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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:許程琳
研究生(外文):Shiu, Cheng-Lin
論文名稱:應用於WCDMA高增益高線性度混波器分析與設計
論文名稱(外文):High-gain and high-linearity direct-conversion mixer for WCDMA application
指導教授:徐永珍徐永珍引用關係
指導教授(外文):Hsu, Yung-Jane
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:電子工程研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2004
畢業學年度:92
語文別:中文
論文頁數:66
中文關鍵詞:矽鍺混波器線性度
外文關鍵詞:SiGemixerlinearity
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本論文中主要針對直接降頻接收器(Direct-Conversion Receiver)架構中混波器進行設計與研究,並透過對元件特性的研究、電路的分析以及頻率的轉換原理來增進此架構中混波器的效能,降低因直接降頻所造成對訊號的干擾。並藉由CIC以及實驗室RFIC高頻量測系統來進行電路特性的量測。
在混波器的設計方面,我們採用TSMC 0.35um BiCMOS以及TSMC 0.18um CMOS的製程。電路架構以Gilbert Cell為主體,再加上一些電路的變化來達成WCDMA系統中的規範。
0.35um BiCMOS混波器設計,在射頻輸入2.14GHz,低頻1MHz的操作狀態下,混波器雙端輸出的模擬結果得到13.83dB的轉換增益,2.665dBm的IIP3值,9.88dB的雜訊指數。整個電路在3.3V的偏壓下,共消耗了14.766mA的電流,其中主體電路(包含偏壓電路)消耗7.684mA的電流,其餘均為偏壓電路及Buffer所消耗。
0.18um CMOS混波器設計,在射頻輸入2.14GHz,低頻1MHz的操作狀態下,混波器雙端輸出的模擬結果得到11.44dB的轉換增益,4.92dBm的IIP3值,13.78dB的雜訊指數。整個電路在1.8V的偏壓下,共消耗了19.012mA的電流,其中主體電路(包含偏壓電路)消耗12.681mA的電流,其餘均為偏壓電路及Buffer所消耗。
參考文獻

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[12]Liwei Sheng, Jonathan C. Jensen, and Lawrence E. Larson, “A Wide-Bandwidth Si/SiGe HBT Direct Conversion Sub-Harmonic Mixer/Downconverter”
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