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研究生:徐欣伶
研究生(外文):Hsin-Lin Hsu
論文名稱:類神經網路於DRAM廠機台量測值與WAT模式之研究
論文名稱(外文):Applying Artificial Neural Network in the EDC of machine and WAT model for the DRAM manufacture
指導教授:王建智王建智引用關係
指導教授(外文):Chien-Chih Wang
學位類別:碩士
校院名稱:明志科技大學
系所名稱:工程管理研究所
學門:工程學門
學類:綜合工程學類
論文種類:學術論文
論文出版年:2006
畢業學年度:94
語文別:中文
論文頁數:56
中文關鍵詞:類神經網路電壓值良率
外文關鍵詞:Neural NetworksVoltageyield
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半導體製造程序超過五百多道製程步驟,其中包含了數千種影響的參數,在實務上對於製程的監控以及改善,必須同時考慮這些參數的關聯性或交互作用,使得製程控制也日益困難。由於機台輸出量測值與最後生產所得到之良率有顯著關係,因此若能夠建立出此模型進行預測,則可以在還未完全生產完成前,提早終止此批產品生產,以減少製程中的重工與報廢成本。依據目前半導體廠製程經驗,晶圓允收測試(Wafer Acceptance Test,WAT)參數之Vt 值(Voltage)與製程良率具有顯著相關。本研究的重點在於建立每站機台輸出結果資料作為建立Vt 值之模型。本研究提出以類神經網路為基礎,分別應用多層感知器(Multilayer Perceptron,MLP)、輻射基底函數(Radial Basis Function,RBF)及線性網路(Linear networks)來建立預測Vt 值之模式。以一DRAM 製造廠為所提供之實務資料共1754筆,進行模型驗證。在模式評估方面多層感知器 RMSE值為0.6395%,優於線性網路1.7700%及輻射基底函數1.8867%。故本研究建議可以採用多層感知器來作為實務預測之模式。在實務的應用上,透過本研究所建立的模型,除可以用來預測製程站點與Vt值的關係,用來進行製程品質的分析外,亦可得到異常站點,以提供工程師製程改善之依據。
The semiconductor manufacturing process surpassed 500 stages of one, which include thousands of influential parameters. With regards to monitor and improvement of manufacturing process in practice, we have simultaneously to consider these parameters relation and interaction but it makes monitor of manufacturing process becomes more difficult day by day.
Because the output measuring of machine was significantly related with yield of final production, it can establish this model to predict that it early is stopped a batch of production before completely accomplished produce in order to reduce the costs of rework and scrap. According to the present experience of manufacturing process in the semiconducting factories, the Vt (Voltage) of WAT (Wafer Acceptance Test) parameters and yield are a well- related significant. Our research focuses on setting up the output data of each machine as establishing the model of Vt.
As a result, we propose Neural Networks on a trial basis, and separately apply MLP (Multilayer Perceptron), RBF (Radial Basis Function) and Linear networks for the prediction model of Vt. Besides, the sum of 1,754 lots of pragmatic data which is provided by one DRAM manufacturing factory is processing to test and verify this model. In the aspect of measurement of this model, RMSE which is 0.6395% is superior to 1.7700% of Linear networks as well as 1.8867% of RBF. Therefore, our research suggests that this model could apply MLP to forecast practically.
Finally, it not only predicts that each stage of manufacturing process is correlated with Vt to analyze quality of manufacturing process, but also find malfunctioning stages out to offer engineers foundation of improvement in the future, by model built, in the practical application.
明志科技大學碩士學位論文指導教授推薦書 i
明志科技大學碩士學位論文口試委員審定書 ii
明志科技大學學位論文授權書 iii
誌謝 iv
中文摘要 v
英文摘要 vi
目錄 viii
圖目錄 x
表目錄 xii
第一章 緒論 1
1.1研究背景 1
1.2研究動機 2
1.3研究目的 2
1.4 研究架構 3
第二章 文獻探討 5
2.1半導體製程 5
2.1.1半導體製程簡介 5
2.1.2 晶圓允收測試 7
2.2半導體製程良率之相關研究 8
2.3類神經網路 10
2.3.1類神經網路簡介 10
2.3.2類神經網路架構 12
2.4 類神經網路應用之相關研究 14
2.5 文獻總結 17
第三章 研究方法 18
3.1 建立類神經網路模式 18
3.1.1多層感知器 18
3.1.2 輻射基底函數 23
3.1.3 線性網路 26
3.1.4 參數設定 27
3.2 網路模式評估準則 28
第四章 實例驗證 32
4.1資料描述及前處理 32
4.2建立類神經網路模式 36
4.2.1類神經網路參數最佳設定 36
4.3類神經網路模式結果分析 41
4.4 網路模式評估 48
4.5 研究總結 48
第五章 結論 50
5.1研究結論 50
5.2後續研究 51
參考文獻 53
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QRCODE
 
 
 
 
 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                               
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