跳到主要內容

臺灣博碩士論文加值系統

(18.97.14.91) 您好!臺灣時間:2025/02/19 18:31
字體大小: 字級放大   字級縮小   預設字形  
回查詢結果 :::

詳目顯示

: 
twitterline
研究生:林宸億
研究生(外文):Chen-I Lin
論文名稱:傳統式LDMOSFET與SuperjunctionLDMOSFET元件模型之建立
論文名稱(外文):The Modeling of LDMOSFET and Superjunction LDMOSFETThe Modeling of LDMOSFET and Superjunction LDMOSFET
指導教授:林智玲林智玲引用關係
指導教授(外文):Jyh-Ling Lin
學位類別:碩士
校院名稱:華梵大學
系所名稱:機電工程研究所
學門:工程學門
學類:機械工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2006
畢業學年度:94
語文別:中文
論文頁數:90
中文關鍵詞:溝槽式閘極功率電晶體水平式雙擴散金氧半電晶體N/P交互摻雜接面橫向雙擴散金氧半場效電晶體
外文關鍵詞:Trench Gate MOSFETLDMOSFETsuperjunction LDMOSFET
相關次數:
  • 被引用被引用:3
  • 點閱點閱:743
  • 評分評分:
  • 下載下載:116
  • 收藏至我的研究室書目清單書目收藏:0
伴隨著半導體產業的發達,高功率元件經常被應用在許多電力電子方面。它的形式基本上有水平式及垂直式兩種,其中縱向結構以溝槽式閘極功率電晶體為代表,橫向結構則以雙擴散金氧半場效電晶體為代表。本論文中我們將討論水平式雙擴散金氧半場效電晶體、N/P交互摻雜接面橫向雙擴散金氧半場效電晶體之特性,並建立水平式雙擴散金氧半場效電晶體、N/P交互摻雜接面橫向雙擴散金氧半場效電晶體的順向導通電性模型,以推導對應之導通電流公式,希望有助於日後元件模型之建立與應用。
本論文是藉由Mathematica軟體來推導橫向結構的金氧半場效電晶體功率元件,其線性區、飽合區及導通電阻公式,及採用半經驗法將所推導之公式,套用在兩種實際的元件上 (水平式雙擴散金氧半場效電晶體、N/P交互摻雜接面橫向雙擴散金氧半場效電晶體) ,此方法可以快速計算出功率電晶體之導通特性,並與實際量測結果非常接近,有利於建立水平式雙擴散金氧半場效電晶體電壓-電流模型。最後,再利用HSPICE軟體來模擬兩種元件的電壓-電流曲線,並比較其差異性。
Power MOSFET are widely applied to power electronics owing to the great development of semiconductor industry. Power MOSFETs have lateral and vertical structures. The vertical structure here refers to trench gate power MOSFET and the lateral structure refers to LDMOSFETs. In this thesis, the LDMOSFETs, superjunction LDMOSFETs forward conduction characteristics had been build up and compared their relationship between measurement and calculation.
LDMOSFETs and superjunction LDMOSFETs’ models have been derived in this work, including the linear region and saturation region. Current-voltage relationships are derived considering the drift region resistance and the accumulation layer resistance. Comparing with the measured results verify the equations’ reliance and set up electricity model. In order to get the corresponding equations, it will be greatly helpful to future application of the device. HSPICE also is used to simulate the I-V curves of these devices.
誌 謝 I
摘 要 II
ABSTRACT III
目 錄 IV
圖 錄 VII
表 錄 X
第一章 緒論 1
1.1 簡介 1
1.2 功率元件的基本結構 2
第二章 元件工作原理 12
2.1 功率電晶體的操作原理 12
2.2 功率電晶體的崩潰原理 13
2.3 SOI-橫向功率元件結構與工作原理 15
2.4 MOSFET的基本電流電壓特性公式推導 17
第三章 功率電晶體模型推導 21
3.1 簡介 21
3.2 LDMOSFETS之特徵導通電阻與崩潰電壓 22
3.3 LDMOSFETS模型推導 24
3.3.1 LDMOSFETS線性區之公式推導 25
3.3.2 LDMOSFETS飽和區之公式推導 26
3.3.3 LDMOSFETS通道電阻的推導 27
3.3.4 LDMOSFETS之模型參數分析 29
3.4 SJ-LDMOSFETS模型推導 30
3.4.1 SJ-LDMOSFETS線性區之公式推導 31
3.4.2 SJ-LDMOSFETS飽和區之公式推導 32
3.4.3 SJ-LDMOSFETS通道電阻的推導 33
3.4.4 SJ-LDMOSFETS之模型分析 34
3.5 分析與討論 35
第四章 水平式金氧半功率電晶體 48
4.1 RESURF原理 49
4.2 場板(FILED PLATE)的應用 51
4.3 元件設計 53
4.4 元件製作流程 53
4.5 功率電晶體的量測 54
4.6 ID-VGS量測與模擬特性曲線圖 55
4.7 HSPICE模擬特性曲線圖 55
4.8 分析與討論 56
第五章 結論與未來展望 80
5.1 結論 80
5.2 未來展望 81
參考文獻 82
[1]B.J.Baliga,” Power Semicomductor Devices” .Boston,Ma:PWS,1995.
[2]E. wolfgang,et al,” Advances in Power Electronic” ,IEEE Inter . Electric Machines and Devices Confernce,1999,pp4-8.
[3]Tsengyou Syau,Prasad Venkatraman, and B.Jayant Baliga, ”Comparison of Ultralow Specific On-Resistance UMOSFET Structures:The ACCUFET, EXTFET, INVFET, and Conventional UMOSFET’s ” IEEE, Trans. Electron Devices,vol.41,pp.
[4]M. Mehrotra and B.J. Baliga ,”Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) rectifier ” Solid State Electronics, Vol.38, 1995, pp.703-713.
[5]施敏,”半導體元件物理與製作技術”,1997.
[6]Yasuhara, N.; Nakagawa, A; Furukawa, K., Electron Devices Meeting, 1991 .Technical Digest ,International ,1991,pp141-144.
[7]A.K. Paul, Y.K Leung, J.D. Plummer, S.S. Wong, S.C. Kuehne, V.S. Hung, and C.T. Nguren, ”High Voltage LDMOS Transistors in Sub-Micron SOI Films”,IEEE ,1996, pp.89-92.
[8]Vogt, F. ; vogt, H.;Radecker ,M;Fiedler ,H., Power Semiconductor Devices and IC’s , ISPSD, 1997 ,pp.317-320.
[9]Tonny M.L., Johnny K.O. Sin, Man Wong, Vincent M.C. Poon, and Ping K. Ko,” IMPLEMENTION OF LINEAR DOPING PROFILES FOR HIGH VOLTAGE THIN-FILM SOI DEVICES”,ISPSD, 1995, pp.315-320.
[10]J.A. Appels, M.G. Collet, P.A.H. Hart, H.M.J. Vaesand , J. F. C. M. Verhoeven,” Thin Layer High-Voltage Devices .(RESURF Devices)”, Phlips Journal of Research. Vol.35, No.1 ,pp1-13,1980.
[11]江豐全,橫向式雙擴散金氧半場效電晶體之量測與模型建立之研究,華梵大學機電工程研究所,碩士論文。
[12]林禮正,新型功率金氧半場效電晶體之設計、模擬、量測與分析,華梵大學機電工程研究所,碩士論文。
[13]陳柏宏,低溫多晶矽元件之量測與步階式摻雜之超薄功率元件之模擬研究,華梵大學機電工程研究所,碩士論文。
[14]黃全永,金氧半功率電晶體模擬之研究,華梵大學機電工程研究所,碩士論文。
[15]郭威廷,水平式功率金氧半場效電晶體在絕緣層上之研究,華梵大學機電工程研究所,碩士論文。
QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
第一頁 上一頁 下一頁 最後一頁 top
1. 4.吳信華,「基本權利的系思考」,月旦法學教室,第9期,台北,2003年。
2. 3.朱源葆,「析論警察執行集會遊行之剛性執法」,警學叢刊,第27卷,第1期,桃園,1996年。
3. 2.朱源葆,「論警察裁量之法律界限-以處理集會遊行法案件為例」,警學叢刊,第19卷,第3期,桃園,1989年。
4. 1.朱源葆,「警察執行集會遊行時之法律界限」,警學叢刊,第32卷,第2期,桃園,2001年。
5. 5.呂金榮,「動員戡亂時期集遊法頒行後警察應有之認識與作為」,警學叢刊,第19卷,第1期,台北,1988年。
6. 7.李震山,「民主法制國家與集會自由-許可制合憲性之探討」,全國律師,第2卷,第3期第,台北,1998年。
7. 8.李震山,「民主法制國家與集會遊行自由-許可制合憲性之探討」,全國律師,第2卷,第3期,台北,1998年。
8. 9.李震山,「論集會自由與公物使用間之法律問題-以集會遊行場所選用為例」,東海大學法學研究,第9期,台中,1995年。
9. 11.林漢堂,「論基本人權之保障與限制,兼論集遊法立法之必要性與適切性」,警學叢刊,桃園,1997年。
10. 13.法治斌,「集會遊行之許可制或報備制-概念之迷思與解放」,憲政時代,第24卷,第3期,台北,1998年。
11. 14.許志雄,「集會遊行規制立法的違憲審查基準-司法院釋字第四四五號解釋評析-上」,月旦法學,第37期,台北,1998年。
12. 15.許志雄,「集會遊行規制立法的違憲審查基準-司法院釋字第四四五號解釋評析-中」,月旦法學,第38期,台北,1998年。
13. 16.許志雄,「集會遊行規制立法的違憲審查基準-司法院釋字第四四五號解釋評析-上」,月旦法學,第39期,台北,1998年。
14. 17.許光泰,「中共對集會遊行示威權的保障與限制」,中國大陸研究,第35卷,第12期,台北,1992年。
15. 20.許宗力,「基本權的保障與限制(上)」,月旦法學教室,第11期,台北,2003年。