臺灣博碩士論文加值系統

　　本實驗利用分子束磊晶系統成長[Si 20Å/Mn XÅ]30三十週期多層膜，結構方面至同步輻射中心Wigger-C光束線對錳K邊緣光譜分析樣品局部電子結構及幾何結構，排除系統中錳-錳鍵結，使用超導量子干涉儀量測出樣品X=1Å具有室溫鐵磁性，電性方面，使用霍爾效應量測載子濃度變化，並探討[Si 20Å/Mn XÅ]30磁性機制。

　[Si 20Å/Mn XÅ]30 multilayers has been prepared by MBE system. The structures probed by X-ray absorption spectroscopy are reported.Above room-temperature ferromagnetism has been boserved for x=1Å. We discussed the carrier induced ferromangetism theory with [Si 20Å/Mn XÅ] by Hall effect measurements .

目 錄
第一章 緒論
1-1 前言••••••••••••••••••••• 1
1-2 半導體(Semiconductor)的簡介••••••••••3
1-2-1 半導體(Semiconductor)的分類••••••••••4
1-2-2 本徵半導體•••••••••••••••••• 5
1-2-2-1 矽的簡介••••••••••••••••••• 6
1-2-2 外質半導體•••••••••••••••••• 7
1-3 矽化錳的簡介••••••••••••••••• 8
1-4 文獻回顧•••••••••••••••••••12
1-4-1 鐵磁性半導體MnxGe1-x•••••••••••••12
1-4-2 MnxSi1-x理論預測•••••••••••••••15
1-5 本論文研究動機••••••••••••••••18

第二章 理論介紹
2-1 磁性基本理論••••••••••••••••• 19
2-1-1 順磁性•••••••••••••••••••• 19
2-1-2 鐵磁性•••••••••••••••••••• 21
2-1-3 反磁性•••••••••••••••••••• 23
2-1-4 反鐵磁性••••••••••••••••••• 23
2-2 電性量測原理••••••••••••••••• 24
2-2-1 電阻率量測•••••••••••••••••• 24
2-2-2 遷移率與載子濃度••••••••••••••• 25
2-3 霍爾效應••••••••••••••••••• 26
2-4 吸收光譜••••••••••••••••••• 28
2-4-1 吸收光譜簡介••••••••••••••••• 28
2-4-2 X光吸收光譜之基本原理•••••••••••••31
2-4-3 錳相關材料的吸收光譜分析••••••••••• 34

第三章 實驗儀器介紹
3-1 分子束磊晶系統•••••••••••••••• 39
3-2 實驗量測儀器••••••••••••••••• 44
3-2-1 磁性量測••••••••••••••••••• 44
3-2-2 電性量測••••••••••••••••••• 46
3-3 吸收光譜••••••••••••••••••• 49


第四章 實驗結果與討論
4-0 實驗目的••••••••••••••••••• 52
4-1 實驗製備••••••••••••••••••• 52
4-2 [Si 20Å/Mn XÅ]30結構分析••••••••••••54
4-3 磁性分析••••••••••••••••••• 58
4-4 電性分析••••••••••••••••••• 70
4-5 磁性機制討論••••••••••••••••• 77

第五章 結論

附錄••••••••••••••••••••• 75
參考文獻••••••••••••••••••• 83

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