跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(3.231.230.177) 您好!臺灣時間:2021/07/27 10:20
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

: 
twitterline
研究生:鍾永賢
研究生(外文):Yung-Hsien Chung
論文名稱:硒化鎘鋅/硒化鋅多重量子井之載子冷卻研究
論文名稱(外文):Study of Carrier Cooling in Zn0.91Cd0.09Se/ZnSe Multiple Quantum Wells
指導教授:鄭德俊鄭德俊引用關係
指導教授(外文):Der-Jun Jang
學位類別:碩士
校院名稱:國立中山大學
系所名稱:物理學系研究所
學門:自然科學學門
學類:物理學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2004
畢業學年度:92
語文別:中文
論文頁數:47
中文關鍵詞:時間解析螢光光譜硒化鋅硒化鎘鋅量子井載子冷卻
外文關鍵詞:TRPLZnSequantum wellupconversioncarrier coolingZnCdSeII-VI
相關次數:
  • 被引用被引用:1
  • 點閱點閱:428
  • 評分評分:
  • 下載下載:16
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
我們利用超高時間解析upconversion的實驗方法量測硒化鎘鋅/硒化鋅(Zn0.91Cd0.09Se/ZnSe)多重量子井的動態螢光光譜隨時間的變化。討論其載子冷卻隨井寬的不同和隨晶格溫度(TL)不同而變化的情形。實驗結果顯示載子被405nm(3.07 eV)之雷射激發後,會藉由與LO-phonon作用快速釋放能量。當載子多餘能量漸漸減少至小於LO-phonon的能量時,會改成與acoustic phonon作用的形式慢慢地釋放能量。我們也定義了載子的有效釋放聲子時間(effective phonon emission time, τLO)。並證明在II-VI族和III-V族半導體裡其effective phonon emission time不會隨井寬的變小而改變。且隨晶格溫度(TL)的上升有變小的趨勢。此外,我們也討論了生命期隨波長變化的關係。
The hot carrier dynamics of Zn0.91Cd0.09Se/ZnSe multi-quantum wells were studied using the femtosecond time-resolved photoluminescence upconversion technique. The carrier cooling behavior was investigated for different compositions at various lattice temperatures. The hot carriers generated photoexcitation by 405nm Ti:sapphire laser pulses release their excess energy primarily through carrier-LO-phonon interaction. As the excess energy reduce to the amount that lower than the energy of LO phonon, the excess energy was released by carrier-TA-phonon scattering before radiative recombination occurs. We have determined the scattering times of carrier-LO-phonon scattering at different lattice temperatures. No hot phonon effects was found at low photoexcited carrier density. The dependence of photoluminescence lifetime on wavelength was also discussed.
中文摘要……………………………………………………………………...I
英文摘要……………………………………………………………………..II
第一章 導論…………………………………………………………….1
第二章 熱載子的冷卻機制………………………………………….6
2.1載子釋放能量的過程………………………………………………6
2.2 釋放能量的機制……………………………………………………8
2.3 釋放能量速率(Energy Loss Rate, ELR)理論………………10
2-4 載子在CdSe中不同機制下之ELR比較………………………....15
第三章 樣品說明…………………………………………………19
第四章 實驗裝置及光路說明………………………………………22
4.1 Upconversion簡介…………………………………………22
4.2 實驗裝置……………………………………………………24
4.3 光路說明……………………………………………………25
4.4 其他實驗相關………………………………………………26
第五章 實驗結果與討論……………………………………………29
第六章 結論…………………………………………………………44
參考文獻………………………………………………………………46
1 H. Weman, L. Sirigu, K. F. Karlsson, K. Leifer, A. Rudra, and E. Kapon, Appl. Phys. Lett. 81, 2839 (2002)
2 J. T. Devreese, F. M. Peeters, The Physics of the Two-Dimensional Electron Gas, NATO ASI Series (1987)
3 Jagdeep Shah, Phys. Rev. B 51, 14233 (1994)
4. C. K. Choi, Y. H. Kwon, J. S. Krasinski, G. H. Park, G. Setlur, J. J. Song, and Y. C. Chang Phys. Rev. B 63, 115315 (2001)
5. R. Heitz, M. Veit, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop''ev, and Zh. I. Alferov Phys. Rev. B 56, 10435 (1997)
6. Ivan V. Ignatiev, Igor E. Kozin, Selvakumar V. Nair, Hong-Wen Ren, Shigeo Sugou, and Yasuaki Masumoto Phys. Rev. B 61, 15633 (2000)
7. M. Betz, G. Göger, A. Leitenstorfer, K. Ortner, C. R. Becker, G. Böhm, and A. Laubereau Phys. Rev. B 60, R11265 (1999)
8. H. Lobentanzer, H. J. Polland, W. W. Rűhle, W. Stolz, and K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 51, 673 (1987)
9. A. C. Maciel, C. Kiener, L. Rota, J. F. Ryan, U. Marti, D. Martin, F. Morier-Gemoud, and F. K. Reinhart Appl. Phys. Lett. 66, 3039 (1995)
10. S. Nűsse, P. Haring Bolivar, and H. Kurz, Phys. Rev. B 56, 4578 (1997)
11. A. S. Vengurlekar, S. S. Prabhu, and S. K. Roy, Phys. Rev. B 50, 15461 (1994)
12. Hong Ye, G. W. Wicks, P. M. Fauchet, Appl. Phys. Lett. 77, 1185 (2000)
13. Hong Ye, G. W. Wicks, and P. M. Fauchet Appl. Phys. Lett. 74, 711 (1999)
14. T. Gong, P. M. Fauchet, Appl. Phys. Lett. 62, 552 (1992)
15. Manjusha Mehendale, S. Sivananthan, and W. Andress Schroeder, Appl. Phys. Lett 71, 1089 (1997)
16 林春松,2003年中山大學物理研究所碩士論文。
17 Jagdeep Shah, Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Nanostructures, Springer (1998)
18 Jagdeep Shah, Semiconductors Probed by Ultrafast Laser Spectroscopy Volumn 1, Springer ( )
19施采萱,2002年中原大學應用物理研究所碩士論文。
20 Rameshwar Bhargava, Properties of Wide Bandgap II-VI Semiconductors, INSPEC (1997)
21 Sheng Lan, Kouichi Akahane, Hai-Zhi Song, Yoshitaka Okada, and Mitsuo Kawabe, Phys. Rev. B 24, 16847 (2000)
22 Jagdeep Shah, Solid State Electronics 21, 43(1978)
23 K. Leo, W. W. Rűhle, and K. Ploog, Phy. Rev. B 38, 1947 (1988)
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top