跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(44.220.44.148) 您好!臺灣時間:2024/06/21 14:54
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

: 
twitterline
研究生:薛道鴻
研究生(外文):T. H. Hsueh
論文名稱:低維度氮化鎵族發光元件之研究
論文名稱(外文):Studies of GaN-based Low-Dimensional Light-Emitting Devices
指導教授:王興宗郭浩中郭浩中引用關係
指導教授(外文):S. C. WangH. C. Kuo
學位類別:博士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:光電工程系所
學門:工程學門
學類:電資工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2005
畢業學年度:93
語文別:英文
論文頁數:89
中文關鍵詞:氮化鎵低維度奈米結構
外文關鍵詞:GaNlow dimensionalnano-structure
相關次數:
  • 被引用被引用:0
  • 點閱點閱:251
  • 評分評分:
  • 下載下載:27
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
本論文旨在於探討氮化鎵族低維度發光元件及結構之製作、材料特性、及光電特性。主要分為四個部分,第一部份為研究氮化銦鎵微米孔發光二極體之光輸出特性,其包含了元件的製作、電性的探討以及光輸出的特性研究,並搭配TracePro模擬軟體分析其元件性能的實驗結果。接著,使用有機金屬氣相沈積法在氮化矽奈米孔洞上成長不同大小之零維結構的氮化銦鎵量子點,並利用低溫光激發光譜技術、高解析穿透式電子顯微鏡以及原子力顯微鏡研究此不同大小之氮化鎵量子點的光學、結構特性與探討背後的物理背景,並利用快速熱退火的方式研究熱效應對氮化銦鎵量子點發光機制的影響。接下來介紹直徑約為60到100奈米的氮化銦鎵多重量子井奈米柱,包含兩種製作方式,一種為直接利用感應耦合式電漿蝕刻方式製作,另一種為透過奈米點狀的鎳金屬作為蝕刻奈米柱的遮罩,並利用光激發光譜技術、高解析穿透式電子顯微鏡以及原子力顯微鏡研究其光學物理及結構特性,並更進一步討論有關存在於氮化銦鎵多重量子井的壓電場在此結構下的影響,以及激子侷限的現象。接下來探討δ-TMIn技術在氮化銦鎵多重量子井發光二極體的影響,此δ-TMIn為在成長氮化銦鎵磊晶層時在前十分之一的磊晶時間裡的TMIn流量為400sccm,接下來的TMIn流量降為230sccm完成氮化銦鎵層的磊晶,利用光激發光譜技術研究分析其多重量子井之活化能、載子侷限能及變溫激光光譜等特性,並與以一般成長條件(成長氮化銦鎵全程TMIn為230 sccm)之元件作比較。
This dissertation explores the fabrication, structural properties, physical features, optical and electronic properties of GaN-based low-dimensional structure and light emitting device. The main focus of this dissertation can be divided into four parts. First, the enhancement in the light output of InGaN-based microhole array light emitting diodes (LEDs) is studied, including device fabrication, electronic properties and light output performance. The experimental results measured from the microhole array LEDs are analyzed with the TracePro simulation. Next, the growth of zero-dimensional structure of InGaN quantum dots (QDs) with different size grown on SiN nanoholes by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) is presented. Their optical and structural properties are investigated by using low-temperature photoluminescence (PL) measurement, high resolution transmission micro (HRTEM) and atomic force microscope (AFM). The photoluminescence spectroscopy was further utilized to study the tuning of confined energy levels in InGaN QDs via rapid thermal annealing. The following part presents the optical properties of InGaN/GaN multiple quantum well nanorods with diameters from 60 to 100 nm. The formation of the nanorods is employed by two methods. One is a directly induced coupled plasma (ICP) etching of InGaN/GaN MQWs LEDs wafer. The other one is ICP etching with self-assemble nickel (Ni) nanomasks formed by rapid thermal annealing. The PL, HRTEM and SEM are employed to study their optical and structural properties. The last part is the effects of delta-trimethylindium (δ-TMIn) flow process on optical properties of InGaN/GaN MQWs LEDs. This part focus on the improvement on light output of the InGaN/GaN MQWs LEDs with δ-TMIn flow process examined by using temperature-dependent PL and HRTEM measurements compared with that of the conventional devices without δ-TMIn flow process. The localization effect and the thermal activation energy by the δ-TMIn process are also studied here.
Chapter 1
[1] S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 67, 1687 (1994).
[2] S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys.34, L797 (1995).
[3] G. Y. Xu, A. Salvador, W. Kim, Z. Fan, C. Lu, H. Tang, H. Markoc, G. Smith, M. Estes, B. Goldberg, W. Yank, and S. Krishnankutty, Appl. Phys. Lett. 71, 2154 (1997).
[4] T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002).
[5] H. Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices, (Springer-Verlag, Berlin, 1999).
[6] T. G. Zhu, D. J. H. Lambert, B. S. Shelton, M. N. Wong, U. Chowdhury, H. K. Kwon, and R. D. Dupuis, Electron Lett. 36, 1971 (2000).
[7] B. S. Shelton, D. J. H. Lambert, H. J. Jang, M. M. Wong, U. Chowdhury, Z. T. Gang, H. K. Kwon, Z. Liliental-Weber, M. Benarama, M. Feng, and R. D. Dupuis, IEEE Trans Electron Devices 48, 490 (2001).
[8] A. P. Zhang, J. Han, F. Ren, K. E. Waldrio, C. R. Abernathy, B. Luo, G. Dang, J. W. Johnson, K. P. Lee, and S. J. Pearton, Electronchem. Solid-State Lett. 4, G39 (2001).
[9] J. I. Pankove, E. A. Miller, J. E. Berkeyheiser, J. Luminescence 5, 84 (1992).
[10] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
[11] H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Jpn. J. Appl. Phys. 28, L2112 (1989).
[12] S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Jwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992).

Chapter 2
[1] R. K. Chang and A. J. Campillo, Optical Processes in Microcavities, World Scientific, Singapore (1996).
[2] R. A. Mair, K. C. Zeng, J. Y. Lin, H. X. Jiang, B. Zhang, L. Dai, A. Botchkarev, W. Kim, H. Morkoc, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 72, 1530 (1998).
[3] K. C. Zeng, L. Dai, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 75, 2563 (1999).
[4] R. A. Mair, K. C. Zeng, J. Y. Lin, H. X. Jiang, B. Zhang, L. Dai, H. Tang, A. Botchkarev, W. Kim, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 71, 2898 (1997).
[5] R. A. Mair, K. C. Zeng, J. Y. Lin, H. X. Jiang, B. Zhang, L. Dai, A. Botchkarev, W. Kim, H. Morkoc, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 72, 1530 (1998).
[6] H. X. Jiang, J. Y. Lin, K. C. Zeng, and W. Yang, Appl. Phys. Lett. 75, 763 (1999).
[7] K. C. Zeng, L. Dai, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 75, 2563 (1999).
[8] H. W. Kwok, “Development of liquid crystal on silicon microdisplays,” in Proc. 7th Int. Display Workshop, Tokyo, Japan and San Jose, CA, 11-14 (2000).
[9] O. Prache, “Active matrix molecular OLED microdisplays, “Displays, 22, 49 (2001).
[10] C. W. Jeon, H. W. Choi, and M. D. Dawson, IEEE Photonics Tech. Lett. 15, 1516 (2003).
[11] S. X. Jin, J. Li, J. Z. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Letts 76, 631 (2000).
[12] H. X. Jiang, S. X. Jin, J. Li, J. Shakya, and J. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 78, 1303 (2001).
[13] H. W. Choi, C. W. Jeon, and M. D. Dawson, IEEE Photonics Tech. Lett. 16, 33 (2004).
[14] C. W. Jeon, H. W. Choi, E. Gu, and M. D. Dawson, IEEE Photonics Technology. Lett. 16, 2421 (2004).
[15] O. Ambacher, W. Rieger, P. Ansmann, H. Angerer, T. D. Moustakas and M. Stutzmann, Solid State Communications 97, 365 (1996).
[16] M. Broditsk y and E. Yablonovitch, “Light-emitting diode extraction efficiency,” Proc. SPIE, 3002, 119 (1997).
[17] S. X. Jin, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 77, 3236 (2000).
[18] H. W. Choi, C. W. Jeon, and M. D. Dawson, IEEE Photonics Technology Lett. 16, 33 (2004).
[19] H. W. Choi, C. W. Jeon, M. D. Dawson, P. R. Edward, R. W. Martin, and S. Tripathy, J. Appl. Phys. 93, 5978 (2003).
[20] R. A. Mair, K. C. Zeng, J. Y. Lin, H. X. Jiang, B. Zhang, L. Dai, H. Tang, A. Botchkarev, W. Kim, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 71, 2898 (1997).
[21] K. C. Zeng, L. Dai, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 75, 2563 (1999).
[22] D. Eisert, and V. Harle, “Simulations in the Development Process of GaN-based LEDs and Laser Diodes,” International Conference on numerical simulation of semiconductor optoelectronic devices, (2002).
[23] C. C. Kao, H. C. Kuo, H. W. Huang, J. T. Chu, Y. C. Peng, Y. L. Hsieh, C. Y. Luo, and S. C. Wang, C. C. Yu, C. F. Lin, IEEE Photonics Technology Lett. 17, 19 (2005).
[24] J. K. Sheu, G. C. Chi, and M. J. Jou, IEEE Electron Device Lett. 22, 160 (2001).
[25] S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, W. C. Lai, C. H. Kuo, Y. P. Hsu, Y. C. Lin, S. C. Shei, H. M. Lo, J. C. Ke, and J. K. Sheu, IEEE Photonics Technology. Lett. 16, 1002 (2004).
[26] J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang,, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999).
[27] N. Blanc, P. Gueret, P. Buchmann, K. Datwyler, and P. Vettiger, Appl. Phys. Lett. 56, 2216 (1990).
[28] E. D. Haberer, M. Woods, A. Stonas, C. –H. Chen, S. Keller, M. Hansen, U. Mishra, S. DenBaars, J. Bowers, and E. L. Hu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 639, G11.21 (2000).

Chapter 3
[1] Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
[2] T. Takahahsi and Y. Arakawa, Optoelectron. -Dev. Technol. 3, 155 (1988).
[3] Y. Arakawa, K. Vahala, and A. Yariv, Appl. Phys. Lett. 45, 950 (1984).
[4] T. Takahashi and Y. Arakawa, Nonlinear gain effect in quantum well, wire, and box lasers, 27, 1824 (1991).
[5] Y. Arakawa, IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 8, 823 (2002).
[6] S. Makino, T. Miyamoto, T. Kageyama, N. Nishiyama, F. Koyama and K. Iga, J. Cryst. Growth 221, 561 (2000).
[7] M. Sopanen, H. P. Xin and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 76, 994 (2000).
[8] T. Hakkarainen, J. Toivonen, M. Sopanen and H. Lipsanen, Appl. Phys. Lett. 79, 3932 (2001).
[9] K. C. Yew, S. F. Yoon, Z. Z. Sun and S. Z. Wang, J. Cryst. Growth 247, 279 (2003).
[10] M. Herrera, D. Gonzalez, M. Hopkinson, P. Navaretti, M. Gutierrez, H. Y. Liu and R. Garcia, Semicond. Sci. Technol. 19, 813 (2004).
[11] J. Tersoff, Phys. Rev. B 43, 9377 (1991).
[12] W. Sham, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haler, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
[13] M. Kondow, T. Kitatani, S. Nakatsuka, M. C. Larson, K. Nakahara, Y. Yazawa and K. Uomi, IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 3, 719 (1997).
[14] K. C. Yew, S. F. Yoon and Z. Z. Sun, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2428 (2003).
[15] Y. Masumoto and T. Takagahara, “Semiconductor quantum dots :physics, spectroscopy, and applications,” Berlin ;Springer,c2002.New York.
[16] Satoru Tanaka, Sohachi Lwai, and Yoshinobu Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 69, 4096 (1996).
[17] Xu-Qiang Shen, Satoru Tanaka, Sohachi Lwai, and Yoshinobu Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 72, 344 (1998).
[18] S. Sakai and T. Tatsumi, Phys. Rev. Lett. 71, 4007(1993).
[19] P. Ramvall, P. Riblet, S. Nomura, and Y. Aoyagi, Journal of Appl. Phys. 87, 3883 (2000).
[20] B. Damilano, N. Grandjean, J. Massies, F. Semond, Appl. Surf. Sci. 164, 241 (2000).
[21] S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 2822 (1997).
[22] M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Y. Egorov, A. E. Zhukov, and Z. I. Alferov, Phys. Rev. Lett. 74, 4043 (1995).
[23] Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
[24] G. Bacher, H. Schweizer, J. Kovac, A. Forchel, H. Nickel, W. Schlapp and R. Losch, Phys. Rev. B 43, 9312 (1991).
[25] H. J. Kim, H. K Na, S. Y. Kwon, H. C. Seo, H. J. Kim Y. Shin, K.H. Lee, D. H. Kim, H. J. Oh, S. Yoon, C. Soneb, Y. Park, E. Yoon, J. Crystal Growth, 269, 95 (2004).
[26] J. F. Girard, C. Dion, P. Desjardins, C. Ni Allen, P. J. Poole, and S. Raymond, Appl. Phys. Lett 84, 3382 (2004).
[27] J. D. Lambkin, D. J. Dunstan, K. P. Homewood, and M. T. Emeny, Appl. Phys. Lett. 57, 1986 (1990).
[28] S. Mackowski, T. Gurung, H. E. Jackson, L. M. Smith, W. Heiss, J. Kossut, and G. Karczewski, Appl. Phys. Lett. 86, 103101 (2005).
[29] S. Malik, C. Roberts, R. Murray, and M. Pate, Appl. Phys. Lett. 71, 1987 (1997).
[30] C. C. Chuo, C. M. Lee, T. E. Nee, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 76, 3902 (2000).
[31] P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
[32] E. C. Le Ru, J. Fack, and R. Murray, Phys. Rev. B 67, 245318 (2003).

Chapter 4
[1] C. C. Yu, C. F. Chu, J. Y. Tsai, H. W. Huang, T. H. Hsueh, C. F Lin and S. C. Wang: Jpn. J. Appl. Phys. 41, 910 (2002).
[2] W. Q. Han, S. S. Fan, Q. Q. Li and Y. D. Hu: Science 277, 1287 (1997).
[3] H. M. Kim, D. S. Kim, T. W. Kang, Y. H. Cho and K. S. Chung: Appl. Phys. Lett. 81, 2193 (2002).
[4] J. D. Carey, L. L. Ong and S. R. P. Silva: Nanotechnology 14, 1223 (2003).
[5] S. J. Pearton and R. J. Shul, in Gallium Nitride I, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, San Diego, 1998).
[6] P. Gillis, D. A. Choutov, P. A. Steiner, J. D. Piper, J. H. Crouch, P. M. Dove, and K. P. Martin, Appl. Phys. Lett. 66, 2475 (1995).
[7] R. J. Shul, in Processing of Wide Bandgap Semiconductors, edited by S. J. Pearton (Noyes, Park Ridge, NJ, 1999).
[8] I. Adesida, A. T. Ping, C. Youtsey, T. Sow, M. Asif Khan, D. T. Olson, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 65, 889 (1994).
[9] O. Aktas, Z. Fan, S. N. Mohammad, A. Botcharev, and H. Morkoc, Appl.Phys. Lett. 69, 25 (1996).
[10] Y. F. Wu, S. Keller, P. Kozodoy, B. P. Keller, P. Parikh, D. Kapolnek, S.P. DenBaars, and V. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 290 (1997).
[11] W. A. Harrison, Electronic Structure and Properties of Solids (Freeman, San Francisco, 1980).
[12] S. J. Pearton, C. R. Abernathy, F. Ren, and J. R. Lothian, J. Appl. Phys. 76, 1210 (1994).
[13] I. Adesida, A. Mahajan, E. Andideh, M. Asif Khan, D. T. Olsen, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 63, 2777 (1993).
[14] M. E. Lin, Z. F. Zan, Z. Ma, L. H. Allen, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 64, 887 (1994).
[15] A. T. Ping, I. Adesida, M. Asif Khan, and J. N. Kuznia, Electron. Lett. 30, 1895 (1994).
[16] H. Lee, D. B. Oberman, and J. S. Harris, Jr., Appl. Phys. Lett. 67, 1754 (1995).
[17] S. J. Pearton, C. R. Abernathy, F. Ren, J. R. Lothian, P. W. Wisk, A. Katz, and C. Constantine, Semicond. Sci. Technol. 8, 310 (1993).
[18] S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 64, 2294 (1994).
[19] R. J. Shul, G. B. McClellan, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. Constantine, and C. Barratt, Electron. Lett. 32, 1408 (1996).
[20] R. J. Shul, G. B. McClellan, S. A. Casalnuovo, D. J. Rieger, S. J. Pearton, C. Constantine, C. Barratt, R. F. Karlicek, Jr., C. Tran, and M. Schurman, Appl. Phys. Lett. 69, 1119 (1996).
[21] G. F. McLane, L. Casas, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 66, 3328 (1995).
[22] A. T. Ping, I. Adesida, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 67, 1250 (1995).
[23] J. K. Sheu, G. C. Chi, and M. J. Jou, IEEE Photo. Tech. Lett. 13, 1164 (2001).
[24] R. J. Shul, in Processing of Wide Bandgap Semiconductors, edited by S.J. Pearton (Noyes, Park Ridge, NJ, 1999).
[25] S. J. Pearton, R. J. Shul, and E. Ren, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5, 11 (2000).
[26] H. K. Kim, H. Lin, and Y. Ra, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 598 (2004).
[27] M. A. Vyvoda et al., J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3247 (1998).
[28] M.A. Vyvoda, M. Li, D. B. Graves, H. Lee, M. V. Malyshev, F. P. Klemens, J. T. C. Lee, and V. M. Donnelly, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 820 (2000).
[29] M. T. Bjork, B. J. Ohisson, T. Sass, A. I. Persson, C. Thelander, M. H. Magnusson, K. Deppert, L. R. Wallenberg and L. Samuelson : Appl. Phys. Lett. 80, 1058 (2002).
[30] M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. C. Smith and C. M. Lieber : Nature 415, 617 (2002).
[31] W. Han, S. Fan, Q. Li and Y. Hu : Science 277, 1287 (1997).
[32] H. Peng, X. Zhou, N. Wang, Y. Zheng, L. Liao, W. Shi, C. Lee and S. Lee : Chem. Phys. Lett. 327, 263 (2000).
[33] W. Q Han and A. Zettl : Appl. Phys. Lett. 80, 303 (2002).
[34] C. Youtesy, L. T. Romano and I. Adesida : Appl. Phys. Lett. 73, 797 (1998).
[35] P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, R. Cingolani, R. J. Molnar and H. Morkoc : Appl. Phys. Lett. 77, 3532 (2000).
[36] J. D. Carey, L. L. Ong and S. R. P. Silva: Nanotechnology 14, 1223 (2003).
[37] L. Dai, B. Zhang, J. Y. Lin and H. X. Jiang: J. Appl. Phys. 89, 4951 (2001).
[38] X. Duan, J. Wang and C. M. Lieber: Appl. Phys. Letts. 76, 1116 (2000).
[39] F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
[40] F. Bernardini and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 57, R9427 (1998).
[41] H. Kollmer, J. S. Im, H. Kollmer, S. Heppel. J. Off, and F. Scholz, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 15 (1998).
[42] A. D. Bykhovski, V. V. Kaminski, M. S. Shur, Q. C. Chen, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 68, 818 (1996).
[43] K. Tsubouchi, K. Sugai, and N. Mikoshiba, Proc. IEEE 375 (1981).
[44] H.W. Choi, C. W. Jeon, M. D. Dawson, P. R. Edwards, R. W. Martin, and S. Tripathy, J. Appl. Phys. 93, 5978 (2003).
[45] L. Dai, B. Zhang, J. Y. Lin and H. X. Jiang, J. Appl. Phys. 89, 4951 (2001).
[46] J. Ristic, E. Calleja, M. A. Sanchez-Garcia, J. M. Ulloa, J. Sanchez-Paramo, J. M. Calleja, U. Jahn, A. Trampert, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 68, 125305 (2003).
[47] L. H. Peng, C. W. Chuang, L. H. Lou, Appl. Phys. Lett. 74, 795 (1999).
[48] E. Kuokstis, J.W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, R. G.aska, M. S. Shur, Appl. Phys Lett. 80, 977 (2002).
[49] M. G. Cheong, H. S. Yoon, R. J. Choi, C. S. Kim, C.-H. Hong, E.-K. Suh, and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 90, 5642 (2001).
[50] M. G. Cheong, C. Liu, H.W. Choi, B. K. Lee, E.-K. Suh, and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 93, 4691 (2003).
[51] S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
[52] Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
[53] S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
[54] T. H. Hsueh, Y. S. Chang, F. Lai, H. W. Huang, M. C. Ou-yang, C. W. Chang, J. K. Sheu, H. C. Kuo, S. C. Wang, CLEO/ IQEC, IWA 20 (2004).
[55] C. C. Yu, C. F. Chu, J. Y. Tsai, H. W. Huang, T. H. Hsueh, C. F Lin and S. C. Wang, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L910 (2002).
[56] C. Winnewisser, J. Schneider, M. Bo¨rsch, and H. W. Rotter, J. Appl. Phys. 89, 3091 (2001).
[57] K. S. Ramaiah, Y. K. Su, S. J. Chang, B. Kerr, H. P. Liu and I. G. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 3307 (2004).
[58] J. Ristic, E. Calleja, M. A. Sanchez-Garzia, J. M. Ullao, J. Sanchez-Paramo, J. M. Calleja, U. Jahn, A. Trampert, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 68, 125305 (2003).

Chapter 5
[1] S. Nakamura and S. F. Chichibu, Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (Taylor & Francis, New York, 2000).
[2] Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
[3] N. Grandjean, B. Damilano, J. Massies, and S. Dalmasso, Solid State Commun. 113, 495 (2000).
[4] K. Watanabe, J. R. Yang, N. Nakanishi, K. Inoke, and M. Shiojiri, Appl. Phys. Lett. 80, 761 (2002).
[5] H. K. Cho, J. Y. Lee, N. Sharma, C. J. Humphreys, G. M. Yang, C. S. Kim, J. H. Song, and P. W. Yu, Appl. Phys. Lett. 81, 3102 (2002).
[6] Y. S. Lin, K. J. Ma, C. Hsu, S. W. Feng, Y. C. Cheng, C. C. Liao, C. C. Yang, C. C. Chuo, C. M. Lee, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 77, 2988 (2000).
[7] N. A. Shapiro, P. Perlin, C. Kisielowski, L. S. Mattos, J. W. Yang, and E. R. Weber, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5, 1 (2000).
[8] Y. C. Cheng, C. M. Wu, M. K. Chen, C. C. Yang, Z. C. Feng, G. A. Li, J. R. Yang, A. Rosenauer, and K. J. Ma, Appl. Phys. Lett. 84, 5422 (2004).
[9] M. G. Cheong, C. Liu, H. W. Choi, B. K. Lee, E. –K. Suh, and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 93, 4691 (2003).
[10] R. J. Choi, H. W. Shim, S. M. Jeong, H. S. Yoon, E. –K. Suh, C. –H. Hong, H. J. Kee, and Y. –W. Kim, Phys. Stat. Sol. (a) 192, 430 (2002).
[11] J. P. Liu, R. Q. Jin, J. J. Zhu, J. C. Zhang, J. F. Wang, M. Wu, J. Chen, Y. T. Wang, and H. Yang, J. Crystal Growth 264, 53 (2004).
[12] J. K. Sheu, C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, L. W. Wu, Y. C. Lin, J. M. Tsai, R. K. Wu, and G. C. Chi, IEEE Photonics Technology Letters 15, 18 (2003).
[13] I. H. Kim, H. S. Park, Y. I. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 1634 (1998).
[14] S. Nskamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugaimoto, and H. Kikyokau, Appl. Phus. Lett. 70, 2753 (1997).
[15] M. B. Nardelli, K. Rapcewicz, and J. Bernholc, Appl. Phys. Lett. 71, 3135 (1997).
[16] Y. P. Varshni, Physica 34, 149 (1967).
[17] A. Bell, S. Srinivasan, C. Plumlee, H. Omiya, F. A. Ponce, J. Christen, S. Tanaka, A. Fujioka, and Y. Nakagawa, J. Appl. Phys. 95, 4670 (2004)
[18] J. Christen, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 42, 7213 (1990).
[19] P. G. Elixeev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
[20] T. Wang, P. J. Parbrook, W. H. Fan and A. M. Fox, Appl. Phys. Lett. 84, 5159 (2004).
[21] H. Q. Ni, Z. C. Niu, X. H. Xu, Y. Q. Xu, W. Zhang, X. Wei, L. F. Bian, Z. H. He, Q. Han and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 84, 5100 (2004).
[22] D. Bimberg, M. Sondergeld, and E. Grobe, Phys. Rev. B 4, 3451 (1971).
[23] M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2837 (1996).
[24] Y. H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1998).
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top