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研究生:李國賢
研究生(外文):Kuo-Hsien Lee
論文名稱:利用準分子雷射退火與特殊吸熱層製備多晶矽薄膜電晶體
論文名稱(外文):The Fabrication of Poly-Si Thin Film Transistor by Excimer Laser Annealing with a SiON Absorption Layer
指導教授:李嗣涔李嗣涔引用關係
指導教授(外文):Si-Chen Lee
學位類別:碩士
校院名稱:國立臺灣大學
系所名稱:電子工程學研究所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2004
畢業學年度:92
語文別:英文
論文頁數:63
中文關鍵詞:薄膜電晶體準分子雷射複晶矽
外文關鍵詞:polysiliconExcimer laser annealingTFT
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在本實驗中,利用背打雷射以及特殊吸熱層的方式製備出複晶矽的晶粒可以達到7.6 x 2.9 μm2。而利用一般雷射方式與此種背打方式所製備出的複晶矽,其拉曼波峰峰值分別為516.8 cm-1以及518.2 cm-1。此外,一般正打雷射與利用背打方式所製作出來元件的電子遷移率分別為14 cm2/V-sec和81 cm2/V-sec,背打方式造成的大複晶晶粒使得元件特性有了顯著的提升。最後,在嘗試製作的背打輕摻雜汲極的薄膜電晶體元件中,將討論其元件特性。
Poly-Si grain size can be increased up to 7.6 x 2.9 μm2 by back side excimer laser annealing (ELA) with a SiON absorption layer underneath the a-Si film. The Raman peak of typical poly-Si and that one fabricated by back side ELA is at 516.8 and 518.2 cm-1, respectively. The mobility of typical top-gated ELA device is 14 cm2/V-sec; but it increases to 81 cm2/V-sec for the poly-Si TFT device with absorption layer by back side ELA. The improved performance is due to the enlargement of polysilicon grain size. The performance of poly-Si TFT with lightly doped drain (LDD) by back side ELA will also be discussed .
Chapter 1 Introduction 1
Chapter 2 The Experimental 3
2.1 Deposition System 3
2.1.1 PECVD 3
2.1.2 LPCVD 7
2.2 Substrate Preparation 7
2.3 Deposition Procedures 10
2.3.1 PECVD 10
2.3.2 LPCVD 11
2.4 Measurement Techniques 12
2.4.1 Film Thickness 12
2.4.2 Raman Spectra 12
2.4.3 Current – Voltage Characteristics 15
Chapter 3 Large Grain Polysilicon by Excimer Laser Annealing 16
3.1 Introduction 17
3.2 Secco etching 19
3.3 Experiments 24
3.4 Results and Discussion 27
Chapter 4 The Fabrication of Poly-Si Thin Film Transistor with underlying absorption layer by Excimer Laser Annealing 35
4.1 Experiments 35
4.1.1 Fabrication processes of ELA poly-Si TFT (Sample A) 35
4.1.2 Fabrication processes of ELA poly-Si TFT with underlying absorption layer by front side ELA (Sample B) 38
4.1.3 Fabrication process of poly-Si TFT with absorption layer by back side ELA (Sample C) 40
4.1.4 Fabrication of poly-Si TFT by back side ELA with lightly doped drain (LDD) (Sample D) 42
4.2 Results and Discussions 45
4.2.1 The current formula and mobility 45
4.2.2 The performance of poly-Si TFT 45
Chapter 5 Conclusions 62
Bibliography 64
[1] K. Sera, F. Okumura, H. Uchida, S. Itoh, S. Kaneko, and K. Hotta, IEEE Trans. Electron Devices, vol36, No. 12, pp. 2868-2872, 1989
[2] Y. Moritta, and T. Noguchi, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 28, No. 2, pp. L309-L311, 1989
[3] K. Shimizu, O. Sugiura, and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys,. vol 29, no. 10, pp. L1775-L1777, 1990
[4] N. Yamauchi and R. Reif, J. Appl. Phys. 75, 3235, 1994
[5] F. Plais, P. Legagneux, C. Reita, O. Huet, F. Petinot, D. Pribat, B.Godard, M. Stehle, and E. Fogarassy, Microelectron. Eng., vol. 28, pp. 443-446, 1995
[6] W. Staudt, S. Borneis, and K. D. Pippert, Phys. Stat. Sol. (a) 166, 743, 1998
[7] C. T. Angelis, C. A. Dimitriadis, M. Miyasaka, F. V. Farmakis, G. Kamarinos, J. Brini, and J. Stoemenos, ” J. Appl. Phys., vol. 86, no. 8, p. 4600, 1999
[8] J. S. Im, R. S. Sposili, and M. A. Crowder, vol. 70, no. 25, pp. 3434–3436, 1997
[9] M. A. Crowder, P. G. Carey, P. M. Smith, R. S. Sposili, H. S. Cho, and J. S. Im, ” IEEE Electron Device Lett., vol. 19, pp. 306–308, Aug. 1998
[10] C. H. Oh and M. Matsumura, ” IEEE Electron Device Lett., vol. 22, pp. 20–22, Jan. 2001
[11] J. H. Jeon, M. C. Lee, K. C. Park, S. H. Jung, and M. K. Han, ” in IEDM Tech. Dig., 2000, pp. 213–216
[12] B. Pivac, K. Furic, and D. Desnica, J. Appl. Phys. 86, 4383, 1999
[13] C. T. Angelis, C. A. Dimitriadis, M. Miyasaka, F. V. Farmakis, G. Kamarinos, J. Brini, and J. Stoemenos, J. Appl. Phys., vol. 86, no. 8, p. 4600, 1999
[14] J. H. Jeon, M. C. Lee, K. C. Park, S. H. Jung, and M. K. Han, in IEDM Tech. Dig., 2000, pp. 213–216
[15]J. S. Im, R. S. Sposili, and M. A. Crowder, Appl. Phys. Lett., vol. 70, no. 25, pp. 3434–3436, 1997
[16] M. A. Crowder, P. G. Carey, P. M. Smith, R. S. Sposili, H. S. Cho, and J. S. Im, IEEE Electron Device Lett., vol. 19, pp. 306–308, Aug. 1998
[17] C. H. Oh and M. Matsumura, IEEE Electron Device Lett., vol. 22, pp. 20–22, Jan. 2001
[18] C. H. Kim, I. H. Song, W. J. Nam and M. K. Han, IEEE Elec. Devi. Lett. 23, 315, 2002
[19] D. H. Choi, K. Shimizu, O. Sugiura and M. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 4545, 1992
[20] H. Kuriyama, T. Nohda, S. Ishida, T. Kuwahara, S. Noguchi, S. Kiyama, S. Tsuda and S. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 6190, 1993
[21] Sheng-Da Liu and Si-Chen Lee, IEEE Electron Device Lett., vol. 51, pp. 166–171, Aug. 2004
[22] B. Rezek, C. E. Nebel and M. Stutzmann, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L1083, 1999
[23] Nakata, Jun-ichi (Kinki Univ); Nakajima, Shigeki; Imao, Shozo; Inuishi, Yoshio, Jpn. J. Appl. Phys. 33, p 5640-5646, 1994
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1. 50. 趙晞華,建立嶄新軍事審判制度,以貫徹審判獨立及人權保障說帖,軍法專刊第四五卷第五期,一九九九年五月。
2. 36. 黃源盛,民初暫行新刑律的歷史與理論,刑事法雜誌第四一卷第六期,一九九七年十二月。
3. 49. 趙晞華,國家機密與國防機密、軍事機密之區分及其適用,刑事法雜誌第四八卷第二期,二○○四年四月。
4. 54. 蔡朝安、洪紹書合譯,「美國統一軍法典1984年修正增訂條款」,軍法專刊第三八卷第二至四期,一九九二年二月至四月。
5. 48. 趙晞華,陸海空軍刑法立法體例及規範目的之研究,刑事法雜誌第四八卷第六期,二○○四年十二月。
6. 38. 黃源盛,兩漢春秋折獄案例探微,政大法學評論第五二期,一九九四年十二月。
7. 34. 黃常仁,中德軍刑法之比較研究(1),軍法專刊第三六卷第十期,一九九○年十月。
8. 33. 黃常仁譯,德國防衛刑法典,軍法專刊第三八卷第六期,一九九二年六月。
9. 37. 黃源盛,民國四年修正刑法草案摭遺,刑事法雜誌第四二卷第六期,一九九八年十二月。
10. 66. 謝添富、趙晞華,試論陸海空軍刑法有關戰時犯罪之規定,全國律師,二○○三年五月號。
11. 65. 謝添富、趙晞華,陸海空軍刑法修正經過及修正內容析述(1)至(16),軍法專刊,第四七卷第十期至第五十卷第四期,二○○一年十月至二○○四年四月。
12. 64. 謝添富、趙晞華,論軍事審判法修正重點及未來改革方向,立法院院聞月刊,一九九九年十一月。
13. 63. 謝添富、李漢中,陸海空軍刑法修正條文芻稿,軍法專刊第四四卷第十期。
14. 56. 韓毓傑,軍中人權及其具體內容之研究,軍法專刊第四三卷第九期,一九九七年九月。
15. 30. 陳鴻瑜,現代民主政治下軍人的角色,中國論壇第二六卷第十期,一九八八年八月二五日。
 
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