臺灣博碩士論文加值系統

摘要
本實驗利用光學微影術的方式，製作成長奈米碳管所需的電極樣品，再將樣品放入本實驗室自製的微波電漿化學氣相沉積系統之中成長奈米碳管，然後在低溫下量測跨越電極的單根及雙根多壁奈米碳管樣品，我們發現在單根樣品之中，低溫時電壓電流曲線會有階梯的變化出現，利用半導體中量子線的概念，以理論去計算在低溫、外加直流電場之下，一維奈米碳管的電學特性，然後以此去解釋在實驗中如能階般的量子效應，另外在雙根樣品中，其階梯般的變化卻不復見，因此可知在單根之中，其躍遷的現象會比較容易出現。

目 錄
第一章 緒論
1.1 奈米碳管簡介…………………………………………1
1.2 奈米碳管種類…………………………………………3
1.3 碳管的生長機制………………………………………6
1.4 碳管的製備方法………………………………………8
1.5 奈米碳管的電性結構…………………………………12
第二章 實驗方法
2.1實驗儀器………………………………………………15
2.1.1 熱蒸鍍系統之構造……………………………15
2.1.2 電子束微影……………………………………16
2.1.3 圖像轉移………………………………………19
2.1.4 光罩對準儀……………………………………21
2.1.5 微波電漿化學氣相沉積系統…………………23
2.1.6 電性系統………………………………………28
2.2 實驗步驟與過程……………………………………29
第三章 實驗結果與分析
3.1 一維奈米碳管的電性理論……………………………33
3.2 實驗分析及討論………………………………………46
第四章 結論與未來研究方向
4.1 結論……………………………………………………47
參考文獻……………………………………………………49
附錄一 電導率計算 (Mathematica 程式)……………… 53

參考文獻
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