跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(18.97.14.87) 您好!臺灣時間:2025/02/09 10:30
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

: 
twitterline
研究生:龔君偉
研究生(外文):Jun-Wei Gong
論文名稱:利用快速熱退火技術增進金屬誘發側向結晶的速率
論文名稱(外文):Enhancement of MILC Growth Rate Using Rapid Thermal Annealing
指導教授:吳耀銓
指導教授(外文):YewChungSermon Wu
學位類別:碩士
校院名稱:國立交通大學
系所名稱:材料科學與工程系所
學門:工程學門
學類:材料工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2005
畢業學年度:93
語文別:中文
論文頁數:63
中文關鍵詞:金屬誘發結晶快速熱退火複晶矽
外文關鍵詞:MILCRTApolysilicon
相關次數:
  • 被引用被引用:5
  • 點閱點閱:798
  • 評分評分:
  • 下載下載:91
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
在本研究中,主要的重點就是探討利用快速熱退火進行金屬誘發側向結晶。藉著改變快速熱退火各個不同的參數,如溫度、持溫時間、升溫速率,來探討哪些因素影響複晶矽的成長。接下來,選取適合的參數來製作元件,並與以爐管製程的元件做比較。
我們發現在550℃的溫度下,利用快速熱退火成長複晶矽,比爐管退火在複晶矽成長速率的表現上快上將近十倍。但是在電性上的表現,快速熱退火製程的略差於爐管製程。而在改變不同快速熱退火的參數上,溫度越高成長速率越快,但飽和長度越短;而在同樣溫度同樣退火時間下,週期數越多的,成長速率則越快;而在升溫速率方面,則沒有明顯的影響。
In this study,the major point is that metal-induced lateral crystallization process using Rapid thermal annealing was investigated。We discuss which factors affect the growth of polycrystalline silicon (poly-Si) by different RTA conditions such as temperature、during time and ramping rate。Then we select a suitable condition for device fabrication,and compare to device with furnace annealing process。

We discover that the growth rate of poly-Si by RTA at 550℃ is almost ten times than that by furnace annealing at 550℃。But the electric preformance of RTA process is inferior to that of furnace annealing process slightly。And under different RTA conditions:the higer temperature cause faster growth rate,but shorter saturation length ;under the same temperature and annealing time,the more numbers of cycle cause faster growth rate;And ramping rate do not affect growth rate obviously。
目錄

摘 要 i
Abstract ii
致謝 iv
目錄 v
表目錄 viii
圖目錄 IV
一.緒論 1
1.1薄膜電晶體的演進 1
1.1.1非晶矽薄膜電晶體 1
1.1.2複晶矽薄膜電晶體 2
1.2 複晶矽的結晶方式 3
1.2.1 直接沉積複晶矽 3
1.2.2 固相結晶法(SPC) 3
1.2.3準分子雷射退火(Excimer Laser crystallization) 3
1.2.4金屬誘發結晶/金屬側向誘發結晶(MIC/MILC) 8
1.3 利用快速熱退火(RTA)結合金屬側向誘發結晶(MILC)製作複晶矽 11
1.3.1 快速熱退火(RTA)的原理 11
1.3.2 快速熱退火(RTA)技術的優勢 12
1.4 實驗動機 16
二.實驗步驟 17
2.1討論快速熱退火(RTA)對金屬側向誘發結晶的影響 17
2.1.1利用RTA550℃與利用爐管550℃做比較 20
2.1.2爐管退火(FA)+快速熱退火(RTA)& 爐管退火(FA)+爐管退火(FA) 23
2.2不同RTA的退火參數對MILC成長的影響 23
2.2.1 不同RTA退火溫度的影響 24
2.2.2 不同RTA持溫時間的影響 25
2.2.3 不同升溫速率的影響 26
2.3元件製備 26
三.結果與討論 29
3.1 RTA跟爐管退火的比較 29
3.1.1 利用RTA550℃做MILC的退火與FA550℃做比較 31
3.1.1.1 RTA與FA在各個不同退火溫度下成長MILC其微結構的差異 33
3.1.2 快速熱退火(RTA)技術對複晶矽成核與成長的影響 38
3.1.2 改變RTA的退火溫度進行MILC結晶的比較 41
3.1.2.1以RTA成長MILC之活化能的計算 41
3.2 RTA不同退火持溫時間的比較 44
3.3升溫速率對結晶速率的影響 47
3.4電性分析與探討 52
3.6 RTA影響MILC機制的討論 59
3.7 結論 60
四.未來工作 61
五.參考文獻 62
1. James S. Im,H.J.Kim,and Michael O. Thompson,Appl. Phys. Lett,vol. 63,p.1969(1993)
2. James S. Im,H.J.Kim,Appl. Phys. Lett,vol. 64,p.2303(1994)
3. R.S. Wanger, W.C. Ellis, J. Appl. Phys. ,vol. 4, pp. 89, 1964
4. M. S. Haque, H. A. Naseem, and W. D. Brown, J. Appl. Phys., vol. 79, pp. 7529-7536, 1996
5. L. Hultman, A. Robertsson, H. T. G. Hentzell, I. Engström, and P. A. Psaras, J. Appl. Phys., vol 62, pp. 3647-3655, 1987
6. SY Yoon, KH Kim, CO Kim, JY Oh and J. Jang, J. Appl. Phys., vol. 82, pp. 5865-5867, 1997
7. F. A. Quli and J. Singh, Materials Science and Engineering, vol. B67, pp. 139-144 , 1999
8. S.-W. Lee, Y.-C. Jeon and S.-K. Joo, Appl. Phys. Lett., vol. 66, pp. 1671-1673, 1995
9. EA Guliants, WA Anderson, LP Guo, VV Guliants, Thin Solid Films, vol. 385, pp. 74-80, 2001
10. C. Hayzelden , J. L. Batstone, J. Appl. Phys. Vol. 73, pp. 8279-8289, 1993
11. S.Y. Yoon, S.K. Kim, J.Y. Oh, Y.J. Choi, W.S. Shon, C.O. Kim and J. Jang, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 37, pp. 7193-7197, 1998
12. JIN JANG, SOO YOUNG YOON, International Journal of High Electronics and systems, vol. 10, pp. 13-23, 2000
13. A. Yu. Kuznetsov and BG Svensson, Appl. Phys. Lett, vol. 66, pp. 2229-2231, 1995
14. C.F. Cheng et al., IEEE trans Electron Devices,vol.51 No. 12 (2004)
15. C.F. Cheng et al., IEEE trans Electron Devices,vol.25 No. 8 (2004)
16. Lawrence K. Lam et al.,Appl. Phys. Lett, vol 74 No.13(1999)
17. F. Secco d’ Aragano:J. Electro. Soc. 119(1972)948.
18. R. Kakkad,J. Smith,W. S. Lau and S. J. Fonash J. Appl. Phys. Vol. 65, pp. 2069∼2072, 1989
19. 陳文照,鎳金屬薄膜與矽晶之界面反應研究,國立清華大學博士班論文
20. C. Klinke,J.M. Bonard,K.Kern,Sur. Sci.,492,191(2001)
21. Yasuo Kimura,Masato Kishi,Takashi Katoda,vol. 86,no. 4(1999)2278
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
無相關期刊