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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:鄭義憲
研究生(外文):Yi-Shian Jeng
論文名稱:適用於二維及三維半導體元件模擬的可調變式元件切割法
論文名稱(外文):Flexible Device Partition Method in 2-D and 3-D Semiconductor Device Simulation
指導教授:蔡 曜 聰
指導教授(外文):Yao-Tsung Tsai
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2004
畢業學年度:92
語文別:英文
論文頁數:40
中文關鍵詞:元件切割法
外文關鍵詞:Device Partition Method
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本論文主要是探討如何有效的節省在模擬半導體元件時所需要的記憶體空間,利用元件分割法可以在執行程式時大大的減少所需要的記憶體空間。因此,我們可以藉此優點來增加元件的點數而得到更精確的模擬結果。利用所開發的可調變式元件分割法,我們可以根據當時所需要的狀況來自由的調整欲分割的數目,使得模擬的過程能更加有效率,並將之應用在二維及三維的半導體元件模擬上。最後,我們將會利用上述的方法去模擬傳輸閘,並利用其模擬的結果來說明傳輸閘運用在電路設計上的優點。
In this thesis, we focus on how to effectively save the required memory space when simulate a semiconductor device. We can substantially reduce the required memory space by using device partition method. So, we can increase the node numbers by taking the advantage of device partition method and get the most accurate result. We developed the Flexible Device Partition Method. By using this method, we can partition the device into several parts as we want. So it can work more efficiently, and we will apply it to 2-D and 3-D device simulation. Finally, we will use this method to simulate a transmission-gate circuit and show the advantage of T-G in circuit design.
Contents

1. Introduction………………………………………………………………………………...…………………1
2. Flexible Partition Method…………………………………………….…..……………….......3
2.1 Introduction…………………………………………………………………………………………………..3
2.2 Boundary Condition Between Two Parts…………...………………………………………....5
2.2.1 Boundary Condition in 2-D…………...………………………………………………..…….6
2.2.2 Boundary Condition in 3-D…………...………………………………..…………………….8
2.3 Buffer’s Purpose…………………………………………………………………...……………………….9
2.4 Solver for Matrix Equation………………………………………………………………..………..12
2.4.1 Band Solver…………………………………………………………………………….…………..12
2.4.2 Levelized Incomplete LU Solver………………………………………….…………….14
3. Simulation Result and Discussion………………………………………...…….....17
3.1 2-D p-n Diode Simulation…………………………………………..………………………………17
3.2 2-D MOSFET Device simulation……………………………………………………………….20
3.3 3-D MOSFET Device simulation……………………………………………………………….23
4. Application of FDPM in 2-D multi-transistor simulation
………………………………………………………………………………………………………………………………...26
4.1 CMOS Inverter…………………………………………………………………………………...………..26
4.2 Transmission Gate….…………………………………………………………….………………………29
4.3 Click at the Input…….……………………………………………………..………………..……............31
4.3.1 Only N-type MOS transistor and Only P-type MOS transistor……………….32
4.3.2 Combining the NMOS and PMOS transistors in parallel…………….………….34
4.4 Click at the Gate…….………………………………………………………..………..………………….36
5. Conclusion……………………………………………………………………………………………………38
Reference


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QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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