跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(3.231.230.177) 您好!臺灣時間:2021/07/28 14:29
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

我願授權國圖
: 
twitterline
研究生:王明珊
研究生(外文):Ming-Shan Wang
論文名稱:擴散阻礙層氮化鋯與銅膜之應力行為
指導教授:周卓煇
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:材料科學工程學系
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2004
畢業學年度:92
語文別:中文
論文頁數:78
中文關鍵詞:擴散阻礙層氮化鋯應力
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:103
  • 評分評分:
  • 下載下載:0
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本論文探討銅膜/氮化鋯薄膜/矽基材(Cu/ZrN/Si)三層結構之應力行為。ZrN薄膜及Cu膜皆以濺鍍法(Sputtering)鍍製,利用彎柄儀系統(Bending Beam Apparatus)量測薄膜的應力行為。以改變鍍製ZrN薄膜時,所通入的氮氣(N2)流量(Flow Rate)為參數,觀察ZrN/Si雙層結構的應力行為,以及Cu膜在Cu/ZrN/Si三層結構之間,隨ZrN不同之應力行為差異。

應力量測實驗結果顯現,在ZrN/Si之雙層結構中,可發現ZrN之殘留應力皆為壓應力;並隨著通入之N2流量增加,而往較大之壓應力發展。在經過熱處理之後,ZrN在室溫之殘留壓應力均變小。

Cu膜之室溫殘留應力,無論ZrN之參數如何,皆為張應力,並隨N2流量增加,而逐漸減小。經過熱處理之Cu膜,其殘留張應力,比未熱處理前大。

由應力實驗,顯示隨著N2流量增加,Cu膜之熱機械性質會提升。經由X-Ray分析,可知其熱機械性質較大源自其晶粒尺寸較小。
1. S. P. Murarka, Solid State Technology, 39(3), 83, 1996.
2. 吳文發, 秦玉龍, 奈米通訊. Vol. 6, No. 1, 17, 1999
3. P. C. Andricacos, C. Uzoh, J. O. Dukovic, J. Horkans, and H. Deligianni, IBM Journal of Research & Development, 42, 567, 1998.
4. R. J. Gutmann, T. P. Chow, A. E. Kaloyeros, W. A. Lanford and S. P. Muraka, Thin Solid Films, 262, 177, 1995.
5. N. Awaya, H. Inokawa, E. Yamamoto, Y. Okazaki, M. Mitake, Y. Arita and T. Kobayashi, IEEE Trans. Electron Cevices, 43, 1206, 1996.
6. H. N. Al-Sharef, X. chen, D. J. Lichtenwalner and A. I. Kingon, Thin Solid Films, 280, 265, 1996.
7. D. Wu, Z. Zhang, W. Fu, X. Fan and H. Guo, Appl. Phys., A64, 593, 1997.
8. H. Yanagisawa, K. Sasaki, Y. Abe, M. Kawamura and S. Shinkai, J. Appl. Phys., 37, 5714, 1998.
9. M. Takeyama, A. Noya and K. Sakanishi, J. Vac. Sci. Technol., B18, 3, 1333, 2000.
10. J. H. Jou, J. Hwang and D. C. Hofer, IBM-RJ (Physics), 5984, 1987.
11. E. C. Crittender, Jr., and R. W. Hoffman, Phys. Rev., 78, 349, 1951.
12. G. G. Stoney, Proc. Roy. Soc. (London), A82, 172, 1909.
13. F. K. Reinhart and R. A. Logan, J. Appl. Phys., 44, 3171, 1973.
14. Z. C. Feng and H. D. Liu, J. Appl. Phys., 54, 83, 1983.
15. J. H. Jou, IBM-RJ (Physics) 6058, 1988.
16. J. H. Jou, L. Hsu and L. S. Chang, Thin Solid Films, 201,253, 1991.
17. J. H. Jou and L. Hsu, J. Appl. Phys., 69(3), 1384, 1991.
18. D. O. Smith, M. S. Cohen and G. P. Wiess, J. Appl. Phys., 31, 1775,
19. D. O. Smith, J. Appl. Phys., 32, 70s, 1960.
20. J. S. Vermask, C. W. Mays and D. Kuhlman-Wilsdorf, Surface
21. R. Abermann, R. Kramer and J. Maser, Thin Solid Films, 52, 215, 1978.
22. W. Andra and H. Danan, Phys. Stat. Sol., A70, K145, 1982.
23. F. C. Frank and J. H. van der Merwe, Proc. Roy. Soc.(London).,A189, 205, 1949.
24. J. H. van der Merwe, J. Appl. Phys., 34, 123, 1963.
25. J. W. Matthews, J. Vac. Sci. Technol., 12, 126, 1975.
26. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett., 47, 322, 1985.
27. J. A. Thornton, J. Taback and D. W. Hoffman, Thin Solid Films, 64, 111, 1979.
28. A. Bensaoula, J. C. Wolef, A. Ignatiev, F. O. Fong and T. S. Leung, J. Vac. Sci. Technol., A2, 389, 1984.
29. P. Chaudhari, J. Vac. Sci. Technol., 9, 520, 1972.
30. E. C. Crittender, Jr. and R. W. Hoffman, Revs. Modern Phys., 25, 310, 1953.
31. A. Segmuller, J. Appl. Phys. Suppl., 32, 89s, 1961.
32. R. Raj and M. F. Ashby, Acta Metall., 23, 653, 1975.
33. J. D. Finegan and R. W. Hoffman, J. Appl. Phys., 30, 597, 1959.
34. F. A. Doljck and R. W. Hoffman, Thin Solid Films, 12, 71, 1972.
35. F. M. D’Heurle, Metall. Trans., 1, 725, 1970.
36. D. W. Hoffman, and J. A. Thornton, Thin Solid Films, 17, 5, 1989.
37. V. Orlinov and G. Sarov, Thin Solid Films, 89, 133, 1982.
38. M. Laugier, Thin Solid Films, 79, 15, 1981.
39. P. Paduscheck, C. Hopfl and H. Mitlehner, Thin Solid Films, 110, 291, 1983.
40. H. Windischmann, J. Vac. Sci. Technol., A9, 2459, 1991
41. H. Winters and E. Kay, J. Appl. Phys., 38, 3928, 1967.
42. H. Windischmann, J. Appl. Phys., 62, 1800, 1987.
43. R. A. Holmwood and R. Glang, J. Electrochem. Soc., 112, 827, 1965.
44. E. Klokholm, J. Vac. Sci. Technol., 6, 138, 1969.
45. R. C. Sun, T. C. Tisone and P. D. Cruzan, J. Appl. Phys., 46, 112,1975.
46. H. Windischmann, J. Vac. Sci. Technol., A7, 2247, 1989.
47. R. E. Rottmayer and R. W. Hoffman, J. Vac. Sci. Technol., 8, 151, 1971.
48. S. M. Rossnagel and R. S. Robinson, J. Vac. Sci. Technol., 20, 195, 1982.
49. J. A. Thornton and J. L. Lamb, Thin Solid Films, 119, 87, 1984.
50. P. A. Flinn, D. S. Gardner and W. D. Nix, IEEE Trans., ED-34, 689, 1987.
51. M. Langier, Thin Solid Films, 75, 17, 1981.
52. T. F. Retajczyk, Jr. and A. K. Sinha, Appl. Phys. Lett., 36, 1962, 1980.
53. T. F. Retajczyk, Jr. and A. K. Sinha, Thin Solid Films, 70, 241, 1980.
54. J. T. Pan and I. T. Blech, J. Appl. Phys., 55, 2874, 1984.
55. A. Lahan, K. A. Grim and I. A. Blech, J. Appl. Phys., 67, 734, 1990.
56. J. H. Jou and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett., 59, 46, 1991.
57. J. H. Jou and L. J. Chen, Macromolecules, 25, 179, 1992.
58. M. Janda, Thin Solid Films, 112, 219, 1984.
59. C. S. Liu and L. J. Chen, J. Appl. Phys., 74(9), 1, 1993.
60. C. S. Liu and L. J. Chen, Applied Surface Science, 92, 84, 1996.
61. B. Chin and P. Ding, Solid State Technology, 41(7), 141, 1998.
62. M. A. Nicolet, Thin Solid Films, 52, 415, 1978.
63. C. E. Ramberg, E. Blanquet, M. Pons, C. Bernard and R. Madar, Microelec. Eng. 50, 357, 2000.
64. M. Y. Kwak, D. H. Shin, T. W. Kang and K. N. Kim, J. Appl. Phys., 38, 5792, 1999.
65. K. H. Min, K. C. Chun and K. B. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B14, 3263, 1996.
66. M. H. Tsai, S. C. Sun, H. T. Chiu and S. H. Chuang, Appl. Phys. Lett., 68, 1412, 1996.
67. 陳松德, 黃獻慶, 林裕鑫, 徐廣福, 陳錦山, 陳慶洪, 真空科技, 11(3-4), 27, 1998.
68. H. Jeong and K. won, Acta Material, 47, 3965, 1999.
69. M. H. Tsai, S. C. Sun, C. E. Tsai, S. H. Chuang, and H. T. Chiu, J.Appl. Phys., 79(9), 1, 6932, 1996.
70. Khin Maung Latt, T. Osipowicz, Y. K. Lee, Journal of Materials Science, 36(23), 5705, 2001.
71. D. H. Zhang, S. W. Loh, C. Y. Li, P. D. Foo, Joseph Xie, R. Liu, A. T. S. Wee, L. Zhang, Y. K. Lee, Surface Review And Letters, 8(5), 527, 2001.
72. H. Y. Tasi, S. C. Sun and S. J. wang, J. Electrochem, Soc., 147, 2766, 2000.
73. M. T. Wang, M. T. Chuang, L. J. Chen and M. C. Chen, J. Vac. Sci. Technol., 18, 1929, 2000.
74. S. Shinkai and K.Sasaki, J. Appl. Phys., 38, 3646, 1999.
75. K. E. Elers, W. Saanila, P. J. Soininen, W. M. Li, J. T. Kostamo, S. Haukka, J. Juhanoja, and W. F. A. Besling, Chem. Vap. Deposition, 8, 149, 2002.
76. S. H. Kim, S. S. Oh, D. H. Kang, K. B. Kim, W. M. Li, S. Haukka, and M. Tuominen, Appl. Phys. Lett., 82, 4486, 2003.
77. S. H. Kim, S. S. Oh, H. M. Kim, D. H. Kang, K. B. Kim, W. M. Li, S. Haukka and M. Tuominenb, J. Electrochem, Soc., 151, 4, 2004.
78. S. D. Wolter, B. P. Luther, S. E. Mohney, R. F. Karlicek and R. S. Kern, Electrochemical and Solid-State Letters, 2(3), 151, 1999.
79. M. A. Nicolet and S. S. Lua, New York, 329, 1983.
80. S. A. Barnett and L. Hultman, Appl. Phys. Lett. 53, 400, 1988.
81. H. Yanagisawa and K. Sasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 5987, 2000.
82. Y. L. Kuo and J. C. Lin, Electrochem. Solid-State Letters. 6, C123, 2003.
83. A. Straboni, L. Pichon and T. Girardeau, Surface and Coatings Technology, 120, 100, 2000.
84. M. Ostling and S. Nygren, Thin Solid Films, 145, 81, 1986.
85. L. Krusin-Elbaum, Thin Solid Films, 104, 81, 1983.
86. C. S. Chen, C. P. Liu, H. G. Yang, and C. Y. A. Tsao, J. Vac. Sci. Technol. Vol. 22, No. 3, 2004.
87. M. D. Thouless, J. Gupta, and J. M. E. Harper, J. Mater. Res., Vol. 8, No. 8, 1845, Aug 1993.
88. 宋建憲, 碩士論文, 國立清華大學材料所, 9, 1997.
89. 謝志德, 碩士論文, 國立清華大學材料所, 7, 2002
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top