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臺灣博碩士論文加值系統

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研究生:郭俊儀
論文名稱:發展相位調變式橢圓儀即時監控半導體蝕刻製程
指導教授:林滄浪柳克強趙于飛
學位類別:碩士
校院名稱:國立清華大學
系所名稱:工程與系統科學系
學門:工程學門
學類:核子工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2004
畢業學年度:92
語文別:中文
論文頁數:244
中文關鍵詞:線上即時監控蝕刻終點橢圓儀相位調變光彈調變器蝕刻率變化
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本研究利用LabVIEW 虛擬儀控軟體,結合電腦已改進了目前的單波長、固定入射角之相位調變式橢圓偏光儀,使之具有線上即時監控的功能;希望應用於實際半導體製程中有圖案之晶圓的電漿蝕刻終點偵測,以及製程中的變化情況。
本研究所使用的光彈調變器以一50 kHz的訊號調變635 nm之二極體雷射。雷射光經一偏振片和光彈調變器後到達光偵測器,利用鎖相放大器擷取訊號中的一倍頻、二倍頻交流訊號及直流訊號,藉由GPIB卡傳回電腦以程式做即時運算薄膜的厚度,藉橢圓參數隨厚度的變化情況協助判斷蝕刻終點。本研究已可即時量測蝕刻率並監控蝕刻終點達 0.5 nm 的準確度,並發現和修正光彈調變器的影響誤差,最後實際應用於迴授製程過程中的蝕刻率變化之即時監控。
本研究在監控前將量測值皆與理論值做詳儘比較,並嘗試各種修正膜厚計算模型的方法,包括薄膜正確之吸收係數以及校正系統中的各部分元件,最後與Nano Spec(雷射干涉儀)量測之結果作比較。利用本研究的即時監控系統已可將偏光片、析光片及光彈調變器的線上校正過程縮減到數分鐘內完成;並修正了訊號放大器誤差。透過量測及校正的自動化,本系統提供一個快速(10 pts/sec) 量測膜厚的方法作為蝕刻或鍍膜機台線上監測使用。
目錄
論文摘要..................................................I
致謝.....................................................II
目錄.....................................................III
表目錄.................................................VIII
圖目錄...................................................X
第一章 研究動機.........................................1
第二章 研究目的.........................................3
第三章 文獻回顧.........................................4
3.0 橢圓儀的背景介紹....................................4
3.1 單波長架構的橢圓儀測量.............................10
3.2 多波長架構的橢圓儀測量.............................12
3.3 表面無結構的橢圓參數計算方法理論...................16
3.4 表面無結構的橢圓參數測量...........................18
3.5 表面有結構的橢圓參數計算方法理論...................20
3.6 表面有結構的橢圓儀測量...............................24
第四章 實驗原理........................................28
4.0 基礎偏振光學原理..................................28
4.0.1光偏振型態與數學表示........................28
4.0.2以Stokes vector描述電磁波的偏極態.................32
4.0.3 基礎矩陣光學..................................37
4.1光彈調變式橢圓儀的量測方法............................43
4.2 光彈調變器(PEM)基本原理..............................46
4.3 光彈調變式橢圓儀即時量測實驗架構.....................47
4.4表面無結構的橢圓參數理論計算........................50
4.4.1 多層結構的橢圓參數計算理論....................50
4.4.2 理論計算SiO2厚度造成的影響....................57
4.4.3 不同入射角造成的影響..........................57
4.5 表面有結構的橢圓參數隨厚度變化理論計算(patterned) ......61
4.5.1 入射面平行溝槽時的情況..........................62
4.5.2 入射面垂直溝槽時的情況..........................65
第五章 實驗儀器操作步驟與系統校正.......................70
5.1 儀器操作步驟及注意事項..............................70
5.1.1 鎖相放大器......................................70
5.1.2光彈調變器(pem).................................71
5.1.3 溫控器&雷射diode..............................73
5.1.4 步進馬達(10萬) .................................73
5.1.5 訊號放大器(SCU)...............................74
5.1.5.0訊號放大器基本功能說明..................74
5.1.5.1 訊號處理器的放大倍率校正...............76
5.1.5.2 頻率響應的影響.........................77
5.1.5.3 放大能力的線性度問題...................79
5.1.5.4 直流訊號存在雜訊的問題..................82
5.1.5.5 直流訊號放大倍率修正的問題..............84
5.1.5.6 訊號放大器校正步驟......................86
5.2 PSA校正步驟 .......................................89
5.3 系統校正.............................................93
5.3.1 偏極片和析光片方位角的零點校正.................93
5.3.2 光彈調變器方位角的零點校正.....................96
5.4 橢圓儀系統所使用的儀器規格表........................99
第六章 實驗結果與討論..................................102
6.1 PEM殘餘雙折射對對調變相位的影響誤差 ............102
6.2 實驗測量到SiO2厚度造成影響的結果 ...................106
6.3 蝕刻過程蝕刻率的測量................................108
6.3.1 平均蝕刻率的計算方式說明.......................108
6.3.2 蝕刻過程迴授控制下蝕刻率的變化情況.............114
6.4 即時監測並控制蝕刻終點厚度...... ...................141
6.5 經過Bias power ON/OFF過程前後對ICP power (Self-Bias) 蝕刻
速率的影響.........................................171
第七章 結論............................................175
參考文獻...............................................178
附錄A 原始數據比較整理.................................182
A.1原始數據檔案名稱對照表..........................182
A.2 迴授控制下蝕刻率與影響蝕刻因素的變化情況.......186
附錄B理論計算推導過程.................................193
附錄C LabVIEW即時監控程式...........................206
C.1 即時監控主程式 (In-Situ Ellipsometer Controller.vi) ....206
C.2 子程式一(Fresnel eq2set Sio2 thick.vi) ................209
C.3 子程式二(Getting Started Digital IO.vi) ...............211
附錄D Matlab數據分析程式...............................212
D.1 原始訊號計算厚度程式 (Thickness.m) ...............212
D.2 由測量的橢圓參數Δ擬合求出第二層介質厚度程式
(DeltaFitOxideThick.m)..........................219
D.3 由測量的橢圓參數Δ擬合求出光彈調變器的殘餘雙折射
(DeltaFitDeltaI.m) ................................222


D.4 由測量的橢圓參數Ψ擬合求出直流訊號經過放大的正確倍率 (DeltaFitDcGain.m) ...........................225
附錄E Matlab理論計算程式...............................228
E.1 理論計算三層結構下,隨第一層厚度遞減過程的橢圓參數
(EllipsometryModel.m) ...........................228
E.2 理論計算表面有溝槽的結構下,入射光與溝槽方向平行情況下,隨第二層介質(被蝕刻)厚度遞減過程的橢圓參數變化情況 (ParallPatterned.m) .............................230
E.3 理論計算表面有溝槽的結構下,入射光與溝槽方向垂直情況下,隨第二層介質(被蝕刻)厚度遞減過程的橢圓參數變化情況 (PerpenPatterned.m) ............................235
附錄F Si、SiO2、Poly-Si在不同波長下的折射與吸收係數對應
表..............................................235
附錄G 儀器代理商資料..................................243





表目錄

表3.1橢圓儀的種類及比較…………………………………………....4
表3.2 文獻回顧整理I…………………………………………………10
表3.3 文獻回顧整理II………………………………………………...12
表3.4 文獻回顧整理III…………………………………………….…16
表3.5 文獻回顧整理IV…………………………………………….…18
表3.6 文獻回顧整理V…………………………………………….…20
表3.7 文獻回顧整理VI…………………………………………….…24
表4.1理想電磁波偏極狀態……………………….………..…………36
表4.2理想光學元件的偏極特性…………………………..…………42
表5-1 雷射規格………………………………………………………..99
表5-2 光彈調變器規格………………………………………………..99
表5-3 偏極片規格………………………………………………….100
表5-4 光偵測器規格…………………………………………………100
表5-5 鎖相放大器7265規格……………………..…………………100
表5-6 鎖相放大器7220規格…………………..……………………100
表5-7 訊號處理器器規格……………………………………………101
表6.1 比較蝕刻過程有無迴授控制的晶圓…………………………115
表6.2 比較蝕刻過程不同蝕刻多晶矽終點厚度……………………142
表7.1 商用即時量測橢圓儀產品規格比較…………………………177


















圖目錄

圖3.1 歸零式橢圓儀架構圖……………………………………………4
圖3.2旋轉偏極片式橢圓儀 …………………………………………...6
圖3.3 旋轉析光片式橢圓儀…………………………………….…….7
圖3.4 調變式橢圓儀….……………………………………………….8
圖3.5 有圖案之晶圓截面示意圖………………………..………… …11
圖3.6 光譜儀偵測光強度隨電漿蝕刻過程的變化情況(左)橢圓參數
隨電漿蝕刻過程的變化情況(右)…………..……..11
圖3.7 蝕刻前(左)與蝕刻後(右)截面示意圖………………..…… 13
圖3.8 蝕刻過程光譜強度變化對照橢圓參數的變化…………...…....13
圖3.9氮化鈦及多晶矽厚度變化(上)以及多晶矽蝕刻率的變化(下)
……………………………………………………………………..…14
圖3.10 在固定的波長下測量相同條件製程的晶圓比較的結果.........15
圖3.11 使用不同波長所測量到橢圓參數的變化情況比較………….15
圖3.12 改良技術的反射式橢圓儀……………………………………16
圖3.13雙層薄膜模型示意圖………….………………………………17
圖 3.14 橢圓參數Ψ與Δ隨蝕刻過程變化(右);隨厚度變化Ψ-Δ圖(左)
………………………………………………………………………….18

圖3.15 使用UV波段測量多晶矽/二氧化矽/矽晶圓蝕刻過程橢圓參數隨厚度變化的過程……………………….……………….......28
圖3.16薄膜上有光罩覆蓋…………………………….………….……21 圖3.17光入射方向平行及垂直於光罩…………………….……….....21
圖3.18 計算上多層架構的情況……………………………….………21
圖3.19 橢圓儀分析有圖案表面的模型………………………………22
圖3.20 α、β隨線寬(a)、縱深(b)遞增時的變化趨勢
(左:6°入射、右:75°入射)………………………………. 26
圖3.21 純量面積比例理論加入了側向干涉分析橢圓儀量測有圖案表面的情況…………………………………………….………...27
圖4.1橢圓參數Ψ與反射電場分量關係示意圖……………..………33
圖4.2 非偏極光進入到金屬導線柵偏極片示意圖…………..………38
圖4.3非偏極光進入到晶體偏極…………………………………....38
圖4.4 (a) 光彈調變器的構造與工作原理; (b)電磁波與PEM交互作用示意圖(利用右邊的壓電材料使左邊晶體震動,造成氟化鈣晶體折射 ………………………………….............................46
圖4.5 PEM橢圓儀架構示意圖………………….............................47
圖4.6 鎖相放大器運作方塊圖…………………................................48
圖4.7 橢圓儀線上架構圖………………………................................49
圖4.8 一層薄膜模型………………………………………………50
圖4.9 鄰近兩波長間的光程差……………………………………..51
圖4.10 雙層架構示意圖……………………………………………55
圖4.11 在不同SiO2厚度橢圓參數Ψ隨Poly-Si厚度變化的情況
…………………………………………………………………………58
圖4.12 在不同SiO2厚度橢圓參數Ψ隨Poly-Si厚度變化的情況
…………………………………………………………………………58
圖4.13 不同SiO 2厚度,相同的Poly-Si厚度起始厚度下,橢圓參數Ψ-Δ圖隨Poly-Si厚度變化的情況……………………………59
圖4.14 Ψ在不同入射角下隨蝕刻深度的變化情況………………..60
(理論值由760 nm poly-Si開始蝕刻 , 底層為 25 nm oxide)
圖4.15 Δ在不同入射角下隨蝕刻深度的變化情況………………..60
(理論值由760 nm poly-Si開始蝕刻 , 底層為 250 nm oxide)
圖4.16 溝槽平行入射面示意圖……………………………………61
圖4.17 溝槽垂直入射面示意圖……………………………………61
圖4.18 平行入射面蝕刻結構示意圖:150 nm Hard Mask / 900 nm Poly-Si / 100 nm oxide on Si………………………………..62

圖4.19 入射面平行溝槽架構下,不同Hard Mask面積比例隨蝕刻深度的橢圓參數Ψ變化情況…………………………………63
圖4.20 入射面平行溝槽架構下,不同Hard Mask面積比例隨蝕刻深度的橢圓參數Δ變化情況…………………………………63


圖4.21入射面平行溝槽架構下,不同Hard Mask面積比例隨波長的
橢圓參數Ψ變化情況…………………………………………64
圖4.22 入射面平行溝槽架構下,不同Hard Mask面積比例隨波長的
橢圓參數Δ變化情況…………………………………….…65
圖4.23 垂直入射面蝕刻結構示意圖:150 nm Hard Mask / 900 nm Poly-Si / 100 nm oxide on Si…………………………….…66
圖4.24 入射面垂直溝槽架構下,不同Hard Mask面積比例隨蝕刻深度的橢圓參數Ψ變化情況…………………….………….…67
圖4.25 入射面垂直溝槽架構下,不同Hard Mask面積比例隨蝕刻深度的橢圓參數Δ變化情況……………………………….…67
圖4.26 入射面垂直溝槽架構下,不同Hard Mask面積比例隨波長的橢圓參數Ψ變化情況……………………………………...…68
圖4.27 入射面垂直溝槽架構下,不同Hard Mask面積比例隨波長的橢圓參數Δ變化情況……………………………………...…69
圖5.1 訊號處理器(SCU)校正接線示意圖……………………...…76
圖5.2 當交流訊號設定放大 20 倍時,在頻率大於 50 kHz 以的範圍,放大能力明顯受頻率響應影響…………………………78
圖5.3 當交流訊號設定放大 10 倍時,在頻率於 50 kHz ~ 300 kHz 的範圍,放大能力明顯不受頻率響應影響…………………79
圖5.4 放大能力明顯受輸入的交流訊號大小影響其放大倍率……80
圖5.5 放大能力明顯受輸入的直流訊號大小影響其放大倍率……81
圖5.6 蝕刻過程有加濾波片,直流訊號放大100倍後,經過程式濾波,再除回原本的大小,與交流訊號比較(Wafer No. F20
腔體壓力10 mTorr;Cl2 95 sccm;Ar 5 sccm;
ICP 1000 W;Bias 200 W)……………………..……………82
圖5.7 蝕刻過程不需加濾波片,直流訊號放大100倍後,不需經過程式濾波,除回原本的大小,與交流訊號比較(Wafer No.G15;腔體壓力10 mTorr;Cl2 95 sccm;Ar 5 sccm;ICP 1000 W;Bias 200 W)……………………..……………………………83
圖5.8 蝕刻過程直流訊號修正不同倍率後的情況,其中直流訊號隨厚度變化情況,約由630 nm開始蝕刻,到280 nm蝕刻結束…84
圖5.9 蝕刻過程橢圓參數Ψ在修正不同倍率後的情況,其中橢圓參數Ψ在直流訊號放大93倍時,與理論值最接近(厚度變化情況,約由630 nm開始蝕刻,到280 nm蝕刻結束)…………85
圖 5.10 SCU校正接線示意圖……………..……………..…………86
圖5.11 PSA 系統示意圖……………..……………..……….………93
圖5.12 連續校正四次所修正的角度…..……………..……….………95
圖5.13 反射式光彈調變量測系統基本架構圖……..……….………96

圖6.1 (a)蝕刻過程的橢圓參數Δ未經過平移修正與理論值曲線比較
(b)蝕刻過程的橢圓參數Δ在經過平移修正與理論值曲線比較(Wafer No.G15,630 nm Poly-Si開始蝕刻,底層為 25 nm oxide)…………..……………..……….…………………….…103
圖6.2 (交大光電偏光實驗室提供)對PEM開機後做6 小時的即
時量測, 由0.383經過開機一個半小時之後才趨於穩定的
狀態…………..……………..……….…………………….…105
圖6.3 (交大光電偏光實驗室提供)對PEM開機後做4 小時的
即時量測,可以明顯看出 受到冷氣壓縮改變溫度對造成的影響…………..……………..……….…………………….…105
圖6.4 理論計算及實驗測量到不同SiO2厚度下的橢圓參數Ψ和Δ隨
厚度變化的情況……………..……….…………………….…107
圖6.5 不同SiO2厚度下的橢圓參數Ψ和Δ的比較,以及理論計算及
實驗測量到不同SiO2厚度下的Ψ-Δ圖………………….…107
圖6.6 利用橢圓參數Δ曲線的“上端極值點到下端極值點”和“下端極值點到上端極值點”計算平均蝕刻率………..…….…109
圖6.7 利用橢圓參數Δ曲線的週期特性,上端極值點與下端極值點的一個週期計算一次平均蝕刻率。(每個週期為90 nm)…110


圖6.8 利用橢圓參數Ψ曲線的週期特性,下端極值點的一個週期計算一次平均蝕刻率。(每個週期為90 nm)………..…….…111
圖6.9 利用橢圓參數解厚度得出原始根的週期特性,其厚度根的一個週期計算一次平均蝕刻率。(每個週期為90 nm)….…112
圖6.10 比較四種平均蝕刻率計算的結果與解厚度原始根的情況...113
圖6.11 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..116
圖6.12 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…116
圖6.13 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…117
圖6.14 蝕刻過程多晶矽厚度及平均蝕刻率隨時間變化的情況.…117
圖6.15 蝕刻過程Bias power ON後量測ICP power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…118
圖6.16 蝕刻過程Bias power ON後量測Bias power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…118
圖6.17 蝕刻過程Bias power ON後量測離子電流的變化情況.…119
圖6.18 蝕刻過程Bias power ON後量測射頻偏壓的變化情況.…119
圖6.19 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..120
圖6.20 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…120
圖6.21 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…121
圖6.22 蝕刻過程多晶矽厚度及平均蝕刻率隨時間變化的情況.…121
圖6.23 蝕刻過程Bias power ON後量測ICP power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…122
圖6.24 蝕刻過程Bias power ON後量測Bias power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…122
圖6.25 蝕刻過程Bias power ON後量測離子電流的變化情況.…123
圖6.26 蝕刻過程Bias power ON後量測射頻偏壓的變化情況.…123
圖6.27 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..124
圖6.28 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…124
圖6.29 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…125
圖6.30 蝕刻過程多晶矽厚度及平均蝕刻率隨時間變化的情況.…125
圖6.31 蝕刻過程Bias power ON後量測ICP power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…126
圖6.32 蝕刻過程Bias power ON後量測Bias power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…126
圖6.33 蝕刻過程Bias power ON後量測離子電流的變化情況.…127
圖6.34 蝕刻過程Bias power ON後量測射頻偏壓的變化情況.…127
圖6.35 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..128
圖6.36 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…128
圖6.37 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…129
圖6.38 蝕刻過程多晶矽厚度及平均蝕刻率隨時間變化的情況.…129
圖6.39 蝕刻過程Bias power ON後量測ICP power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…130
圖6.40 蝕刻過程Bias power ON後量測Bias power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…130
圖6.41 蝕刻過程Bias power ON後量測離子電流的變化情況.…131
圖6.42 蝕刻過程Bias power ON後量測射頻偏壓的變化情況.…131
圖6.43 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..132
圖6.44 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…132
圖6.45 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…133
圖6.46 蝕刻過程多晶矽厚度及平均蝕刻率隨時間變化的情況.…133
圖6.47 蝕刻過程Bias power ON後量測ICP power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…134
圖6.48 蝕刻過程Bias power ON後量測Bias power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…134
圖6.49 蝕刻過程Bias power ON後量測離子電流的變化情況.…135
圖6.50 蝕刻過程Bias power ON後量測射頻偏壓的變化情況.…135
圖6.51 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..136
圖6.52 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…136
圖6.53 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…137
圖6.54 蝕刻過程多晶矽厚度及平均蝕刻率隨時間變化的情況.…137
圖6.55 蝕刻過程Bias power ON後量測ICP power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…138
圖6.56 蝕刻過程Bias power ON後量測Bias power訊號的變化情況
……………..……….…………………………………….…138
圖6.57 蝕刻過程Bias power ON後量測離子電流的變化情況.…139
圖6.58 蝕刻過程Bias power ON後量測射頻偏壓的變化情況.…139
圖6.59 蝕刻終點控制程式執行的流程示意圖………...…...…...…141
圖6.60 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..143
圖6.61 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…143
圖6.62 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…144
圖6.63 蝕刻過程多晶矽厚度隨時間變化的情況. …………..……144
圖6.64 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..145
圖6.65 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…145
圖6.66 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…146
圖6.67 蝕刻過程多晶矽厚度隨時間變化的情況...…………..……146
圖6.68 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況…147
圖6.69 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..148
圖6.70 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…148
圖6.71 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…149
圖6.72 蝕刻過程多晶矽厚度隨時間變化的情況...…………..……149
圖6.73 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況…150
圖6.74 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..151
圖6.75 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…151
圖6.76 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…152
圖6.77 蝕刻過程多晶矽厚度隨時間變化的情況...…………..……152
圖6.78 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況I…153
圖6.79 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況II..153
圖6.80 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..154
圖6.81 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…154
圖6.82 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…155
圖6.83 蝕刻過程多晶矽厚度隨時間變化的情況...…………..……155
圖6.84 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況I…156
圖6.85 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況II..156
圖6.86 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..157
圖6.87 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…157
圖6.88 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…158
圖6.89 蝕刻過程多晶矽厚度隨時間變化的情況...…………..……158
圖6.90 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況I…159
圖6.91 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況II..159
圖6.92 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..160
圖6.93 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…160
圖6.94 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況………..……...…161
圖6.95 蝕刻過程多晶矽厚度隨時間變化的情況...…………..……161
圖6.96 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況I…162
圖6.97 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況II..162
圖6.98 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況….……..163
圖6.99 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況………..……...…163
圖6.100 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況……..……...…164
圖6.101 蝕刻過程多晶矽厚度隨時間變化的情況..………..……164
圖6.102 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況I..165
圖6.103 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況II.165
圖6.104 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況.……..166
圖6.105 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況……..……...…166
圖6.106 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況……..……...…167
圖6.107 蝕刻過程多晶矽厚度隨時間變化的情況..………..……167
圖6.108 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況I..168
圖6.109 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況II.168
圖6.110 橢圓儀(Ellipsometer)與商用雷射干涉儀(Nanospec)量測起始
厚度對照情況…………………………………..……...…170
圖6.111 橢圓儀(Ellipsometer)與商用雷射干涉儀(Nanospec)量測終點
厚度對照情況…………………………………..……...…170
圖6.112 殘餘蝕刻實驗設計示意圖………………………..……...…171
圖6.113 蝕刻過程量測直流與交流訊號隨時間變化的情況……..171
圖6.114 蝕刻過程橢圓參數Ψ隨時間變化的情況……..……...…171
圖6.115 蝕刻過程橢圓參數Δ隨時間變化的情況……..……...…172
圖6.116 蝕刻過程多晶矽厚度隨時間變化的情況..………..……172
圖6.117 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況I..173
圖6.118 蝕刻終點厚度附近多晶矽厚度隨時間變化的放大情況II..173
1.陳旭賢 “利用相位調變式橢圓儀進行電漿蝕刻製程之即時監控與量測”
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