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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:劉育全
研究生(外文):Yu-Chuan Liu
論文名稱:氮化銦鎵發光二極體之研製
論文名稱(外文):Investigation of InGaN/GaN Light Emitting Diode
指導教授:綦振瀛
指導教授(外文):Jen-Inn Chyi
學位類別:碩士
校院名稱:國立中央大學
系所名稱:電機工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2004
畢業學年度:92
語文別:中文
論文頁數:60
中文關鍵詞:二極體覆晶氮化鎵
外文關鍵詞:Flip-chipLEDGaN
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摘要
本論文針對覆晶發光二極體之高反射歐姆接觸電極,對元件熱穩定性影響,做一系列探討,發現傳統作法之覆晶發光二極體,熱穩定性不佳的原因是因為,p-type歐姆接觸電極與高反射金屬層,遇高溫後會相互擴散,因高反射金屬材料如Al、Ag皆為低功函數材料,當元件遇高溫時,高反射金屬材料向下擴散至p-type GaN表面由於與p-type功函數相差太大,接面處型成一個位障,故元件工作電壓因此升高;推知原因後吾人便提出利用製程的手法,將歐姆接觸電極與金屬高反射層區隔開,來改善熱穩定性問題最後再以ITO/SiO2/Al/SiO2組合之高反射歐姆電極製作元件,得到比傳統高反射歐姆電極Ni/Au/Al/Ti/Au製作之元件,高出約15%的反射率,故其外部量子效率,也比傳統高反射歐姆電極製作之覆晶發光二極體元件提升約1.5倍。
A light-emitting device comprises a multi-layer structure including one or more active layer configured to irradiate light in response to the application of an electric signal, a transparent passivation layer laid over an outmost surface of the multi-layer stack, a reflector layer laid over the passivation layer, and a plurality of electrode pads coupled with the multi-layer structure. In a manufacture process of the light-emitting device, the reflector layer and the passivation layer are patterned to form at least one opening exposing an area of the multi-layer structure. One electrode pad is formed through the opening of the reflector layer and the passivation layer to connect with the multi-layer structure.
目錄
第一章 緒論 ………………………………………………1
1-1 前言 …………………………………………………………1
1-2 氮化鎵材料與元件的發展歷史 ……………………………1
1-3 氮化鎵歐姆接觸的文獻回顧 ………………………………5
第二章 元件結構與製程 …………………………………9
2-1 元件結構 …………………………………………………9
2-2 元件製作過程 ……………………………………………9
2-2-1 Ni/Au/Al/Ti/Au ……………………………………10
2-2-2 Pd/Al/Ti/Au ………………………………………17
2-2-3 ITO/Al/Ti/Au ………………………………………20
2-2-4 Submount Substrate…………………………………25
第三章 覆晶發光二極體元件熱穩定性分析 ……………26
3-1 序論 ………………………………………………………27
3-2 不同高反射電極元件之熱穩定性分析……………………27
3-2-1 Pd/Al/Ti/Au高反射金屬電極元件 …………………28
3-2-2 Ni/Au/Al/Ti/Au高反射金屬電極元件………………33
3-2-3 ITO/Al/Ti/Au高反射金屬電極元件 …………………36
3-3 本章總結 ……………………………………………40
第四章 高熱穩定性元件之製作與特性分析 ……………42
4-1 序論…………………………………………………………42
4-2 反射率特性分析……………………………………………43
4-3 提升元件熱穩定性之製程方式……………………………45
4-4 新製程方式與傳統製程方式元件之特性分析 ………47
4-4-1 熱穩定性分析 …………………………………………47
4-4-2 光電特性分析 …………………………………………50
4-5 本章總結 …………………………………………………54
第五章 結論 ………………………………………………56
參考文獻 ……………………………………………………60
參考文獻
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