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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:蔡王向卉
研究生(外文):Shiang-hui Tsai
論文名稱:CuAlSe2薄膜成長與分析
論文名稱(外文):Deposition and characterization of thin film CuAlSe2
指導教授:曾百亨曾百亨引用關係
指導教授(外文):Bae-heng Tseng
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:材料科學研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2004
畢業學年度:92
語文別:中文
論文頁數:61
中文關鍵詞:太陽電池分子束蒸鍍法
外文關鍵詞:MBDsolar cellthin film CuAlSe2
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本論文主要是以分子束蒸鍍系統來成長CuAlSe2薄膜,並對薄膜的結構、光性、電性、組成與表面形貌進行量測與分析。實驗結果得知:CuAlSe2薄膜具有(112)的從優取向,能隙值介於2.5eV~2.7eV之間,而且電阻率最低可以達到1.26×102 (��-cm),其中以Cu/Al flux ratio=0.50這片最接近定比組成。將Cu/Al flux ratio控制在0.50~0.65之間時,我們發現:提高Cu/Al flux ratio,Cu的含量確實增加,而且當Cu/Al比率增加時,其電阻值變小,而二次相CuSe的晶粒尺寸也隨著Cu/Al flux ratio的提高而變大。
We use molecular beam deposition (MBD) system to grow CuAlSe2 thin film. The films have been characterized by electrical measurements but also by X-ray diffraction, electron probe microanalysis, optical measurements, scanning electron microscopy and photoluminescence. It is shown that CuAlSe2 thin film is chalcopyrite structure with a band gap of 2.65eV, p-type conductivity and the smallest resistivity is 1.26×102(��-cm). When we raise the Cu/Al flux ratio (in the range of Cu/Al=0.5~0.65), the amounts of Cu is higher, the resistivity is lower and the grain size of second phase CuSe is larger and closer. After KCN etching, the resistivity increases due to the elimination of second phase CuSe.
目 錄
一、緒 論 1
1.1 前 言 1
1.2 太陽能電池 2
1.3 元件設計分析 4
1.4 CUALSE2薄膜特性 5
1.5 研究目標 6
二、 實驗成長方法與分析儀器 8
2.1 基板處理 8
2.2 薄膜成長儀器 10
2.2.1 分子束蒸鍍系統(Molecular Beam Deposition,MBD) 10
2.2.2 CuAlSe2 薄膜成長 12
2.3 實驗分析設備 13
2.3.1 X-ray繞射儀 13
2.3.2 掃描式電子顯微鏡(SEM) 13
2.3.3 電子微探針分析儀(EPMA) 13
2.3.4 吸收光譜儀 14
2.3.5光激光系統(Photoluminescence,PL) 14
2.3.6 四點探針法 (Four-point probe) 16
2.3.7 霍爾量測法(Hall-measurement) 16
三、實驗結果討論 17
四、結 論 24
參考文獻 25
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