T. Nguyen, Appl. Phys. Lett. 73, 1998, p.1514 9. 杜逸虹, 聚合體學(高分子化學), 三民書局, 1974, p.5 10. 薛敬和, 高分子化學, 高立圖書, 1989 11. I. Bunget and M. Popescu, Physics of Solid Dielectrics, Elsevier, 1984, p.207 12. W. D. Kingery, H. K. Bowen, and D. R. Uhlmann, Introduction to Ceramics, 1976, p.923 13. J. O. Simpson and A. K. St Clair, Thin Solid Films 308, 1997, p.480 14. 莊達人, VLSI 製造技術, 高立圖書, 2001 15. H. Yokomichi and A. Masuda, J. Appl. Phys. 86, 1999, p.2468 16. T. Homma, R. Yamaguchi, and Y. Murao, J. Electrochem. Soc. 140, 1993, p.687 17. T. Usami, K. Shimokawa, and M. Yoshimaru, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 1994, p.408 18. G. Cunge and J. P. Booth, J. Appl. Phys. 85, 1999, p.3952 19. L. G. Jacobsohn, D. F. Franceschini, et al., J. Vac. Scu. Technol. A 18, 2000, p.2230 20. R. A. Morris, A. A. Viggiano, J. M. Vandoren, and J. F. Paulson, J. Phys. Chem. 96, 1992, p.2597 21. K. Endo and T. Tatsumi, J. Appl. Phys. 78, 1995, p.1370 22. G. S. Oehrlein and H. L. Williams, J. Appl. Phys. 62, 1987, p.662 23. R. Dagostino, F. Cramarossa, V. Colaprico, et al., J. Appl. Phys. 54, 1983, p.1284 24. R. Dagostino, F. Cramarossa, and F. Illuzzi, J. Appl. Phys. 61, 1987, p.2754 25. U. Muller, R. Hauert, B. Oral, and M. Tobler, Surf. Coat. Tech. 76, 1995, p.367 26. R. E. Sah, Thin Solid Films 167, 1988, p.255 27. H. Yokomichi and A. Masuda, Vacuum 59, 2000, p.771 28. K. Endo and T. Tatsumi, Appl. Phys. Lett. 68, 1996, p.2864 29. N. Ariel, M. Eizenberg, Y. Wang, S. P. Murarka, Mat. Sci. Semicon. Proc. 4, 2001, p.383. 30. CRC Handbook of Chemistry and Physics, 72nd ed, CRC Press, 1991-1992 31. K. Endo and T. Tatsumi, Appl. Phys. Lett. 68, 1996, p.3656 32. H. Yokomichi and A. Masuda, J. Non-Cryst. Solids 271, 2000, p.147 33. W. Zhu, C. S. Pai, H. E. Bair, et al., IEEE, IEDM 98, 1998, p.845 34. S. H. Yang, H. Kim, and J. W. Park, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 2001, p.5990 35. S. H. Yang and J. W. Park, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 2001, p.694 36. H. Yang, T. Nguyen, Y. Ma and S. T. Hsu, Proc. Dielectrics for ULSI Multilevel Interconnection Conf., Santa Clara, 1998, p.38 37. N. Amyot, J. E. Klembergsapieha, M. R. Wertheimer, Y. Ségui, and M. Mosian, IEEE T. Electr. Insul. 27, 1992, p.1101 38. M. D. Duca, C. L. Plosceanu, and T. Pop, Polym. Degradation & Stab. 61, 1998, p.65 39. J. P. Badey, E. Espuche, D. Sage, B. Chabert, Y. Jugnet, C. Batier, and T. M. Duc, Polymer 37, 1996, p.1377 40. S. A. Visser, C. E. Hewitt, J. Fornalik, G. Braunstein, C. Srividya, and S. V. Babu, Surf. and Coat. Technol. 96, 1996, p.210 41. Y. Yamada, T. Yamada, S. Tasaka, and N. Inagaki, Macromolecules 29, 1996, p.4331 42. A. Khodai-Joopary, M. A. Sial, H. A. Khan, P. Vater, and, R. Brandt, Nucl. Tracks Radiat. Meas. 15, 1988, p.167 43. A. Le Moël, J. P. Duraud, I. Lemaire, E. Balanzat, J. M. Ramillan, and C. Darnez, Nucl. Instr. Meth. B 19-20, 1987, p.891 44. A. Le Moël, J. P. Duraud, and E. Balanzat, Nucl. Instr. Meth. B 18, 1986, p.59 45. N. Inagaki, S. Tasaka, K. Narushima and K. Mochizuki, Macromolecules 32, 1999, p.8566 46. J. R. Hollahan and A. T. Bell, Techniques and Applications of Plasma Chemistry. John Wiley & Sons, New York, 1974, p.116 47. W. Zhu, Carbon Nanotubes:An Industrial Perspective, in Defense Science & Technology Seminar on Emerging Technologies, Arlington, VA, March 19 1999 48. B. S. Satyanarayana, A. Hart, W. I. Milne, and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 71, 1997, p.1430 49. E. J. Chi, J. Y. Shim, D. J. Choi, and H. K. Baik, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1998, p.1219 50. K. C. Park, J. H. Moon, S. J. Chang, and J. H. Jang, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1997, p.431 51. A. Modinos and J. P. Xanthakis, Appl. Phys. Lett. 73, 1988, p.1874 52. G. A. J. Amaratunga and S. R. P. Silva, J. Non-Cryst. Solids 200, 1996, p.611 53. S. R. P. Silva, G. A. J. Amaratunga, and J. R. Barnes, Appl. Phys. Lett. 71, 1997, p.1477 54. S. R. P. Silva and G. A. J. Amaratunga, Thin Solid Films 253, 1994, p.146 55. X. W. Liu, C. H. Lin, L. T. Chao, H. C. Shih, Mater. Lett. 44, 2000, p.304 56. X. W. Liu, S. H. Tsai, et al., J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2000, p.1840 57. J. Xu, X. H. Huang, W. Li, K. J. Chen, and J. B. Xu, J. Appl. Phys. 91, 2002, p.5434 58. A. Weber, U. Hoffmann, and C. P. Klages, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1998, p.919 59. O. Groning, O. M. Kuttel, P. Groning, and L. Schlapbach, Appl. Phys. Lett. 71, 1997, p.2253 60. L. K. Cheah, X. Shi, B. K. P. Silva, and Z. Sun, Diamond Relat. Mater. 7, 1998, p.640 61. R. D. Forrest, A. P. Burden, S. R. P. Silva, L. K. Cheah, and X. Shi, Appl. Phys. Lett. 73, 1998, p.3784 62. J. M. Bonard, J. P. Salvetat, T. Stockli, L. Forro, and A. Chatelain, Appl. Phys. A-Mater. 69, 1999, p.245 63. Alfred Grill, Cold Plasma in Materials Fabrication From Fundamentals to Applications, IBM Research Division, T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, IEEE PRESS 64. D. T. Clark and D. Shuttleworth, J. Polym. Sci. Polym. Chem. 18, 1980, p.27 65. T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1998, p.239 66. T. A. Schreyer, A. J. Bariya, J. P. Mcvittie, and K. C. Saraswat, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 1988, p.1402 67. C. P. Lungu, A. M. Lungu, Y. Sakai, H. Sugawara, M. Tabata, M. Akazawa, and M. Miyamoto, Vacuum 59, 2000, p.210 68. Riccardo Dagostino, Plasma deposition, Treatment, and Etching of Polymers, Academic Press, 1990, p.126 69. F. Tuinstra and J. Koening, J. L. Chem. Phys. 53, 1970, p.1126 70. P. C. Eklund, J. M. Holden, and R. A. Jishi, Carbon 33, 1995, p.959 71. S. Prawer and K. W. Nugent, Diamond. Relate. Mater 5, 1996, p.433 72. J. H. Kaufman and S. Metin, Phys. Rev. B 39, 1989, p.13053 73. F. L. Freire, G. Mariotto, R. S. Brusa, A. Zecca, and C. A. Achete, Diamond Relat. Mater. 4, 1995, p.499 74. J. Robertson, Prog. Solid State Chem. 21, 1991, p.199 75. R. Dagostino, R. Lamendola, P. Favia, and A. Giquel, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1994, p.308 76. H. K. Kim, F. G. Shi, B. Zhao, and M. Brongo, Conference Record of the 2000 IEEE International Symposium on Electrical Insulation, Anaheim, CA USA, April 2-5, 2000 77. A. Grill, Diamond and Related Materials 108, 2000, p.234 78. H. Yokomichi, T. Hayashi, T. Amano, and A. Masuda, J. Non-Cryst. Solids 230, 1998, p.641 79. M. Aono, S. Nitta, T. Katsuno, T. Itoh, and S. Nonomura, Appl. Surf. Sci. 159, 2000, p.341 80. J. T. L. Thong, C. H. Oon, W. K. Eng, W. D. Zhang, and L. M. Gan, Appl. Phys. Lett. 79, 2001, p.2811 81. L. Peters, Semiconductor International 21, 1998, p.64
|