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研究生:吳孟璇
研究生(外文):Meng-Hsuan Wu
論文名稱:氧化物對N-type砷化鎵晶圓接合界面微結構及性質影響之研究
論文名稱(外文):Effects of oxide on the microstructure and properties of n-type GaAs wafer bonding interface
指導教授:歐陽浩
學位類別:碩士
校院名稱:國立中興大學
系所名稱:材料工程學研究所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2005
畢業學年度:93
語文別:中文
中文關鍵詞:微結構高解析電子顯微鏡氧化物
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本實驗探討N-type砷化鎵接合晶圓在不同的退火溫度下其界面微結構的型態變化,利用高解析電子顯微鏡(high resolution transmission electron microscope,HRTEM)所得到的plan-view結果配合JEMS(Java Electron Microscopy Software)模擬軟體印證界面氧化層三度空間的型態改變。此外藉由導電原子力顯微鏡(CAFM)對照電性分析結果得知界面氧化層扮演阻障的角色,使電流無法通過,造成I-V curve呈現非線性徵。
一、 序論
1.1 前言
1.2 研究動機

二、 文獻回顧與理論背景
2.1 晶圓接合技術簡介
2.1.1 定義
2.1.2歷史背景
2.1.3 技術基本要求
2.1.4 接合種類
2.1.5 接合參數
2.1.6晶圓接合優點
2.2 III-V化合物半導體
2.2.1 砷化鎵的優勢
2.2.2 砷化鎵的結構
2.3 穿透式電子顯微鏡
2.4 multislice method基本理論
2.5 導電原子力顯微鏡
2.6 VASP
2.7 自身交互運算函數

三、實驗方法
3.1 試片準備
3.2 HRTEM影像觀察
3.3 JEMS和VASP模擬軟體的設定
3.3.1 JEMS軟體的設定
3.3.2 VASP軟體的設定
3.4 FTIR和UV光譜儀

四 . 結果與討論
4.1 JEMS模擬影像
4.2 穿透式電子顯微鏡( TEM ) 影像
4.2.1 反相接合(接合角度180°)的影像
4.1.2 順相接合(接合角度90°)的影像
4.1.3 Ga2O3的介穩定態
4.1.4 Auto-correlation function
4.3 接合界面的電性探討五、結論
六、參考文獻
七、附錄
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