|
References
[1]M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt and H. Chang, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991). [2]D. Eason, J. Ren, Z. Yu, C. Hughes, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, N. A. El-Masry, Gene Cantwell and William C. Harsh, J. Crystal Growth 150, 718 (1995). [3]R. D. Bringans, D. K. Biegelsen, L. E. Swartz, F. A. Ponce and J. C. Tramontana, Phys. Rev. B 45, 13400 (1992). [4]M. K. Lee, M. Y. Yeh and C. C. Chang, Appl. Phys. Lett. 55, 1850 (1989). [5]M. Yokoyama, N. T. Chen and H. Y. Ueng, J. Crystal Growth 212, 97 (2000). [6]M. López- López, V. H. Méndez-García, M. Meléndez-Lira, J. Luyo-Alvarado, M. Tamura, K. Momose and H. Yonezu, Phys. Stat. Sol. (b) 220, 99 (2000). [7]G. L. Luo, T. H. Yang, E. Y. Chang, C. Y. Chang and K. A. Chao, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L517 (2003). [8]T. H. Yang, C. S. Yang, G. Luo, W. C. Chou, T. Y. Yang, E. Y. Chang and C. Y. Chang, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L811 (2004). [9]M. A. Herman and H. Sitter: Molecular Beam Epitaxy Fundamentals and Current Status (Springer series in materials science: volume 7, 1996) p. 359-365. [10]S. M. Ting and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 87, 2618 (2000). [11]Kai Zhang, Der-Woei Wu, Jianming Fu and D. L. Miller, Appl. Phys. Lett. 63, 809 (1993). [12]J. M. Gaines, J. Petruzzello, and B. Greenberg, J. Appl. Phys. 73, 2835 (1992). [13]J. S. Song, J.H. Chang, S. K. Hong, M. W. Cho, H. Makino, T. Hanada and T. Yao, J. Cryst. Growth 242, 95 (2002). [14]J. S. Song, S. H. Seo, M. H. Oh, J. H. Chang, M. W. Cho and T. Yao, J. Crystal Growth 261, 159 (2004). [15]M. C. Kuo, K. C. Chiu, T. H. Shih, Y. J. Lai, C. S. Yang, W. K. Chen, D. S. Chuu, M. C. Lee, W. C. Chou, S. Y. Jeng, Y. T. Shih and W. H. Lan, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 5145 (2004). [16]U. Lunz, J. Kuhn, F. Goschenhofer, U. Schüssler, S. Eiufeldt, C. R. Becker and G. Landwehr, J. Appl. Phys. 80, 6861 (1996). [17]R. Cingolani, P. Prete, D, Greco, P. V. Giugno, M. Lomascolo, R. Rinaldi, L. Calcagnile, L. Vanzetti, L. Sorba and A. Franciosi, Phys. Rev. B 51, 5176 (1995). [18]H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991). [19]M. Godlewski, J. P. Bergman, B. Monemar, E. Kurtz and D. Hommel, Appl. Phys. Lett. 69, 2843 (1996). [20]Yoshiji Horikoshi, J. Crystal Growth 201, 150 (1999). [21]C. S. Yang, D. Y. Hong, C. Y. Lin, W. C. Chou, C. S. Ro, W. Y. Uen, W. H. Lan and S. L. Tu, J. Appl. Phys. 83, 2555 (1998). [22]X. B. Zhang, K. L. Ha and S. K. Hark, J. Crystal Growth 223, 528 (2001). [23]Y. H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Kreller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998). [24]T. Makino, N. T. Tuan, H. D. Sun, C. H. Chia, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, M. Baba, H. Akiyama, T. Suemoto, S. Saito, T. Tonita and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 78, 1979 (2001). [25]M. Leroux, N. Grandjean, M. Laugt, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, and P. Bigenward, J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999). [26]E. Tournié, C. Morhain, M. Leroux, C. Ongaretto, and J. P. Fourie, Appl. Phys. Lett. 67, 103 (1995). [27]Band gap energy of ZnSe at low temperature limit (0 T) is 2.82 eV. Calculate the band gap of ZnxCd1-xSe (x = 0.17) using the method described in Ref [16], we get band offset of 250 meV for 0 T. [28]R. L. Gunshor and A. V. Nurmikko: II-VI Blue Green Light Emitters: Device Physics and Epitaxial Growth (Boston Academic Press, 1997) p. 179
|