|
參考文獻 [1] C. Y. Chen, J. Y. Gan, Master Thesis, National Tsing-Hua University, Taiwan (2004) [3] R. C. Weast (Ed.), Handbook and Chemistry and Physics, P.146 (1989) [2] 余樹楨, 國立編譯館, 台北, 第280頁, 民國 77年 [4] R. R. Daniels and G. Margaritiondo, Phys. Rev. B 29, 1813 (1984) [5] K. Y. Shih and T. Y. Tseng, Master Thesis, Nation Chiao Tung University, Taiwan (1997) [6] M. L. Green, M. E. Gross, L. E. Papa, K. J. Schnoes, and D. Brasen, J. Electrochem. Soc. 132, 2677 (1985) [7] L. Krusin-Elaum, M. Wittmer, and D. S. Yee, Appl. Phys. Lett. 50, 1879 (1987) [8] H. N. Al-Shareef, A. I. Kingon, X. Chen, K. B. Bellur, and O. Auciello, J. Mater. Res. 9, 2968 (1994) [9] X. J. Zang, S. T. Zhang, Y. F. Chen, Z. G. Liu, N. B. Ming, Microelectronic Engineering 66, 719 (2003) [10] S. Y. Mar, J. S. Liang, C. Y. Sun, Y. S. Huang, Thin Solid Films 238, 158 (1994) [11] Y. D. Kim, A. P. Seitsonen, S. Wendt, J. Wang, C. Fan, K. Jacobi. H. Over, and G. Ertl, J. Phys. Chem. B 105, 3752 (2001) [12] M. Knapp, A. P. Seitsonen, Y. D. Kim, and H. Over, J. Phys. Chem. B 108, 14392 (2004) [13] J. P. Zheng, P. J. Cygan, and T. R. Jow, J. Electrochem. Soc. 142, 2699 (1995) [14] S. H. Arnold, S. E. Kounce, J. Appl. Phys. 27, 964 (1956) [15] F. C. Frank, Discuss. Faraday Soc. 48, 5 (1949) [16] Y. Yin, G. Zhang, Y. Xia, Adv. Funct. Mater. 12, 293 (2002) [17] Z. Z. Huang, Z. Z. Kai, F. R. Cheng, Master Thesis, Nation Tsing-Hua University, Taiwan (2003) [18] Z. W. Pan, Z. R. Dai, Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001) [19] G. W. Sears, Acta. Metall. 3, 361 (1955) [20] N. Cabrera, W. K. Burton, Discuss Faraday Soc. 5, 40 (1949) [21] J. M. Blakely, K. A. Jackson, J. Chem. Phys. 37, 428 (1962) [22] R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964) [23] Y. Wu, P. Yang, Chem. Mater. 12, 605 (2000) [24] Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, T. Yin, F. Kim, and H. Yan, Adv. Mater. 15, 353 (2003) [25] M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Webber, R. Russo, P. Yang, Science, 292, 1897 (2001) [26] R. Q. Zhang, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Adv. Mater. 15, 635 (2003) [27] J. Z. Chen, Y. S. Huang, Master Thesis, Natioal Taiwan University of Science and Technology, Taiwan (2004) [28] C. S. Hsieh, D. S. Tsai, Master Thesis, National Taiwan University of Science and Technology, Taiwan (2004) [29] G. Dirio, P. Legagneux, D. Pribat, K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amarotunga, and W. I. Milne, Nanotechnology 13, 1 (2002) [30] C. S. Hsieh, D. S. Tsai, Appl. Phys. Lett. 85, 3860 (2004) [31] A. Modinos, Plenum Press, New York and London, p.1-p.9 [32] S. M. Sze, Physics of semiconductor Devices, Wiley, New York, 1981 [33] I. Brodie, P. R. Schwoebel, Proceedings of the IEEE 82, 1006 (1994) [34] R. H. Fowler, D. L. Nordheim, Roy. Soc. Proc. A 173 (1928) [35] B. S. Satyanarayana, A. Hart, W. I. Milne, and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 71, 1430 (1997) [36] F. C. Frank, Discussion Faraday Soc. 5, 48 (1949) [37] D. R. Hamilton, R. G. Seidensticker, J. Appl. Phys. 31, 1165 (1960) [38] R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964) [39] S. Bhaskar, P. S. Dobal, S. B. Majumder, and R. S. Katiyar, J. Appl. Phys. 89, 2987 (2001) [40] Y. Kaga, Y. Abe, H. Yanagisama, and K. Sasaki, J. J. Appl. Phys. 37, 3457 (1998) [41] Y. Abe, Y. Kaga, M. Kawamura, and K. Sasaki, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1348 (2000) [42] C. T. Hsieh, J. M. Chen, H. H. Lin, and H. C. Shih, Appl. Phys. Lett. 83, 3383 (2003) [43] J. M. Bouard, J. P. Salvetat, T. Stőckli, L. Forrό, and A. Châtelain, Appl. Phys. A 69, 245 (1999) [44] R. S. Chen, Y. S. Huang, Y. M. Liang, C. S. Hsieh, D. S. Tsai, and K. K. Tiong, Appl. Phys. Lett. 84, 1552 (2004) [45] C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 3648 (2002) [46] F. G. Tarntair, C. Y. Wen, L. C. Chen, J. J. Wu, K. H. Chen, P.F. Kuo, S. W. Chang, Y. F. Chen, W. K. Hong, and H. C. Cheng, Appl. Phys. Lett. 76, 2630 (2000) [47] J. Zhou, N. S. Xu, S. Z. Deng, J. Chen, J. C. She, and Z. L. Wang, Adv. Mater. 15, 1835 (2003) [48] Z. W. Pan, H. L. Lai, F. C. K. Au, X. F. Duan, W. TY. Zhou, W. S. Shi, N. Wang, C. S. Lee, N. B. Wang, S. T. Lee, and S. S. Xie, Adv. Mater. 12, 1186 (2000) [49] M. Tomkiewicz, Y. S. Huang, and F. H. Pollak, J. Electrochem. Soc. 130, 1514 (1983) [50] C. S. Hsieh, D. S. Tsai, R. S. Chen, and Y. S. Huang, Appl. Phys. Lett. 85, 3860 (2004) [51] Q. Zhao, J. Xu, X. Y. Xu, Z. Wang, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 85, 5331 (2004)
|