臺灣博碩士論文加值系統

MgB2是2001年由日本J. Akimitsu教授實驗室首先發現的新超導材料。由於其具有比一般傳統金屬性超導幾乎2倍的超導臨界溫度、高度的實際應用性，加上此材料的晶格結構及電子結構特殊，其超導性質無法完全以BCS理論解釋，而引起各界的高度關注。
我們嘗試以兩階段方式成長MgB2膜於R-plane Al2O3上。首先以熱蒸鍍( Thermal Evaporator Deposition)和射頻磁控濺鍍(Radio Frequency Magnetron Sputtering Deposition)兩種鍍膜方式鍍出各種初級膜，再將初級膜置於高溫爐退火(annealing)處理。
接著，我們將這些成長於R-plane Al2O3的薄膜拿至同步輻射中心做X光吸收譜的實驗，得知由熱蒸鍍所得的硼膜品質相當的好，無氧化情形，但在退火處理後，卻未發現硼膜有所變化。而濺鍍靶材Mg -rich MgB2所得的初級膜含有少量的B2O3，經退火處理後，發現B2O3消失，反而出現MgO的訊號。
不過此樣品的B-edge吸收譜已接近MgB2 powder的吸收譜，故我們再嘗試不同的退火條件終於成功的製作出臨界溫度約30K的多晶(polycrystalline)MgB2膜。

目錄
第一章 緒論 超導體MgB2的簡介………………………………1
第二章 實驗儀器與樣品備製
2-1 熱蒸鍍系統與其薄膜成長………………….……….……6
2-2 射頻磁控賤鍍系統與其薄膜成長…………………….…14
2-3 初級薄膜的退火處理(高溫、高壓)………………….…22
第三章 X光近緣吸收光譜(XANES)簡介
3-1 X光吸收光譜原理……………………….….…….……..30
3-2 同步輻射光源簡介……………..…………………..…….36
3-3 6m-HSGM光束線……………………..……..……...……39
3-4 X光近緣吸收光譜實驗裝置……………………………..42
第四章 B-1s及O-1s近緣吸收光譜實驗結果與討論
4-1-1 7-element Ge偵測器量測之光譜……………………...48
4-1-2 7-element Ge偵測器量測之光譜結果討論………..….51
4-2 MCP偵測器量測之吸收光譜………………………….53
4-2-1 B-1s吸收光譜結果與討論…………………….………54
4-2-2 O-1s吸收光譜結果與討論………………….……..….60
4-2-3 Mg-1s吸收光譜結果與討論………………………….66
4-3 吸收光譜的討論總結……………….………….………70
第五章 目前實驗進展及未來方向
5-1 目前超導薄膜實驗進展……………………..………….72
5-2 未來超導薄膜實驗展望………………..…..…….……..76
參考資料………………………………….…………..…..……..77
附錄A………………………………………………..…………..79

參考資料
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